安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽(yáng)能光伏逆變器

推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于 太陽(yáng)能逆變器應用 的 全SiC功率模塊 ，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。

 NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現太陽(yáng)能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開(kāi)關(guān)特性。

安森美半導體先進(jìn)電源分部高級副總裁Asif Jakwani說(shuō)：“碳化硅技術(shù)有潛力變革能源市場(chǎng)。安森美半導體開(kāi)發(fā)的全SiC集成功率模塊解決了太陽(yáng)能逆變器在提升功率水平下對更高系統能效的需求，并證實(shí)SiC技術(shù)的成熟?！?/p>

臺達光伏逆變器事業(yè)部主管Raymond Lee說(shuō)：“我們專(zhuān)注于提供創(chuàng )新、清潔和節能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實(shí)現最高能效、減小產(chǎn)品體積和重量并滿(mǎn)足全球太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)需求的供應商合作。選用安森美半導體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因為它們提供同類(lèi)最佳的性能，再結合我們在高能效電力電子領(lǐng)域的獨特專(zhuān)知，使我們的產(chǎn)品能實(shí)現高達98.8％的峰值能量轉換能效?！?/p>

作為安森美半導體不斷增長(cháng)的基于 寬禁帶(WBG)技術(shù) 的功率集成模塊(PIM)陣容的一員，NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對逆變器設計進(jìn)行了優(yōu)化。 通過(guò)使用SiC器件，功率模塊提供低導通和開(kāi)關(guān)損耗，從而支持使用更高的開(kāi)關(guān)頻率，有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用，可根據客戶(hù)的喜好，采用無(wú)焊壓合連接和客戶(hù)定義的熱接口選項。

NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個(gè)1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。