三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱(chēng)現有 TC-NCF 方案效果良好

IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內存。

HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。

MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱(chēng)熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。

隨著(zhù) HBM 中 DRAM 層的增加，DRAM 晶圓也需要隨之變薄，而整體壓力卻會(huì )進(jìn)一步增大，因此晶圓翹曲會(huì )加劇，SK 海力士的 MR-RUF 路線(xiàn)被部分人士認為能更好解決翹曲問(wèn)題。

路透社之前援引分析師的話(huà)說(shuō)，三星的 HBM3 內存芯片良率僅有 10~20%，明顯低于 SK 海力士的 60~70%，因此三星求變，正考慮向日本企業(yè)購買(mǎi) MR-RUF 所用模塑料。

三星電子表示路透社報道不正確，并回應稱(chēng)：“我們正在利用 NCF 方法制定最佳解決方案?！?/p>

業(yè)內人士認為，三星在 NCF 材料的研發(fā)和擴產(chǎn)上進(jìn)行了大規模投資，因此目前在 HBM 上無(wú)法轉向 MR-RUF。據IT之家此前報道，三星將在 3DS RDIMM 上進(jìn)行 MR-RUF 的應用嘗試。