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一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著(zhù)提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
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低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性
- 眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料，因其高擊穿場(chǎng)強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開(kāi)關(guān)器件是SiC MOSFET，與傳統Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應用中實(shí)現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動(dòng)電力電子系統的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場(chǎng)景對應的功率等級2從技術(shù)上講，
- 關(guān)鍵字： 低導通電阻 SiC 大電流 高功率
SiC 功率器件中的溝槽結構測量
- 汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實(shí)現這一點(diǎn)。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來(lái)了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來(lái)說(shuō)，準確測量外延層生長(cháng)和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時(shí)。今天我們分享一下來(lái)自Onto Innovation 應用開(kāi)發(fā)總監Nick Keller的文章，來(lái)重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
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設計基于SiC的電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電機
- 電動(dòng)汽車(chē)（EV）直流快速充電機繞過(guò)安裝在電動(dòng)汽車(chē)上的車(chē)載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機的主要關(guān)注點(diǎn)。在設計此類(lèi)系統時(shí)，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護，以及可靠性。相比傳統硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數據表中的典型V
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解決補能焦慮，安森美SiC方案助力800V車(chē)型加速發(fā)布
- 800V車(chē)型刷屏，高壓SiC車(chē)載應用加速普及。實(shí)際上，近期有越來(lái)越多的國內外車(chē)企開(kāi)始加速800V電壓架構車(chē)型的量產(chǎn)，多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標配SiC車(chē)型上市。2024年，隨著(zhù)車(chē)企卷價(jià)格卷性能戰略推進(jìn)，將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來(lái)800V高壓平臺風(fēng)口◆ 800V架構成為電動(dòng)汽車(chē)主流電動(dòng)化進(jìn)程持續推進(jìn)，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車(chē)主驅方案部門(mén)產(chǎn)品總監Jonathan Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車(chē)駛上道路。但從消費者角度看購買(mǎi)電動(dòng)車(chē)的兩大顧慮是續航里程和充電便利性
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備通過(guò)技術(shù)鑒定
- 6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備獲行業(yè)專(zhuān)家認可，成功通過(guò)技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會(huì )認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(cháng)設備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng )新性強，突破了國內大尺寸晶體生長(cháng)技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權，經(jīng)濟效益顯著(zhù)。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專(zhuān)注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長(cháng)設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備，經(jīng)持續工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
- 關(guān)鍵字： 優(yōu)晶科技 8英寸 SiC 單晶生長(cháng)設備
恩智浦與采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器
- 6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）開(kāi)發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過(guò)利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程、減少充電停車(chē)次數、同時(shí)降低OEM廠(chǎng)商的系統級成本。據了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)電力傳動(dòng)系統的
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室
- ●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車(chē)型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，共同推動(dòng)節能智能化電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌
- 關(guān)鍵字： 吉利汽車(chē) ST SiC 意法半導體
意法半導體與吉利汽車(chē)簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議
- 6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng )新解決方案。據數據顯
- 關(guān)鍵字： ST 吉利汽車(chē) SiC
吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉型；成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，推動(dòng)雙方創(chuàng )新合作
- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、
- 關(guān)鍵字： SiC ADAS 新能源汽車(chē)
構建新型能源體系，充電樁市場(chǎng)將迎來(lái)高增長(cháng)
- 能源是人類(lèi)生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎，能源轉型則是當今國際社會(huì )關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題，隨著(zhù)全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂(yōu)，新能源市場(chǎng)的需求正在快速增長(cháng)?！ ‘斍叭蚱?chē)產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn)，在新能源革命浪潮下，新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成為各國重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著(zhù)新能源汽車(chē)技術(shù)的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來(lái)，我國已建成世界上數量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類(lèi)型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測算，中國2023年增量市場(chǎng)的純電動(dòng)車(chē)的車(chē)樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國家數倍
- 關(guān)鍵字： 充電樁 新能源汽車(chē) SIC
如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！
- 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 市場(chǎng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實(shí)上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會(huì )供不應求。而隨著(zhù) SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來(lái) SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動(dòng)汽車(chē)的功率密度
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案
- 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅動(dòng) 電力電子
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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