三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關(guān)稅政策影響，處理器大廠(chǎng)AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單，進(jìn)而轉向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠(chǎng)下單。這一決定標志著(zhù)三星代工業(yè)務(wù)繼失去高通、英偉達等科技巨頭價(jià)值數十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。

目前臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠(chǎng)目前已經(jīng)開(kāi)始大規模生產(chǎn)4nm，特別是在美國特朗普政府即將出臺針對半導體的加征關(guān)稅政策之后，英偉達、蘋(píng)果、AMD等美國芯片設計大廠(chǎng)也紛紛開(kāi)始下單臺積電亞利桑那州晶圓廠(chǎng)4nm制程，以期降低未來(lái)美國半導體關(guān)稅政策的影響。其中，AMD不久前就宣布旗下第五代EPYC服務(wù)器處理器已在臺積電亞利桑那州晶圓一廠(chǎng)生產(chǎn)。

三星技術(shù)信任危機

AMD過(guò)去曾一直采用雙重代工供應商策略，AMD也計劃與三星晶圓代工的4nm（SF4X）制程廣泛合作，不限EPYC服務(wù)器處理器，還包括Ryzen APU和Radeon GPU等產(chǎn)品。這一舉措對三星而言具有重要的戰略意義，但現在卻走向了失敗。雖然目前尚不確定是否僅僅因為EPYC而放棄這筆交易，但AMD似乎對三星代工廠(chǎng)的興趣正在下降。

據產(chǎn)業(yè)鏈權威消息，AMD已正式通知三星取消原計劃采用其第四代4nm工藝（SF4X）生產(chǎn)服務(wù)器CPU的I/O芯片訂單，這一決策距離三星3月宣布SF4X工藝量產(chǎn)僅過(guò)去兩個(gè)月。

三星SF4X工藝主打「成本優(yōu)化」，理論上可降低15%制造成本并提升8%性能指標，其報價(jià)比臺積電同級別工藝低約20%，且承諾快速交付。然而，實(shí)際量產(chǎn)表現顯然未達客戶(hù)預期 —— AMD評估后認為，三星4nm工藝在電壓穩定性、漏電控制等關(guān)鍵指標上存在缺陷，難以滿(mǎn)足服務(wù)器芯片的高可靠性需求。

根據TrendForce最新報告，AMD此次調整主要基于三星SF4X工藝的良率問(wèn)題。盡管三星聲稱(chēng)其4nm整體良率已提升至70%以上，但SF4X作為專(zhuān)為高性能計算（HPC）優(yōu)化的版本，在晶體管密度、功耗控制等關(guān)鍵指標上未能達到AMD預期。例如，臺積電N4P工藝在晶體管密度（約1.8億/mm2）和能效比上優(yōu)于三星SF4X（約1.5億/mm2），在200mm晶圓測試中HBM4集成良率僅為62%，顯著(zhù)低于臺積電的85%，且SF4X的互連延遲較臺積電N4P工藝高出15%。

AMD的技術(shù)調整并非偶然。早在2024年6月，天風(fēng)國際分析師郭明錤就曾指出AMD與三星在3nm GAA工藝上“無(wú)實(shí)質(zhì)進(jìn)展”，轉而將資源投向臺積電的2nm研發(fā)，此次4nm合作終止正是這一戰略的延續。行業(yè)人士透露，三星3nm工藝良率長(cháng)期低于50%，導致高通、英偉達等大客戶(hù)流失，這種技術(shù)信任危機延伸至4nm領(lǐng)域。臺積電N4P工藝基于5nm平臺優(yōu)化，性能較三星SF4X提升11%，功耗降低22%，且通過(guò)減少光罩層數降低了30%的制造成本。盡管三星的SF4X工藝采用了創(chuàng )新的后端布線(xiàn)技術(shù)，但市場(chǎng)對其穩定性和成熟度仍存疑慮。

目前來(lái)看，三星代工的勢頭確實(shí)不容樂(lè )觀(guān)，其晶圓代工部門(mén)的尖端制程良率一直低于臺積電，且未獲得大客戶(hù)，并不是新鮮事，其第二代3nm制程被傳良率至今也只有30%左右，這也直接導致了三星放棄了今年年初發(fā)布的年度旗艦智能手機Galaxy S25系列搭載自研的Exynos 2500芯片，決定全面改用高通驍龍8 Elite。而放棄Exynos 2500的這項決定，也導致三星此前在Exynos 2500上的研發(fā)和制造投入基本打了水漂，再加上全面外購高通的旗艦芯片，使得其今年的零組件支出大幅上升，更直接造成約4億美元損失。

