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ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)
- 2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時(shí)ROHM將在E4館設有展位(展位號：4100)，向與會(huì )觀(guān)眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來(lái)到現場(chǎng)還將有ROHM的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹，期待您的到來(lái)?！ OHM展位信息 "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會(huì )。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商，&
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
新型激光材料加工專(zhuān)利大幅提升SiC生產(chǎn)率
- 日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱(chēng)為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專(zhuān)利和正在申請專(zhuān)利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著(zhù)提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
- 關(guān)鍵字： SiC
“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線(xiàn)圖？
- 如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實(shí)現對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規劃，在此過(guò)程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著(zhù)巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計算，我國功率半導體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著(zhù)“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 SiC
無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng) 碳化硅功率元件/模組商機涌現
- 有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車(chē)用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。 可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng )造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(chē)(Toyota)在電動(dòng)車(chē)中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。 臺達電技術(shù)長(cháng)暨總
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
Zaptec公司采用意法半導體先進(jìn)的功率技術(shù)，開(kāi)發(fā)出獨具特色的便攜式電動(dòng)汽車(chē)充電器
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng )業(yè)公司Zaptec開(kāi)發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動(dòng)汽車(chē)充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng )新性初創(chuàng )公司。 作為市場(chǎng)首款內置電子變壓器的電動(dòng)汽車(chē)便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動(dòng)汽車(chē)充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC
SiC功率半導體市場(chǎng)將開(kāi)始高速發(fā)展
- SiC功率半導體正進(jìn)入多個(gè)應用領(lǐng)域 當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導體的未來(lái)發(fā)展存在疑慮，它會(huì )有市場(chǎng)嗎?它能夠真正實(shí)現商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會(huì )有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場(chǎng)是真實(shí)存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導體市場(chǎng)(包括二極管和晶體管)規模約為2億美元，到2021年，其市場(chǎng)規模預計將超過(guò)5.5億美元，這期間的復合年均增長(cháng)率預計將達19%。毫無(wú)懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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