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推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)（EV）數量的增加，對創(chuàng )建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長(cháng)，如此便可更快地為車(chē)輛充電。與先前的電動(dòng)汽車(chē)相比，新型電動(dòng)汽車(chē)具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿(mǎn)足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車(chē)充電至80％，行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術(shù)
- 關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
UnitedSiC與益登科技簽署分銷(xiāo)協(xié)議
- 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產(chǎn)品主要分銷(xiāo)商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng)，為包括電動(dòng)汽車(chē)、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長(cháng)應用領(lǐng)域的客戶(hù)提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場(chǎng)正在迅速崛起，急需采用能夠實(shí)現新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
- 關(guān)鍵字： SiC 電動(dòng)汽車(chē)
安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽(yáng)能光伏逆變器
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽(yáng)能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現太陽(yáng)能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
- 關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶生態(tài)系統：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無(wú)二的生態(tài)系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實(shí)現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M(jìn)行系統級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
臻驅科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室
- 中國新能源汽車(chē)電驅動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臻驅科技”）與全球知名半導體廠(chǎng)商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新片區成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開(kāi)關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著(zhù)降低損耗的半導體，在電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來(lái)，臻驅科技和羅姆就采
- 關(guān)鍵字： MOSEFT SiC
新基建驅動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實(shí)的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪(fǎng)，分享了對工業(yè)市場(chǎng)的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
- 汽車(chē)電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應商,并就電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開(kāi)發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過(guò)使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車(chē)用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車(chē)電池的電能。這將非常有助于延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執行副總裁
- 關(guān)鍵字： SiC 電氣
碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng )新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部,大中華區,開(kāi)關(guān)電源應用,高級市場(chǎng)經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續
- 關(guān)鍵字： SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車(chē)行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES公司”）的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（On Board Charger，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET
安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用
- 近日，推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(cháng)應用，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無(wú)法實(shí)現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
- 關(guān)鍵字： SiC WBG
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰，并推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴展平臺同時(shí)優(yōu)化了功率開(kāi)關(guān)的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）整車(chē)廠(chǎng)和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現更高效、更簡(jiǎn)潔電機驅動(dòng)的電動(dòng)機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴展
- 關(guān)鍵字： SiC IPM
電機的應用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現場(chǎng)應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。 關(guān)鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著(zhù)智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的 普及深化，在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車(chē)載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類(lèi)電機在技術(shù)方面都出現了新的 需求。?在家電領(lǐng)域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規劃路線(xiàn)，然后執 行移動(dòng)以及相應
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來(lái)越多的半導體企業(yè)開(kāi)始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導體市場(chǎng)預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車(chē)
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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