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rds(on) 文章 進(jìn)入rds(on)技術(shù)社區
如何在有限空間里實(shí)現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
- SiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實(shí)現了功率密度最大化和系統成本最小化。寬帶隙（WBG）半導體開(kāi)關(guān)，如碳化硅共源共柵結構FET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC FET”）和SiC MOSFET的性能與其封裝密切相關(guān)。在純技術(shù)層面，納秒級的開(kāi)關(guān)速度和較低的比導通電阻帶來(lái)非常低的損耗；在相同的芯片
- 關(guān)鍵字： Qorvo RDS
寬禁帶生態(tài)系統：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無(wú)二的生態(tài)系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實(shí)現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M(jìn)行系統級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
英飛凌 650 V CoolSiC? MOSFET 系列為更多應用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其 600V/650V 細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監 Steffen Metzge r表示，“這凸顯了
- 關(guān)鍵字： RDS 柵極驅動(dòng)器
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內公認的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 MOSFET RDS(on)
車(chē)載信息娛樂(lè )系統、車(chē)載多媒體的16個(gè)經(jīng)典設計案例
- 隨電子技術(shù)和智能終端設備的發(fā)展，作為其重要應用之一的汽車(chē)電子正呈現爆炸式的增長(cháng)，其中車(chē)載信息娛樂(lè )系統和車(chē)載多媒體的設計向更注重用戶(hù)體驗的方向邁進(jìn)，這里匯集16款經(jīng)典設計案例和大家分享車(chē)載信息娛樂(lè )系統設計方面的最新技術(shù)動(dòng)向。
- 關(guān)鍵字： 車(chē)載信息娛樂(lè )系統 車(chē)載多媒體 無(wú)線(xiàn)音頻傳送 RDS
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現自動(dòng)的均流達到平衡。同樣對于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì )發(fā)現，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數
恩智浦半導體改善手機的FM RDS接收功能
- 新型 IC具有更高的性能，更小的體積，更低的功耗和成本 恩智浦半導體（NXP Semiconductors，前身為飛利浦半導體），今天推出了一款新型芯片TEA5766。這款芯片可以使手機制造商在新產(chǎn)品中加入具有RDS功能的FM radio。RDS（無(wú)線(xiàn)數據系統）早在90年代初期開(kāi)始就已經(jīng)成為歐洲汽車(chē)收音機的標準功能，它能為用戶(hù)提供包括電臺名稱(chēng)、歌曲信息在內的電臺節目相關(guān)信息，并可設置為自動(dòng)調回交通和新聞節目的狀態(tài)。 TEA5766芯片的尺寸只有它前身TEA5764
- 關(guān)鍵字： FM RDS 恩智浦半導體 接收功能 手機 通訊 網(wǎng)絡(luò ) 無(wú)線(xiàn) 消費電子 消費電子
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