<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>

新聞中心

EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò )與存儲 > 市場(chǎng)分析 > HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

作者: 時(shí)間:2024-07-18 來(lái)源:中時(shí)電子報 收藏

近期在智慧手機、PC、數據中心服務(wù)器上,用于暫時(shí)儲存數據的價(jià)格漲勢停歇,買(mǎi)家拉貨不積極,影響報價(jià)漲勢。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202407/461125.htm

業(yè)者期待,SK海力士、三星及前三大廠(chǎng)產(chǎn)能增開(kāi),對一般型產(chǎn)生的排擠效應,加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨,可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢。

據了解,6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右,表現持平,主要是供需雙方對價(jià)格談判,呈現拉鋸狀況。

而另一方面,三星新一代3E,據傳有望通過(guò)輝達(NVIDIA)認證,輝達GB200將于2025年放量,其規格為3E 192384GB,在AI服務(wù)器需求帶動(dòng)下,預期HBM產(chǎn)出將接近翻倍,2025HBM于全球DRAM產(chǎn)能占比將超過(guò)10%。

由于三星為DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,市占率高達42%,若其HBM3E通過(guò)輝達認證,產(chǎn)能大幅轉作HBM3E下,恐將使DDR4產(chǎn)能供給大幅減少,三星DDR3亦將于2024年底停產(chǎn)。

法人分析,三星主要以1a nm制程生產(chǎn)HBM3E、GDDR6、LPDDR55X、DDR5,并以1z nm生產(chǎn)HBM3、GDDR6、LPDDR55X、DDR45,后續放量時(shí),1a nm制程生產(chǎn)的產(chǎn)品,將遭受產(chǎn)能排擠,隱含DDR5LPDDR5系列產(chǎn)品為主要的受惠者。

法人認為,2024年以來(lái),DRAM市場(chǎng)需求和產(chǎn)品漲幅順序,先后排序為HBM、DDR5、DDR4DDR3。臺廠(chǎng)南亞科、華邦電因主要生產(chǎn)DDR3DDR4,故DRAM產(chǎn)業(yè)轉為漲價(jià)循環(huán)后,獲利改善幅度不如前三大廠(chǎng)。

但隨HBM排擠效益擴大,以及一般型應用需求回溫,DDR4DDR3漲價(jià)循環(huán)可望延續,并致使兩廠(chǎng)2025年獲利有望大幅改善。



關(guān)鍵詞: HBM DRAM 美光

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區

關(guān)閉
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>