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SiC MOSFET 器件特性知多少？
- 對于高壓開(kāi)關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著(zhù)優(yōu)勢。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場(chǎng)效應器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT WBG
寬帶隙(WBG)半導體: 切實(shí)可靠的節能降耗解決方案
- 減少能源轉換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個(gè)切實(shí)可靠的節能降耗解決方案，可以通過(guò)系統方式減少碳足跡來(lái)減輕技術(shù)對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設計人員開(kāi)發(fā)續航里程更長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成系統。更高的能效可以大幅簡(jiǎn)化冷卻系統設計，更小更輕的電子設備有助于最大限度降低車(chē)自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車(chē)行跑得更遠。意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部(ADG)?Fil
- 關(guān)鍵字： 202207 寬帶隙 WBG 意法半導體
寬帶隙 (WBG) 半導體：切實(shí)可靠的節能降耗解決方案
- 受訪(fǎng)人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 意法半導體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術(shù)改良研發(fā)活動(dòng)取得的新進(jìn)展，是為了更好地滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)廠(chǎng)商在用碳化硅設計的動(dòng)力電機逆變器、車(chē)載充電機和DC-DC轉換器時(shí)的嚴格要求。在高端工業(yè)領(lǐng)域，我們的第三代碳
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 寬帶隙 WBG
碳化硅用于電機驅動(dòng)
- 0? ?引言近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽(yáng)能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間比氮化鎵長(cháng)，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動(dòng)的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
KEMET利用KONNEKT?高密度封裝技術(shù)擴展KC-LINK?系列
- 全球領(lǐng)先的電子元器件供應商基美電子（“KEMET”），近日繼續通過(guò)使用KONNEKT高密度封裝技術(shù)擴展其廣受歡迎的KC-LINK系列來(lái)增強其電源轉換解決方案，從而滿(mǎn)足業(yè)界對快速開(kāi)關(guān)寬禁帶（WBG）半導體、EV/HEV、LLC諧振轉換器和無(wú)線(xiàn)充電應用不斷增長(cháng)的需求。這項技術(shù)將KC-LINK堅固耐用的專(zhuān)有C0G賤金屬電極（BME）電介質(zhì)系統與KONNEKT的創(chuàng )新型瞬態(tài)液相燒結（TLPS）材料相結合，創(chuàng )建了一種表面貼裝多芯片解決方案，其非常適合高密度封裝和高效率的應用使用，所產(chǎn)生的電容高達單個(gè)多層陶瓷電容器的四
- 關(guān)鍵字： WBG BME TLPS
安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用
- 近日，推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(cháng)應用，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無(wú)法實(shí)現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
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SiC器件和封裝技術(shù)現狀
- 眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導通電阻 (RdsA)，同時(shí)同步降低電容以實(shí)現快速開(kāi)關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶(hù)更好地利用寬帶隙快速開(kāi)關(guān)性能?？捎玫臉藴誓K越來(lái)越多，而且有越來(lái)越多的新先進(jìn)技術(shù)通過(guò)實(shí)現快速開(kāi)關(guān)、降低熱阻與提高可靠性來(lái)提高產(chǎn)品價(jià)值。器件技術(shù)SiC 肖特基二極管銷(xiāo)售額占了 SiC 銷(xiāo)售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級。650V 二極管用于計
- 關(guān)鍵字： WBG RdsA
安森美半導體將在EV China 2019展示電動(dòng)汽車(chē)和助推邁向自動(dòng)駕駛的技術(shù)
- 汽車(chē)領(lǐng)域正迅速邁向采用純電動(dòng)汽車(chē)(EV)，并采用將最終實(shí)現全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的精密ADAS。安森美半導體在這一領(lǐng)域處于技術(shù)前沿，持續開(kāi)發(fā)和推出器件及集成的系統方案，以使強固、可靠并完全符合最新汽車(chē)標準的高性能電子成分遍及整個(gè)車(chē)輛。
- 關(guān)鍵字： 安森美半導體 自動(dòng)駕駛 WBG
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