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安森美半導體推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)充電樁市場(chǎng)創(chuàng )新發(fā)展

- 電動(dòng)汽車(chē)(也叫新能源汽車(chē))是指以車(chē)載電源為動(dòng)力,用電機驅動(dòng)車(chē)輪行駛,符合道路交通、安全法規各項要求的車(chē)輛由于對環(huán)境影響相對傳統汽車(chē)較小,它的前景被廣泛看好近年來(lái)在國家環(huán)保政策的激勵下,在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下,電動(dòng)汽車(chē)正日益普及。中國是世界最大的汽車(chē)市場(chǎng),中國新能源汽車(chē)業(yè)近年來(lái)快速發(fā)展令世界矚目。據Goldman Sachs報道,2016年中國電動(dòng)汽車(chē)占全世界電動(dòng)汽車(chē)的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據中國的“一車(chē)一樁”計劃,電動(dòng)汽車(chē)充電樁總數在2020年將達480萬(wàn)個(gè),與現
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如何更加快速地為電動(dòng)汽車(chē)充電

- 推出電動(dòng)汽車(chē)(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車(chē)遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛情況和條件下,電動(dòng)車(chē)輛皆可與基于內燃機的車(chē)輛媲美。
- 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車(chē) SiC 傳輸電力
羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會(huì )”

- 全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會(huì )”,屆時(shí)將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門(mén)、北京、惠州、合肥等全國5大城市,面向青年工程師分享先進(jìn)的電源設計和應用技術(shù)。日前,首站——蘇州站(9月6日)的免費報名通道已開(kāi)啟! 一年一度的“ROHM技術(shù)研討會(huì )”由羅姆主辦,自2014年起至今已成功舉辦了四屆,活動(dòng)足跡遍及全國各地,是羅姆與業(yè)界友人交流互動(dòng)、分享經(jīng)驗的良好平臺。今年,根據各個(gè)城市不同的行業(yè)發(fā)展情況,羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來(lái)精
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SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規模達14億美元

- 市場(chǎng)研究單位Yole Développement(Yole)指出,碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力,包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠(chǎng)商都大力投入。Yole預測到2023年SiC功率半導體市場(chǎng)規模預計將達14億美元,2016年至2023年間的復合成長(cháng)率(CAGR)為28%,2020~2022年CAGR將進(jìn)一步提升至40%?! “▁EV、xEV充電基
- 關(guān)鍵字: SiC PFC
安森美半導體獲UAES頒發(fā)“年度杰出合作供應商獎”
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor),宣布獲聯(lián)合汽車(chē)電子系統有限公司(United Automotive Electronic Systems,簡(jiǎn)稱(chēng)UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應商獎”。安森美半導體是UAES最近的供應商大會(huì )上3家獲獎的半導體供應商之一?! ≡摢?wù)J同安森美半導體寬廣的產(chǎn)品陣容的價(jià)值,這些產(chǎn)品用于UAES領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn)汽車(chē)系統方案。安森美半導體能提供大量關(guān)鍵器件用于從動(dòng)力總成到汽車(chē)功能電子化、從傳統模塊如發(fā)動(dòng)機控制單元(ECU)和點(diǎn)火系統到最新的牽引
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件

- 行業(yè)標準的收緊和政府法規的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如,數據中心正在成倍增長(cháng)以滿(mǎn)足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時(shí))的3%,占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著(zhù)對能源的巨大需求,各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施,以確保所有依賴(lài)能源的產(chǎn)品都需具有最高能效?! ⊥瑫r(shí),我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動(dòng)汽車(chē)正盡量減輕重量和提高能效,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現這一目
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羅姆首次亮相“2018北京國際汽車(chē)制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會(huì )”
- 全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車(chē)制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會(huì )”(展位號:2展館T213)。以“用半導體為汽車(chē)的未來(lái)做貢獻”為理念,帶來(lái)了新能源汽車(chē)、汽車(chē)小型化輕量化、自動(dòng)駕駛、人機交互等相關(guān)領(lǐng)先半導體產(chǎn)品?! ×_姆展臺人頭攢動(dòng) 在 “Formula E國際汽聯(lián)電動(dòng)方程式錦標賽”特別展示區以及“xEV”、“環(huán)保/節能”、“安全/舒適”三大展區內,重點(diǎn)展示了以下產(chǎn)品和技術(shù): ? 先進(jìn)的SiC(碳化硅)技術(shù):助力 “Formula
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德州儀器CTO:TI顛覆性技術(shù)將引領(lǐng)我們快速前進(jìn)

