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Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級。新品件經(jīng)過(guò)設定后可支持不同的門(mén)極驅動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動(dòng)器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結溫下提供8
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們在未來(lái)的大功率、高溫、高壓應用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統的硅器件無(wú)法實(shí)現的作用。特別是在未來(lái)三大新興應用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì )有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室。北汽新能源執行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū)，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?！ ≡撀?lián)合實(shí)驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車(chē)領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)?！ 〗陙?lái)，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
- 關(guān)鍵字： 北汽新能源 羅姆半導體 SiC
使用SiC技術(shù)攻克汽車(chē)挑戰
- 摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應對汽車(chē)電子技術(shù)挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實(shí)現具有重大經(jīng)濟和社會(huì )影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個(gè)項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開(kāi)為期36個(gè)月的開(kāi)發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車(chē)相關(guān)的內容，重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
- 關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶(hù)外發(fā)電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數據) 近年來(lái)，由于SiC產(chǎn)品的節能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車(chē)和工業(yè)設備等領(lǐng)域的應用日益廣泛。隨著(zhù)各種應用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
“2018 ROHM科技展”：走進(jìn)智能“芯”生活！
- 全球知名半導體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時(shí)，將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，展示羅姆在汽車(chē)電子和工業(yè)設備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案，以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點(diǎn)。同時(shí)，將圍繞汽車(chē)電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅動(dòng)、DC/DC轉換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍碧石半導體的先進(jìn)技術(shù)等主題，由羅姆的工程師帶來(lái)六場(chǎng)技術(shù)專(zhuān)題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現場(chǎng)，與羅姆的技術(shù)專(zhuān)家進(jìn)行面對面的交流和切磋
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng )新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會(huì )展中心成功舉行?！ ”緦酶叻逭搲偷谌雽w產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟達成戰略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來(lái)自中國、歐洲及其他國家的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍，給現場(chǎng)觀(guān)眾帶來(lái)了一場(chǎng)第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！ ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰，以及面向未來(lái)的戰略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
SiC和GaN系統設計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現，正推動(dòng)著(zhù)功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉換系統的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn)，而這在幾年前是不可想象的?！ ≡诂F實(shí)世界中，沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現，既能實(shí)現低開(kāi)關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開(kāi)關(guān)頻率，使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢(mèng)，但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?！ ”热缫幻O計工程師正在開(kāi)發(fā)功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動(dòng)控制器，或者正在設
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰略合作協(xié)議， 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應用
- 高溫與長(cháng)壽命半導體解決方案領(lǐng)先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展研發(fā)項目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車(chē)領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用?！ ISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來(lái)自比利時(shí)，是高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者，專(zhuān)為極端溫
- 關(guān)鍵字： CISSOID SiC
基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）
- 碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實(shí)現產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能，基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧?！ iC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過(guò)程中沒(méi)有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個(gè)數量級。更重
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 SiC
羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業(yè)博覽會(huì )”
- 全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會(huì )展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業(yè)博覽會(huì )上首次亮相。在為期5天的展會(huì )上，羅姆展出了節能高效的SiC功率元器件以及“機器健康檢測”為主的工業(yè)設備解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足交流?！ ×_姆展臺掠影(展位號：6.1H A245) 近年來(lái)，羅姆向工業(yè)市場(chǎng)不斷進(jìn)取，凝聚在消費電子設備和汽車(chē)相關(guān)領(lǐng)域培育的技術(shù)，致力于節能、安全、舒適、小型化的革新性產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并通過(guò)高品質(zhì)、穩定供應的安心生產(chǎn)體制，持續不斷為工業(yè)設備發(fā)展做貢獻。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC 功率元器件
SiC功率半導體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能
- 隨著(zhù)提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現已變得更具性?xún)r(jià)比。此外，隨著(zhù)市場(chǎng)的增長(cháng)，由于規模經(jīng)濟的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來(lái)越具有吸引力?！ 」β拾雽w(如二極管和MOSFET)可以通過(guò)幾種機制顯著(zhù)節省能源。與傳統的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現短得多的反向恢復時(shí)間，從而實(shí)現更快的開(kāi)關(guān)。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。就其本身
- 關(guān)鍵字： X-FAB SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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