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英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴大緊湊型門(mén)級驅動(dòng)產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門(mén)級驅動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！ ∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專(zhuān)為驅動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車(chē)充電站、焊接設備及商用和農用車(chē)等。優(yōu)化的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC-MOSFET
SiC耐壓更高，適合工控和EV
- SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線(xiàn)機器人、逆變器、伺服等。車(chē)輛方面，主要是電動(dòng)車(chē)(EV)，此外還有工廠(chǎng)車(chē)間的搬運車(chē)等特種車(chē)。 相比IGBT，SiC有一些特點(diǎn)，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現出耐高壓的特點(diǎn)。 現在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個(gè)芯片并聯(lián)在一起的。如果一個(gè)芯片40A左右，就需要約七八個(gè)芯片并聯(lián)，面積只有單個(gè)芯片那么大。絕緣層是由氧
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機車(chē)牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車(chē)等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來(lái)越高?！ |芝是全球第一個(gè)商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠(chǎng)家，率先導入了“門(mén)級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專(zhuān)用商標---“IEGT”?！ |芝電子(中國)公司副董事長(cháng)野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過(guò)使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
- 關(guān)鍵字： IEGT SiC
SiC功率半導體接合部的自我修復現象，有望改善產(chǎn)品壽命
- 大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機構(NEDO)的項目下，發(fā)現了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長(cháng)期可靠性的接合材料自我修復現象。研究人員發(fā)現，在高溫的設備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車(chē)等領(lǐng)域的應用可能性。 此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見(jiàn)的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn)，包
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向
- 節能環(huán)保離不開(kāi)高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門(mén)領(lǐng)域：電力電子器件、汽車(chē)電源、USB Type-C供受電、無(wú)線(xiàn)充電、能量收集、數據中心電源，邀請部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車(chē) 電池 USB Type-C 無(wú)線(xiàn)充電 能量收集 數據中心 201604
ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀(guān)眾駐足
- 全球知名半導體制造商ROHM現身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會(huì )上展出了ROHM所擅長(cháng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò )技術(shù)和小型元器件等品類(lèi)眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門(mén)應用解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足及交流?！ ?nbsp;
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
“助攻”電源設計：900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng )新低！
- 全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應晶體管技術(shù)，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實(shí)現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術(shù)，是開(kāi)關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽(yáng)能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應用等的電源管理解決方案。 世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統功率范圍，
- 關(guān)鍵字： 世強 SiC
Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠(chǎng)加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)
- DIGITIMES Research觀(guān)察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來(lái)功率半導體市場(chǎng)將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動(dòng)車(chē)、油電混合車(chē)、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會(huì )電子展
- 2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會(huì )電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會(huì )上展出了ROHM所擅長(cháng)的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò )技術(shù)和小型元器件等品類(lèi)眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來(lái)的高新領(lǐng)先技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來(lái)場(chǎng)參觀(guān)者的廣泛好評?！ OHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內標準 近年來(lái)，全世
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
試看新能源汽車(chē)的“加油站”如何撬動(dòng)千億級市場(chǎng)？
- 2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個(gè)新能源汽車(chē)圈，沒(méi)錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施建設規劃》。該草案的完成對于汽車(chē)充電設施制造商帶來(lái)說(shuō)堪稱(chēng)一場(chǎng)“及時(shí)雨”。草案提到2020年國內充換電站數量要達到1.2萬(wàn)個(gè)，充電樁達到450萬(wàn)個(gè)，這意味著(zhù)一個(gè)千億級市場(chǎng)將在國內的充電行業(yè)產(chǎn)生。 充電樁通常被譽(yù)為新能源汽車(chē)的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據不同的電壓等級為各種型號的電動(dòng)汽車(chē)充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
- 關(guān)鍵字： Cree SiC
性?xún)r(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著(zhù)其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來(lái)選擇
- 當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時(shí)，都會(huì )不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(cháng)至1.1億美元 由碳化硅電力設備市場(chǎng)驅動(dòng)，n型碳化硅基
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
業(yè)界首款全SiC功率模塊問(wèn)世：開(kāi)關(guān)效率提升10倍
- 集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著(zhù)名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產(chǎn)品。 圖：CAS300M17BM2模塊外觀(guān)圖 世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標準
- 關(guān)鍵字： CREE SiC
性?xún)r(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著(zhù)其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： 世強 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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