HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
近期在智慧手機、PC、數據中心服務(wù)器上,用于暫時(shí)儲存數據的DRAM價(jià)格漲勢停歇,買(mǎi)家拉貨不積極,影響DRAM報價(jià)漲勢。
業(yè)者期待,SK海力士、三星及美光前三大廠(chǎng)HBM產(chǎn)能增開(kāi),對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應,加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨,可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢。
據了解,6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右,表現持平,主要是供需雙方對價(jià)格談判,呈現拉鋸狀況。
而另一方面,三星新一代HBM3E,據傳有望通過(guò)輝達(NVIDIA)認證,輝達GB200將于2025年放量,其規格為HBM3E 192/384GB,在AI服務(wù)器需求帶動(dòng)下,預期HBM產(chǎn)出將接近翻倍,2025年HBM于全球DRAM產(chǎn)能占比將超過(guò)10%。
由于三星為DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,市占率高達42%,若其HBM3E通過(guò)輝達認證,產(chǎn)能大幅轉作HBM3E下,恐將使DDR4產(chǎn)能供給大幅減少,三星DDR3亦將于2024年底停產(chǎn)。
法人分析,三星主要以1a nm制程生產(chǎn)HBM3E、GDDR6、LPDDR5/5X、DDR5,并以1z nm生產(chǎn)HBM3、GDDR6、LPDDR5/5X、DDR4/5,后續放量時(shí),1a nm制程生產(chǎn)的產(chǎn)品,將遭受產(chǎn)能排擠,隱含DDR5/LPDDR5系列產(chǎn)品為主要的受惠者。
法人認為,2024年以來(lái),DRAM市場(chǎng)需求和產(chǎn)品漲幅順序,先后排序為HBM、DDR5、DDR4和DDR3。臺廠(chǎng)南亞科、華邦電因主要生產(chǎn)DDR3和DDR4,故DRAM產(chǎn)業(yè)轉為漲價(jià)循環(huán)后,獲利改善幅度不如前三大廠(chǎng)。
但隨HBM排擠效益擴大,以及一般型應用需求回溫,DDR4和DDR3漲價(jià)循環(huán)可望延續,并致使兩廠(chǎng)2025年獲利有望大幅改善。
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