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因中國價(jià)格戰和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計劃
- 根據 MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報告，電動(dòng)汽車(chē) （EV） 市場(chǎng)增長(cháng)放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導致供應過(guò)剩，導致價(jià)格下跌，據報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動(dòng)汽車(chē)碳化硅功率半導體的計劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠(chǎng)開(kāi)始生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車(chē)的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠(chǎng)的 SiC 團隊。日經(jīng)新聞補充說(shuō)，預計與中國競爭對手的價(jià)格競爭將在中長(cháng)期內加劇，這使得瑞薩電子作為后來(lái)者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應交易面臨風(fēng)險
- 據日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報道，據報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產(chǎn)保護。報告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰略計劃。正如日刊工業(yè)新聞所說(shuō)，瑞薩電子可能會(huì )受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協(xié)議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據美國破產(chǎn)法第 11 章申請破產(chǎn)保護，瑞薩電子可能
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將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中
- 功率半導體研究實(shí)驗室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實(shí)驗室表示，這項技術(shù)可以提高效率，同時(shí)減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無(wú)磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動(dòng)汽車(chē)中部署的基于磁芯的電流傳
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調節器等工業(yè)設備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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東芝在SiC專(zhuān)利申請中挑戰泰科天潤
- 中國功率芯片開(kāi)發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專(zhuān)利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個(gè)新專(zhuān)利族。本季度的專(zhuān)利申請活動(dòng)以東芝在 SiC 功率器件專(zhuān)利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標志，以匹配 Global Power Technology的專(zhuān)利數量。這家中國公司在過(guò)去四個(gè)季度一直是排名靠前的專(zhuān)利申請人，幾乎完全專(zhuān)注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個(gè)
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CHIPS 法案、電動(dòng)汽車(chē)關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現金危機
- 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車(chē)關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車(chē)用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，Wolfspeed近年來(lái)投入數十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車(chē)經(jīng)濟低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續虧損中，現在公司轉向提供AI數據中心電源以促進(jìn)增長(cháng)，不過(guò)該公司正在尋求第11章法規的債權保護?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會(huì )選擇在法庭內或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說(shuō)。據報道，資產(chǎn)管理公
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SiC開(kāi)始加速批量上車(chē)
- 在新能源汽車(chē)技術(shù)的演進(jìn)歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車(chē)的核心系統，開(kāi)啟了新能源汽車(chē)性能提升與技術(shù)創(chuàng )新的新篇章。從高端豪華車(chē)型到大眾普及款，從純電動(dòng)到混合動(dòng)力，SiC 技術(shù)的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實(shí)現批量上車(chē)，重塑新能源汽車(chē)的技術(shù)格局與市場(chǎng)競爭態(tài)勢。碳化硅實(shí)現多價(jià)格區間車(chē)型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車(chē)企在新能源汽車(chē)賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬(wàn)至 150 萬(wàn)元價(jià)格區間的車(chē)型
- 關(guān)鍵字： SiC
SiC襯底市場(chǎng) 去年營(yíng)收減9%
- TrendForce最新研究，2024年汽車(chē)、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長(cháng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競爭加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。進(jìn)入2025年，即便SiC基板市場(chǎng)持續面臨需求疲軟、供給過(guò)剩的雙重壓力，然而，長(cháng)期成長(cháng)趨勢依舊不變，隨著(zhù)成本逐漸下降、半導體元件技術(shù)不斷提升，未來(lái)SiC應用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。 同時(shí)，市場(chǎng)競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應商營(yíng)收
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內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統采用
- 全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲能系統技術(shù)的專(zhuān)業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SMA”）在其太陽(yáng)能系統新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規模太陽(yáng)能發(fā)電設施、儲能系統以及下一代技術(shù)設計的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現更智能、更快速的固態(tài)配電
- Infineon Technologies 開(kāi)發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過(guò)反向偏置 PN 結上的電場(chǎng)來(lái)控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著(zhù)降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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格力家用空調搭載SiC芯片突破100萬(wàn)臺
- 4月22日下午，格力電器召開(kāi)2025年第一次臨時(shí)股東大會(huì )，相比過(guò)往歷次股東大會(huì )都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會(huì )首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠(chǎng)舉行。據悉，該工廠(chǎng)自2024年投產(chǎn)以來(lái)，其碳化硅功率芯片在家用空調中的裝機量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著(zhù)提升空調的能效。搭載SiC芯片后，空調的電能轉換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強，實(shí)現能耗降低，同時(shí)可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強格力空調的市場(chǎng)競爭力。格力該工廠(chǎng)是全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅
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清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
- 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著(zhù)功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數據中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源
- 碳化硅 （SiC） 正在接管電動(dòng)汽車(chē)中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開(kāi)關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動(dòng)機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向 （EC） 冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來(lái)運行 AI 訓練和推理，并在此過(guò)程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來(lái)了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
- 關(guān)鍵字： SiC 數據中心 冷卻風(fēng)扇 高密度電源 安森美
SiC MOSFET如何提高AI數據中心的電源轉換能效
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著(zhù)數據中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營(yíng)成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著(zhù)數據中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長(cháng)一方面是為了降低運營(yíng)成本
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET AI數據中心 電源轉換能效
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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