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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類(lèi)似。這要歸功于英飛凌已獲得專(zhuān)利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 肖特基二極管 SiC
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
SiC二極管逆變器投入應用，讓燃料電池車(chē)更輕
- 日產(chǎn)汽車(chē)開(kāi)發(fā)出了采用SiC二極管的汽車(chē)逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車(chē)“X-TRAIL FCV”上，并開(kāi)始行駛實(shí)驗。通過(guò)把二極管材料由原來(lái)的Si變更為SiC，今后有望實(shí)現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動(dòng)汽車(chē)而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。 SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導通電阻小，因此可
- 關(guān)鍵字： 二極管 SiC 汽車(chē) 逆變器 日產(chǎn)
探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案
- 人體信息監控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監控設備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現家庭監護。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統體積以及將低功耗處理技術(shù)、無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來(lái)，在已有系統上增加一個(gè)帶太陽(yáng)能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。
- 關(guān)鍵字： SiC EEG 生物電信號采集 IMEC
車(chē)載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化
- 豐田汽車(chē)在“ICSCRM 2007”展會(huì )第一天的主題演講中，談到了對應用于車(chē)載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車(chē)等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化。 在汽車(chē)領(lǐng)域的應用是許多SiC半導體廠(chǎng)商瞄準的目標，但多數看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產(chǎn)業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車(chē)上配備的障礙更大。該公司雖然沒(méi)有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 豐田 SiC 半導體 汽車(chē)電子
京大等三家開(kāi)發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)
- 京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產(chǎn)型SiC（碳化硅）外延膜生長(cháng)試制裝置”，確立對SiC晶圓進(jìn)行大批量統一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數等特征的功率半導體朝著(zhù)實(shí)用化邁出了一大步。目前，三家已經(jīng)開(kāi)始使用該裝置進(jìn)行功率半導體的試制，面向混合動(dòng)力車(chē)的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠(chǎng)商供應工程樣品，并獲得了好評”。 此次開(kāi)發(fā)的是SiC外延生長(cháng)薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 消費電子 京大 SiC 外延膜 消費電子
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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