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英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監St
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車(chē)牽引逆變器
- 在本文中，我們將調查電動(dòng)車(chē)牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿(mǎn)負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開(kāi)關(guān)頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線(xiàn)波形和降低電機內的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動(dòng)車(chē)的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時(shí)，降低的損耗還能簡(jiǎn)化冷卻問(wèn)題。簡(jiǎn)介近期的新聞表明，純電動(dòng)車(chē)?(BEV) 的數量增加得比之前的預期要快。這促使汽車(chē)制造商（包括現有制
- 關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器
羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅（SiC）晶圓長(cháng)期供貨事宜達成協(xié)議
- 近日，全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiCrystal”）供應事宜達成長(cháng)期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(cháng)的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商）供應先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執行官（CEO） Jean-Marc Chery 說(shuō)：
- 關(guān)鍵字： SiC 車(chē)載
使用ADuM4136隔離式柵極驅動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉換器驅動(dòng)1200 V SiC電源模塊
- 簡(jiǎn)介電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和儲能系統等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉換器的核心包含專(zhuān)用半導體器件和通過(guò)柵極驅動(dòng)器控制這些新型半導體器件開(kāi)和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動(dòng)器的性能要求，例如，，通過(guò)去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動(dòng)器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅動(dòng)能
- 關(guān)鍵字： DC/DC SiC
CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國芯科技”）簽署了戰略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用。近年來(lái)，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類(lèi)應用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應用中優(yōu)勢顯著(zhù)
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動(dòng)等電路設計。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì )到因成功反而受其害的含義。隨著(zhù)產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導體開(kāi)關(guān)的應用范圍越來(lái)越廣。結果，市場(chǎng)對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠(chǎng)商下大力氣滿(mǎn)足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導體
ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂(lè )園
- 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區域營(yíng)銷(xiāo)和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線(xiàn)寬泛且通用性強，能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠(chǎng)商如何應對工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰工業(yè)領(lǐng)域呈現多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費類(lèi)電子大規模生產(chǎn)的模式，實(shí)現少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰是應用的多樣化，即一個(gè)大應用下面通常有很多小的子應用，所以產(chǎn)品會(huì )非標準化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對某一類(lèi)小應用/小客戶(hù)的需
- 關(guān)鍵字： 電機 MCU 電源 SiC
ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
科銳宣布與德?tīng)柛？萍奸_(kāi)展汽車(chē)SiC器件合作
- 近日，科銳宣布與德?tīng)柛？萍迹―elphi Technologies PLC）開(kāi)展汽車(chē)碳化硅（SiC）器件合作。
- 關(guān)鍵字： 科銳 德?tīng)柛？萍?/a> SiC
SiC: 為何被稱(chēng)為是新一代功率半導體？
- 王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036） SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。據SiC廠(chǎng)商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用?！ 〔贿^(guò)，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
- 關(guān)鍵字： 201909 新一代功率半導體 SiC
SiC將達23億美元規模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠(chǎng)商競爭
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機型?！ OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應車(chē)載充電器用的SiC肖特
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET
安森美半導體將在A(yíng)PEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評估應用廣泛的電源方案，使用戶(hù)能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心?！ trata Developer S
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
集邦咨詢(xún)：需求持續擴張，2019年中國功率半導體市場(chǎng)規模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機構集邦咨詢(xún)在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國功率半導體市場(chǎng)規模大幅成長(cháng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(cháng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規模為717億元人民幣，較2017年同比增長(cháng)8%?！ 〖钭稍?xún)分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(SCT)表現。具體而言，該實(shí)驗的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測量，并借助一個(gè)穩健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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