存儲大廠(chǎng)技術(shù)之爭愈演愈烈
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AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠(chǎng)技術(shù)競爭愈演愈烈。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202404/457639.htm閃存方面，大廠(chǎng)聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另?yè)I(yè)界預測，三星未來(lái)第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結構。
而更遙遠的未來(lái)，三星、鎧俠兩家廠(chǎng)商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年前實(shí)現1000層NAND Flash，鎧俠則計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。
內存方面，存儲大廠(chǎng)瞄準先進(jìn)制程節點(diǎn)以及3D DRAM。
今年3月美光在財報中透露，目前絕大多數DRAM顆粒處于1α與1β先進(jìn)節點(diǎn)，下一代1γ DRAM將引入EUV光刻機，已經(jīng)進(jìn)行了試生產(chǎn)。
三星DRAM芯片工藝處于1b nm級別，近期媒體報道三星計劃在年內啟動(dòng)1c nm DRAM量產(chǎn)，將采用極紫外光（EUV）技術(shù)制造。2025年三星還將進(jìn)入3D DRAM時(shí)代，該公司已經(jīng)對外展示了垂直通道電晶體和堆疊DRAM兩項3D DRAM技術(shù)。
SK海力士同樣也在布局3D DRAM，此前《BusinessKorea》去年報道，SK海力士提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料。據業(yè)界人士表示，IGZO是由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料，IGZO 的最大優(yōu)勢是其低待機功耗，這種特點(diǎn)適合要求長(cháng)續航時(shí)間的DRAM芯晶體管。通過(guò)調節In、Ga、ZnO等三個(gè)成分的組成比，很容易實(shí)現。
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