SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。

SK海力士強調：“隨著(zhù)10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開(kāi)始供應產(chǎn)品，引領(lǐng)半導體存儲器市場(chǎng)發(fā)展?！?/p>

公司以1b DRAM平臺擴展的方式開(kāi)發(fā)了1c工藝。SK海力士技術(shù)團隊認為，由此不僅可以減少工藝高度化過(guò)程中可能發(fā)生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業(yè)界內以最高性能DRAM受到認可的SK海力士1b工藝優(yōu)勢轉移到1c工藝。

而且，SK海力士在部分EUV工藝中開(kāi)發(fā)并適用了新材料，也在整個(gè)工藝中針對EUV適用工藝進(jìn)行了優(yōu)化，由此確保了成本競爭力。與此同時(shí)，在1c工藝上也進(jìn)行了設計技術(shù)革新，與前一代1b工藝相比，其生產(chǎn)率提高了30%以上。

此次1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數據中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著(zhù)AI時(shí)代的到來(lái)，數據中心的耗電量在繼續增加，如果運營(yíng)云服務(wù)的全球客戶(hù)將SK海力士1c DRAM采用到數據中心，公司預測其電費最高能減少30%。 

SK海力士DRAM開(kāi)發(fā)擔當副社長(cháng)金鍾煥表示：“1c工藝技術(shù)兼備著(zhù)最高性能和成本競爭力，公司將其應用于新一代HBM^*、LPDDR6^*、GDDR7^*等最先進(jìn)DRAM主力產(chǎn)品群，由此為客戶(hù)提供差別化的價(jià)值。今后公司也將堅守DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導力，鞏固最受客戶(hù)信賴(lài)的AI用存儲器解決方案企業(yè)的地位?！?/p>

^*HBM（High Bandwidth Memory）: 垂直連接多個(gè)DRAM，與DRAM相比顯著(zhù)提升數據處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）-HBM4E（第七代）的順序開(kāi)發(fā)。 

^*LPDDR（低功耗雙倍數據速率）：是一種用于智能手機和平板電腦等移動(dòng)端產(chǎn)品的DRAM規格，以耗電量最小化為目的，具備低電壓運行特征。規格名稱(chēng)為L(cháng)P(Low Power)，最新規格為L(cháng)PDDR第七代(5X)，按1-2-3-4-4X-5X-6順序開(kāi)發(fā)。

^*GDDR（Graphics DDR，圖形用雙倍數據傳輸率存儲器）：由國際半導體器件標準組織（JEDEC）規定的標準圖形用DRAM規格。專(zhuān)用于圖形處理的規格，該系列產(chǎn)品按照3、5、5X、6、7的順序來(lái)開(kāi)發(fā)而成，系列越新，運行速度越快，能效也越高。該產(chǎn)品作為廣泛應用于圖形和人工智能領(lǐng)域的高性能存儲器而受到關(guān)注。