CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰，并推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。

這個(gè)全新的可擴展平臺同時(shí)優(yōu)化了功率開(kāi)關(guān)的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）整車(chē)廠(chǎng)和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現更高效、更簡(jiǎn)潔電機驅動(dòng)的電動(dòng)機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

該可擴展平臺中的第一款產(chǎn)品是一個(gè)三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，它具有低導通損耗特性，導通電阻為3.25毫歐（mOhm），同時(shí)具有低開(kāi)關(guān)損耗特性，在600V/300A時(shí)導通和關(guān)斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進(jìn)的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過(guò)一個(gè)輕質(zhì)的鋁碳化硅（AlSiC）針翅底板進(jìn)行水冷，結到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達3600V的隔離電壓（經(jīng)過(guò)50Hz、1分鐘的耐壓測試）。

內置的柵極驅動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源（每相1個(gè)），可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環(huán)境溫度下輕松驅動(dòng)頻率高達25KHz的功率模塊。高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt（> 50KV/μs）的抗擾性可實(shí)現功率模塊的快速開(kāi)關(guān)和低開(kāi)關(guān)損耗。還具備欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）、去飽和檢測和軟關(guān)斷（SSD）等保護功能，以確保一旦發(fā)生故障時(shí)可以安全地驅動(dòng)功率模塊并提供可靠的保護。

“開(kāi)發(fā)和優(yōu)化快速開(kāi)關(guān)碳化硅功率模塊并可靠地驅動(dòng)它們仍是一個(gè)挑戰，”CISSOID首席執行官Dave Hutton表示?！斑@款新型碳化硅智能功率模塊是在功率模塊和柵極驅動(dòng)器方面進(jìn)行多年開(kāi)發(fā)的成果，這源于我們和汽車(chē)與交通運輸領(lǐng)域領(lǐng)導者們的密切合作。我們很樂(lè )意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模塊樣品，從而去支持汽車(chē)行業(yè)向高效的電動(dòng)汽車(chē)解決方案過(guò)渡?！?/p>