三星代工正面臨前所未有的經(jīng)營(yíng)壓力，據市場(chǎng)研究機構預測，三星代工業(yè)務(wù)的毛利率已從去年同期的42%降至本季度的31%，這一趨勢若持續，將對其長(cháng)期發(fā)展構成嚴峻挑戰。除了先進(jìn)制程的技術(shù)瓶頸，傳統制程市場(chǎng)需求的下滑也迫使三星不得不采取收縮策略，近期已關(guān)閉部分生產(chǎn)線(xiàn)以控制成本，預計將影響其28nm等成熟制程約12%的產(chǎn)能。

此次AMD的決策對全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生連鎖反應，可能導致市場(chǎng)進(jìn)入臺積電一家獨大的新階段。臺積電憑借N4P工藝的成熟度，已包攬蘋(píng)果 A17、英偉達 H200等頭部客戶(hù)的訂單。與此同時(shí)，臺積電4nm產(chǎn)能逐步釋放，尤其是為英偉達Blackwell GPU訂單調整后，AMD成功爭取到更多代工資源。臺積電憑借技術(shù)、產(chǎn)能和地緣政治優(yōu)勢，幾乎壟斷了高端芯片制造，而三星若不能在2nm領(lǐng)域實(shí)現技術(shù)突破，其代工業(yè)務(wù)可能很難再追上臺積電，今年第一季度，三星與臺積電的市場(chǎng)份額差距進(jìn)一步拉大至60個(gè)百分點(diǎn)以上。市場(chǎng)研究機構Counterpoint預測，若三星無(wú)法在十二個(gè)月內實(shí)現3nm良率突破60%，并穩定4nm工藝表現，其代工市場(chǎng)份額或將跌破10%。

除技術(shù)因素外，美國出口管制政策也是AMD調整供應鏈的關(guān)鍵動(dòng)因，迫使其尋求 “本土化” （onshoring）解決方案，臺積電亞利桑那工廠(chǎng)的4nm產(chǎn)能符合美國《芯片與科學(xué)法案》要求，可規避潛在的出口風(fēng)險。美國的《芯片與科學(xué)法案》迫使三星關(guān)閉30%的先進(jìn)制程產(chǎn)線(xiàn)，直接導致2024年半導體業(yè)務(wù)利潤暴跌52%。

三星更深層的危機在于技術(shù)路線(xiàn)的戰略失誤，近年研發(fā)投入增速放緩，過(guò)度押注內存芯片的“暴利時(shí)代”，卻忽視了AI時(shí)代對異構計算、先進(jìn)封裝等技術(shù)的需求，陷入“技術(shù)突破滯后-客戶(hù)流失-研發(fā)投入受限”的惡性循環(huán)。當臺積電3nm工藝良率突破80%時(shí)，三星的4nm產(chǎn)線(xiàn)良率仍在60%徘徊，這種技術(shù)代差使三星在價(jià)值5000億美元的全球AI芯片市場(chǎng)中逐漸邊緣化。而三星引以為傲的垂直整合模式，在柔性供應鏈時(shí)代顯露疲態(tài)，凸顯出決策鏈條冗長(cháng)的軟肋。李在镕試圖以「技術(shù)優(yōu)先」破局，提出“第一是技術(shù)，第二是技術(shù)，第三是技術(shù)”的口號，并計劃重組研發(fā)體系。

期待高通“回歸”

目前三星正在積極將資源投入2nm制程的研發(fā)，最新的消息顯示，三星和高通展開(kāi)協(xié)商將部分第二代驍龍8 Elite芯片交由三星2nm工藝代工，可能率先搭載在2026年下半年推出的Galaxy Z Fold8和Galaxy Z Flip8兩款折疊旗艦手機中。三星計劃今年第二季度完成設計工作，明年第一季度開(kāi)始投片，在其尖端工廠(chǎng)華城S3生產(chǎn)，月產(chǎn)量預計為1000片，僅占2nm總產(chǎn)能（月7000片）的15%，因此被認為并非大規模訂單。

這是時(shí)隔三年，三星再次為高通生產(chǎn)手機芯片，此前曾在2020年和2022年分別以5nm和4nm制程為高通生產(chǎn)應用處理器，2022年下半年后，高通將4nm以下尖端芯片生產(chǎn)全數交由臺積電。韓媒認為此次高通“回歸”被視為三星的寶貴機會(huì )，雖然訂單量不足以直接扭轉虧損，但它打破了臺積電對高通旗艦芯片的壟斷，業(yè)內人士指出，這或是高通為制衡臺積電漲價(jià)采取的「戰略備胎」方案。

