國際領(lǐng)先！新一代SIC晶體生長(cháng)用材料

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：隨著(zhù)導電型SIC襯底的逐漸量產(chǎn)，對工藝的穩定性、可重復性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內熱場(chǎng)微小的調整或漂移，都會(huì )帶來(lái)晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長(cháng)快、長(cháng)厚、長(cháng)大”的挑戰，除了理論和工程的提高外，還需要更先進(jìn)的熱場(chǎng)材料作為支撐。使用先進(jìn)材料，長(cháng)先進(jìn)晶體。

熱場(chǎng)中坩堝的材料，石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當，會(huì )帶來(lái)碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應用場(chǎng)合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開(kāi)孔來(lái)增加透氣率。透氣率大的多孔石墨，面臨加工、掉粉、蝕刻等挑戰。

恒普科技推出全新一代SIC晶體生長(cháng)熱場(chǎng)材料，多孔碳化鉭。全球首發(fā)！碳化鉭的強度和硬度都很高，做成多孔狀，更是挑戰。做成孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰。恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化鉭，孔隙率最大可以做到75%，國際領(lǐng)先。

氣相組元過(guò)濾，調整局部溫度梯度，引導物質(zhì)流方向，控制泄漏等都可以使用。

可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。

部分構件可以重復使用。

恒普科技推出全新一代SIC晶體生長(cháng)熱場(chǎng)材料，多孔碳化鉭。

·孔隙率 ≤75% 國際領(lǐng)先

·形狀：片狀、筒狀 國際領(lǐng)先

·孔隙度均勻

恒普科技 | 零實(shí)驗室

恒普科技 | 零實(shí)驗室，致力于材料的基礎研究和創(chuàng )新方向探索。