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ST第三代碳化硅技術(shù)問(wèn)世 瞄準汽車(chē)與工業(yè)市場(chǎng)應用
- 電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說(shuō)明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長(cháng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實(shí)現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現各種節能目標的具體數據，圖中是對全球電力消耗狀況的統計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，
- 關(guān)鍵字： ST 碳化硅 汽車(chē) 工業(yè) SiC
ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈
- 電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長(cháng)，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實(shí)現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，如果能將電力利用效率提升1%，就能節省95.
- 關(guān)鍵字： ST GaN SiC
環(huán)旭電子預計在2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(cháng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導體國際大廠(chǎng)的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶(hù)青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(cháng)160%，成長(cháng)率遠高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(cháng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關(guān)鍵字： 環(huán)旭電子 電動(dòng)車(chē)用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
環(huán)旭電子預計2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器用IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(cháng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導體國際大廠(chǎng)的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶(hù)青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(cháng)160%，成長(cháng)率遠高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(cháng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關(guān)鍵字： 環(huán)旭電子 電動(dòng)車(chē)用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列
- 基礎半導體元器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實(shí)現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
- 關(guān)鍵字： Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導體供應商UnitedSiC公司
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē)（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執行官，現任Qorv
- 關(guān)鍵字： SiC 電源
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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