臻驅科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室

中國新能源汽車(chē)電驅動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臻驅科技”）與全球知名半導體廠(chǎng)商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新片區成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。

與IGBT^*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開(kāi)關(guān)損耗^*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著(zhù)降低損耗的半導體，在電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。

自2017年合作以來(lái)，臻驅科技和羅姆就采用SiC功率元器件的車(chē)載應用開(kāi)發(fā)，展開(kāi)了深入的技術(shù)交流。此次聯(lián)合實(shí)驗室的成立，旨在利用羅姆的SiC MOSFET^*3裸芯片和隔離型柵極驅動(dòng)器，進(jìn)行車(chē)載功率模塊和逆變器的開(kāi)發(fā)。今后，雙方將進(jìn)一步加速開(kāi)發(fā)以SiC為中心的創(chuàng )新型電源解決方案。

臻驅科技董事長(cháng)兼總經(jīng)理 沈捷博士 表示，“碳化硅功率半導體模塊在新能源汽車(chē)上的應用是接下來(lái)幾年行業(yè)的大勢所趨，加緊匯集全球資源、加快產(chǎn)業(yè)化研發(fā)、加速成熟碳化硅產(chǎn)品商業(yè)化落地將有效保證零部件廠(chǎng)商核心競爭力。臻驅科技自成立以來(lái)便得到羅姆的大力支持，臻驅愿借此次聯(lián)合實(shí)驗室東風(fēng)，深化雙方合作關(guān)系，協(xié)同共進(jìn)?！?/p>

羅姆執行董事 功率元器件事業(yè)本部長(cháng) 伊野和英博士 表示，“羅姆作為碳化硅元器件的領(lǐng)先廠(chǎng)商，提供領(lǐng)先業(yè)界的元器件技術(shù)和驅動(dòng)IC等產(chǎn)品相結合的電源解決方案，且擁有傲人業(yè)績(jì)，并針對xEV推動(dòng)SiC的普及。在SiC功率元器件的技術(shù)開(kāi)發(fā)方面，把握客戶(hù)需求和市場(chǎng)動(dòng)向是非常重要的要素。臻驅科技作為車(chē)載功率模塊和逆變器廠(chǎng)商，在SiC應用研究方面發(fā)揮著(zhù)重要的作用。羅姆希望通過(guò)成立聯(lián)合實(shí)驗室，加強雙方的合作關(guān)系，憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車(chē)技術(shù)革新做出貢獻?！?/p>

臻驅科技董事長(cháng)兼總經(jīng)理 沈捷博士（右）與羅姆半導體（上海）有限公司董事兼總經(jīng)理 久保田進(jìn)矢（左）在揭牌儀式上握手

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）

同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。

*2） 傳導損耗、開(kāi)關(guān)損耗

因元器件結構的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時(shí)會(huì )產(chǎn)生損耗。傳導損耗是電流流過(guò)元器件時(shí)（ON狀態(tài)時(shí)），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開(kāi)關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(shí)（開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)）產(chǎn)生的損耗。

*3) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的縮寫(xiě)）

金屬－氧化物－半導體場(chǎng)效應晶體管，是FET中最常用的結構。用作開(kāi)關(guān)元件。