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dram
SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
網(wǎng)絡(luò )與存儲
SK海力士
第六代
10納米級
DDR5 DRAM
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2024-08-29
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%,預期第三季合約價(jià)將上調
網(wǎng)絡(luò )與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢(xún)
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2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
EDA/PCB
imec
High-NA
EUV
DRAM
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2024-08-13
外媒:三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
手機與無(wú)線(xiàn)通信
三星
手機芯片
LPDDR5X DRAM
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2024-08-07
HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
網(wǎng)絡(luò )與存儲
HBM
DRAM
美光
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2024-07-18
圓滿(mǎn)收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng )新實(shí)力
網(wǎng)絡(luò )與存儲
紫光國芯
慕尼黑電子展
DRAM
SeDRAM
CXL
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2024-07-11
內存制造技術(shù)再創(chuàng )新,大廠(chǎng)新招數呼之欲出
網(wǎng)絡(luò )與存儲
HBM
3D DRAM
|
2024-07-08
服務(wù)器支撐下半年需求,預估DRAM價(jià)格第三季漲幅達8-13%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
服務(wù)器
DRAM
TrendForce
|
2024-06-27
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
SK海力士
3D DRAM
|
2024-06-26
云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展,帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
云端
CSPs
邊緣AI
DRAM
TrendForce
|
2024-06-26
HBM供應吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲
網(wǎng)絡(luò )與存儲
HBM
DRAM
美光
|
2024-06-25
美光后里廠(chǎng)火災 公司聲明營(yíng)運未受任何影響
網(wǎng)絡(luò )與存儲
美光
DRAM
|
2024-06-21
通用 DRAM 內存仍供大于求,消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
DRAM
閃存
三星
海力士
|
2024-06-19
合約價(jià)勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營(yíng)收季增
網(wǎng)絡(luò )與存儲
存儲器
DRAM
TrendForce
|
2024-06-17
合約價(jià)上漲抵消淡季效應,推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
淡季效應
DRAM
TrendForce
集邦咨詢(xún)
|
2024-06-13
南亞科技:首款 1C nm 制程 DRAM 內存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
網(wǎng)絡(luò )與存儲
南亞科技
內存
DRAM
|
2024-05-30
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠(chǎng)
網(wǎng)絡(luò )與存儲
美光
DRAM
日本
EUV
|
2024-05-29
HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求
網(wǎng)絡(luò )與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-05-21
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
三星
SK海力士
內存
DRAM
HBM
|
2024-05-16
SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內存
網(wǎng)絡(luò )與存儲
海力士
三星
DRAM
|
2024-05-14
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
DRAM
NAND Flash
TrendForce
|
2024-05-07
2025年HBM價(jià)格調漲約5~10%,占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成
網(wǎng)絡(luò )與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-05-06
SK海力士計劃在清州M15X工廠(chǎng)新建DRAM生產(chǎn)基地
網(wǎng)絡(luò )與存儲
SK海力士
AI
DRAM
|
2024-04-25
存儲大廠(chǎng)技術(shù)之爭愈演愈烈
網(wǎng)絡(luò )與存儲
存儲器
DRAM
TrendForce
|
2024-04-15
美光:預計臺灣地區地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個(gè)位數百分比影響
網(wǎng)絡(luò )與存儲
DRAM
閃存
美光
|
2024-04-12
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
網(wǎng)絡(luò )與存儲
3D DRAM
|
2024-04-12
加注西安工廠(chǎng) 美光期待引領(lǐng)創(chuàng )芯長(cháng)安
網(wǎng)絡(luò )與存儲
美光
DRAM
|
2024-04-03
三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn),稱(chēng)現有 TC-NCF 方案效果良好
EDA/PCB
三星
MR-RUF
DRAM
HBM
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2024-03-14
又一存儲大廠(chǎng)DRAM考慮采用MUF技術(shù)
網(wǎng)絡(luò )與存儲
存儲
DRAM
MUF技術(shù)
|
2024-03-04
三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,滿(mǎn)足人工智能時(shí)代的更高要求
網(wǎng)絡(luò )與存儲
三星
HBM3E
DRAM
人工智能
|
2024-02-27
千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰悄然開(kāi)局
網(wǎng)絡(luò )與存儲
3D DRAM
存儲
|
2024-02-19
美光內存與存儲是實(shí)現數字孿生的理想之選
網(wǎng)絡(luò )與存儲
數字孿生
DRAM
機器學(xué)習
|
2024-02-06
三星新設內存研發(fā)機構:建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢
三星
內存
DRAM
芯片
美光
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2024-01-30
存儲器廠(chǎng)憂(yōu)DRAM漲勢受阻
網(wǎng)絡(luò )與存儲
存儲器
DRAM
TrendForce
|
2024-01-17
漲勢延續,預估2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅13~18%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
存儲廠(chǎng)商
DRAM
TrendForce
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2024-01-08
SSD九個(gè)季度以來(lái)首次上漲 廠(chǎng)商們要持續漲價(jià):漲幅55%只是開(kāi)始
網(wǎng)絡(luò )與存儲
SSD
漲價(jià)
DRAM
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2024-01-02
全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)
汽車(chē)電子
汽車(chē)電子
半導體
ADAS
碳化硅
DRAM
MCU
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2023-12-25
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
存儲
DRAM
NAND Flash
|
2023-12-21
集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(cháng) 18-23%
網(wǎng)絡(luò )與存儲
存儲
DRAM
NAND Flash
|
2023-12-20
DRAM掀起新一輪熱潮,封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
網(wǎng)絡(luò )與存儲
DRAM
封裝技術(shù)
HBM
|
2023-12-11
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