HBM供應吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

內存大廠(chǎng)美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開(kāi)始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。

市場(chǎng)分析師預期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠(chǎng)商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。

由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現象，意思是「害怕錯失機會(huì )」，在美光等大廠(chǎng)持續鼓吹下，追漲的可能性上升。

市場(chǎng)分析師預估，2025年和2026年美光每股稅后純益（EPS），有可能達到20美元，其中，HBM將帶來(lái)3美元的直接影響。另外，HBM的供應吃緊情況，可驅動(dòng)DRAM的價(jià)格上漲，進(jìn)一步推升美光營(yíng)收。

美光因HBM受到市場(chǎng)矚目，但根據法人調查，硅穿孔（TSV）為現有HBM3E供貨商的主要瓶頸，市場(chǎng)領(lǐng)導廠(chǎng)商海力士（SK Hynix）的TSV良率約為60％，HBM3E生產(chǎn)的總良率約為50％，對應前一代HBM3時(shí)，SK Hynix的總良率超過(guò)70％。

美光良率相對落后，可能在40％左右，三星TSV良率則較佳，約在60％左右，但三星關(guān)鍵問(wèn)題是散熱，導致認證周期較長(cháng)。

三星已獲得輝達有條件的小批量出貨批準，但散熱問(wèn)題仍在，市場(chǎng)普遍認為，三星獲得輝達認證過(guò)關(guān)只是時(shí)間問(wèn)題，但進(jìn)展似乎比預期要略晚一些。

根據研調機構調查，由于目前8hi HBM3E的良率較低，且2025年將提升至12hi，預計HBM3E供應將保持緊張，即使三星進(jìn)入該市場(chǎng)，但價(jià)格仍呈上漲趨勢（預估2025年上漲5％～10％）。長(cháng)期而言，預計HBM市場(chǎng)規模在2024年至2026年期間的復合年增長(cháng)率將達到95％。