- 當我坐在電動(dòng)汽車(chē)上踩下加速踏板,時(shí)速在3秒之內就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個(gè)過(guò)程。正如我駕車(chē)疾馳在高速公路快車(chē)道上,而新一代技術(shù)將載著(zhù)我們馳騁在大數據公路的快車(chē)道上?! 诚胍幌?,新技術(shù)將影響著(zhù)我們未來(lái)的工作和生活: · 汽車(chē)組裝生產(chǎn)線(xiàn)上將重新配置協(xié)作機器人,由它們來(lái)組裝不同型號的車(chē)輛。這將在降低成本的同時(shí)大大提高生產(chǎn)力,發(fā)揮競爭優(yōu)勢。今天,重置一個(gè)這樣的工廠(chǎng)可能需要幾年的時(shí)間?! ?機器視覺(jué)技術(shù)將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下,駕駛時(shí)也可清晰視物?! ?充電器尺寸將縮小到信
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 SiC
應用角:云電源

- 云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數據的設備的電源的通用術(shù)語(yǔ)。在電信或傳輸應用中,云電源將為基帶單元和遠程無(wú)線(xiàn)電單元供電。用于存儲和處理的服務(wù)器機群還需要大型不間斷電源,以確保在暫時(shí)斷電時(shí)用戶(hù)仍可訪(fǎng)問(wèn)云。每臺服務(wù)器還將需要一個(gè)電源單元(PSU),以及眾多的DC-DC轉換器來(lái)提供負載點(diǎn)電源?! ∮捎谖锫?lián)網(wǎng)顯著(zhù)增加了捕獲某種數據的端點(diǎn)數(2017年付運約20億臺設備,比2015年增長(cháng)54%),因此需要大量的存儲器來(lái)處理和存儲數據。為此,正在構建大型服務(wù)器機群,這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產(chǎn)生熱量,終
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低功耗SiC二極管實(shí)現最高功率密度

- 相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體?! “采腊雽w擴展了其650伏(V) SiC二極管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)/混和動(dòng)力電動(dòng)車(chē)(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類(lèi)應用的PFC和升壓轉換器時(shí),往往面對在更小尺寸實(shí)現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
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工業(yè)設備輔助電源驅動(dòng)用的SiC電源解決方案

- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統,需要柵極驅動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來(lái)使系統正常運行。這類(lèi)產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽(yáng)能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設計簡(jiǎn)單、性?xún)r(jià)比高的電源解決方案?! ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
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我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破
- 6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡(jiǎn)稱(chēng)中國電科二所)生產(chǎn)大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長(cháng)設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長(cháng)?! ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說(shuō):“這100臺SiC單晶生長(cháng)設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了?!薄 iC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛星通訊、高壓
- 關(guān)鍵字: SiC
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破
- 6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡(jiǎn)稱(chēng)中國電科二所)生產(chǎn)大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長(cháng)設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長(cháng)?! ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說(shuō):“這100臺SiC單晶生長(cháng)設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了?!薄 iC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛星通訊、高壓
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安森美半導體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車(chē)應用

- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列,包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴苛的汽車(chē)應用的器件。新的符合AEC-Q101車(chē)規的汽車(chē)級SiC二極管提供現代汽車(chē)應用所需的可靠性和強固性,以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢?! iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒(méi)有反向恢復電流,開(kāi)關(guān)性能與溫度無(wú)關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統尺寸和降低的成本使SiC
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi):一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型,稱(chēng)為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數目;另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構,其中典型的有6H、4H、15R等,統稱(chēng)為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境,并具有極好的抗輻射性能.
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