雙方還合作開(kāi)發(fā)了基于4nm工藝的擴展現實(shí)（XR）專(zhuān)用芯片，將用于三星移動(dòng)體驗（MX）部門(mén)下半年推出的代號“Moohan”的混合現實(shí)設備。對三星而言，拿下高通訂單只是開(kāi)始，如何將2nm良率提升至可商用水平，才是真正考驗。

此外，傳聞三星明年將重新推出自研的旗艦處理器Exynos 2600，由于良率偏低導致可供出貨的芯片數量不足，Galaxy S26系列中僅歐洲版機型采用，而高通新一代驍龍旗艦芯片將比Exynos 2600性能優(yōu)勢更高。推測三星選擇部分Galaxy S26系列機型選擇搭載Exynos 2600主要是為了壓低日益上升的芯片采購成本壓力，而非追求性能競爭力。

2025年第一季財報顯示，三星重申目標是下半年穩定2nm GAA制程的良率，并進(jìn)行量產(chǎn)。目前Exynos 2600在2nm制程上的試產(chǎn)良率約30%，雖然偏低，但數字相較3nm時(shí)有明顯進(jìn)步，若三星良率提升至60%，有望達到全面量產(chǎn)標準，為Exynos 2600正式商用鋪路。

三星曾是全球首個(gè)量產(chǎn)3nm GAA（全環(huán)繞柵極晶體管）工藝的廠(chǎng)商，試圖以技術(shù)革新?lián)屨际袌?chǎng)。GAA工藝相比傳統FinFET在性能、功耗和面積（PPA）上具有理論優(yōu)勢，其第二代3nm GAA可降低50%功耗并提升30%性能。然而，這一激進(jìn)的技術(shù)路線(xiàn)卻成為雙刃劍。由于GAA工藝復雜，三星3nm良率長(cháng)期在20%-50%間徘徊，遠低于大規模生產(chǎn)所需的60%門(mén)檻，導致高通、英偉達等大客戶(hù)轉向臺積電的FinFET改良版3nm工藝。

為集中資源，今年三星宣布取消原定2027年量產(chǎn)的1.4nm工藝（SF1.4），轉向優(yōu)化2nm節點(diǎn)。臺積電憑借技術(shù)穩定性和成熟生態(tài)，2025年代工市占率高達67.1%，而三星則從2021年的13.5%暴跌至8.2%。這一差距在先進(jìn)制程領(lǐng)域更為顯著(zhù)，當下臺積電3nm獨占蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等訂單，2nm試產(chǎn)即獲英特爾、英偉達等巨頭預定；而三星3nm僅剩少量邊緣客戶(hù)，2nm訂單依賴(lài)日本企業(yè)“救場(chǎng)”。

HBM市場(chǎng)也很重要

AMD的戰略調整折射出全球半導體產(chǎn)業(yè)的深層變革。以技術(shù)路線(xiàn)分化為例，臺積電通過(guò)N4P、N3E等工藝構建技術(shù)護城河，而三星試圖通過(guò)HBM4與3nm GAA實(shí)現差異化競爭。但是在高帶寬內存（HBM）領(lǐng)域，三星因技術(shù)缺陷遲遲未通過(guò)英偉達認證，導致其HBM3E產(chǎn)品交付比SK海力士落后至少半年。

據韓國媒體ZDNet Korea報導，三星在2月份左右開(kāi)始全面量產(chǎn)HBM3E 12Hi（12層堆疊，單堆棧36GB容量），但至今仍未通過(guò)英偉達供應資格測試，可以說(shuō)該決策存在積累大量庫存的風(fēng)險。三星此舉是考慮到HBM3內存從DRAM制造到封裝的整個(gè)流程需要5~6個(gè)月的時(shí)間， 即使能在今年6~7月獲得最大潛在客戶(hù)英偉達的供貨許可，那按一般流程實(shí)際出貨也要等到今年末。按照英偉達的快速產(chǎn)品迭代節奏，屆時(shí)已有部分需求向HBM4轉移。

在三星看來(lái)，其業(yè)績(jì)要想恢復增長(cháng)，就必須要在HBM市場(chǎng)獲得突破。消息人士表示，三星對其增強型HBM3E 12Hi的性能和穩定性充滿(mǎn)信心，認為可順利通過(guò)英偉達的認證流程。提前量產(chǎn)的節奏意味著(zhù)可實(shí)現“批準即供應”，這將有助于三星實(shí)現今年HBM內存供應比特數達去年2倍的目標。