EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mos
mos 文章 進(jìn)入mos技術(shù)社區
一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著(zhù)提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
- 關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET
從內部結構到電路應用，這篇文章把MOS管講透了。
- MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應管，是金屬-氧化物-半導體型場(chǎng)效應管，屬于絕緣柵型，本文就結構構造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)詳細描述。其結構示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(cháng)條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個(gè)參數是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據此圖理解n型的，都是反過(guò)來(lái)即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì )導致導通，而p型的相反。解釋3：增強型相對于耗盡型
- 關(guān)鍵字： 模擬電路 MOS
徹底弄清MOS管 （NMOS為例
- 來(lái)自專(zhuān)欄芯片基礎課說(shuō)來(lái)慚愧，大二學(xué)了一遍模電數電，考研專(zhuān)業(yè)課又學(xué)了一遍模電數電，但拿到如下這張mos管結構圖，讓我立馬說(shuō)出：【這是什么型mos管，標準符號襯底的箭頭指向哪里，簡(jiǎn)化符號柵極有沒(méi)有小圓圈，襯底該接高接低，柵極高電平導通還是低電平導通，導通電流方向是什么】的答案，時(shí)不時(shí)還真有點(diǎn)卡殼。這真的不能怪我們，是真的太繞了，比如PMOS管柵極居然是低電平有效，簡(jiǎn)化圖上輸入帶圈，這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關(guān)系徹底理順，開(kāi)始吧！首先，你應該已經(jīng)懂得：硅中參雜電子多的話(huà)，會(huì )在那里寫(xiě)個(gè)N，參雜空穴多
- 關(guān)鍵字： 模擬電路 MOS
MOS 管的死區損耗計算
- MOS 管在逆變電路，開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對出現，習慣上稱(chēng)之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時(shí)導通，就會(huì )導致電源短路，ＭOS 管會(huì )損壞，甚至時(shí)電源損壞，這種損壞是災難行動(dòng)，必須避免．由于MOS 的開(kāi)通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的，為了避免上管和下管同時(shí)導通，造成短路現象，從而引入了死區的概念，也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區E---tDf: 上
- 關(guān)鍵字： MOS 管 逆變電路
超高壓MOS在變頻器上的應用
- 一、變頻器的定義及應用領(lǐng)域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過(guò)改變電機工作電源頻率方式來(lái)控制交流電動(dòng)機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動(dòng)單元、驅動(dòng)單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線(xiàn)、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調整電機的功率，實(shí)現電機的變速運行，達到省電的目的。2、降低電力線(xiàn)路中電壓的波動(dòng)，避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設備的跳閘或者出現異常運行的現象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊，從而有效地減少無(wú)功損耗，增
- 關(guān)鍵字： RS瑞森半導體 MOS 變頻器
高壓MOS/低壓MOS在單相離線(xiàn)式不間斷電源上的應用
- 單相離線(xiàn)式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩或停電時(shí)，市電的回路會(huì )自動(dòng)切斷，電池的直流電會(huì )被轉換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會(huì )介入供電，不過(guò)從直流電轉換的交流電是方波，只限于供電給電容型負載，如電腦和監視器等。一、前言 單相離線(xiàn)式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩或停電時(shí)，市電的回路會(huì )自動(dòng)切斷，電池的直流電會(huì )被轉換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復正
- 關(guān)鍵字： MOS
耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_(kāi)”開(kāi)關(guān)運行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開(kāi) "開(kāi)關(guān)的功率MOSFET，稱(chēng)為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
如何在電源上選擇MOS管
- 在開(kāi)關(guān)電源應用MOS管的時(shí)候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來(lái)對mos管來(lái)驗證。在開(kāi)關(guān)電源應用MOS管的時(shí)候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來(lái)對mos管來(lái)驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
- 關(guān)鍵字： MOS
功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區別？
- 學(xué)習模擬電子技術(shù)基礎，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習構建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區別呢？在構建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習模擬電子技術(shù)基礎，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習構建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區別呢？在構建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱(chēng)應為半導體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 MOS
功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。在介質(zhì)負載的開(kāi)關(guān)運行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區而導致破壞的模式會(huì )引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區域引
- 關(guān)鍵字： MOS
巧用MOS管的體二極管
- 用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時(shí)體二極管是截至狀態(tài)的。用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時(shí)體二極管是截至狀
- 關(guān)鍵字： MOS 二極管
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動(dòng)方案(NCP51820)。 數十年來(lái)，硅來(lái)料一直統治著(zhù)電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現的兩個(gè)化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關(guān)鍵字： NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
放大器設計：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區別
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因為你可以用它來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構建許多有
- 關(guān)鍵字： 放大器 晶體管 MOS BJT
RS瑞森半導體高壓MOS在開(kāi)關(guān)電源中的應用
- 開(kāi)關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開(kāi)關(guān)管，控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩定輸出直流電壓的電源。開(kāi)關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開(kāi)關(guān)管，控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長(cháng)中，開(kāi)關(guān)電源憑借其70%~
- 關(guān)鍵字： 瑞森半導體 MOS 開(kāi)關(guān)電源
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來(lái)說(shuō)，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
[ 查看詳細 ]
mos研討會(huì )推薦
mos電路
mos相關(guān)帖子
mos資料下載
mos專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473