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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,適用于高成本效益的先進(jìn)電源應用

- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續產(chǎn)品。全新超結MOSFET實(shí)現了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管,適用于服務(wù)器和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源裝置(SMPS)、電動(dòng)汽車(chē)充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應用。這些元件采
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瞻芯電子:第三代SiC MOSFET通過(guò)車(chē)規認證
- 6月23日,瞻芯電子宣布,公司基于第三代工藝平臺開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時(shí),瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),后續將依托浙江義烏的車(chē)規級SiC晶圓廠(chǎng)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司,致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示,第三代1200V 13
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率
- 隨著(zhù)人工智能(AI)處理器對功率的要求日益提高,服務(wù)器電源(PSU)必須在不超出服務(wù)器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末,每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關(guān)特定客戶(hù)需求的出現,促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?,F在,英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術(shù),推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET
- 全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車(chē)功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專(zhuān)為滿(mǎn)足汽車(chē)電子部件的特殊要求而設計,其集成溫度傳感器在工業(yè)應用同類(lèi)產(chǎn)品(CoolMOS? S7T)取得的進(jìn)步基礎上,顯著(zhù)提高了結溫傳感的精度,因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車(chē)領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣,車(chē)規級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器(SSR)應用。它具有出色的RDS(on)?
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一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統電力轉換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中,應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著(zhù)提升系統效率及功率密度,從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車(chē)應用中的導通電阻、設計穩健性和開(kāi)關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車(chē)應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合,在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩健且無(wú)鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來(lái)的48 V汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動(dòng)助力轉向、制動(dòng)系統、新區域架構中的功率開(kāi)關(guān)、電池管理、電子保險絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(chē)(LEV)、電動(dòng)二輪車(chē)、電動(dòng)踏板車(chē)、電動(dòng)摩
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為,那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項,您知道嗎?
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著(zhù)性能提升,本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC,因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數據表中的典型V
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2
- 在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下,電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前,英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
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MOSFET在服務(wù)器電源上的應用
- 服務(wù)器電源主要用在數據中心場(chǎng)景中,主要應用于服務(wù)器、存儲器等設備。它和PC電源一樣,都是一種開(kāi)關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個(gè)規范,使用較為普遍,輸出功率一般在125瓦~350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器。SSI(Server System Infrastructure)規范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規范,SSI規范的推出是為了規范服務(wù)器電源技術(shù),降低開(kāi)發(fā)成本,延長(cháng)服務(wù)器的使用壽命
- 關(guān)鍵字: MOSFET 服務(wù)器電源
MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應管(FET)是利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件,由于緊靠半導體中的多數載流子導電,又稱(chēng)單極型晶體管。場(chǎng)效應管分為結型和絕緣柵兩種,因為絕緣柵型晶體管(MOSFET,下面簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管)的柵源間電阻比結型大得多且比結型場(chǎng)效應管溫度穩定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單,因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類(lèi),每一類(lèi)又分為增強型和耗盡型兩種,只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強型管,只要柵極-源極
- 關(guān)鍵字: MOSFET 參數 米勒效應
功率MOSFET的工作原理
- 功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理(1)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形:(3)開(kāi)關(guān)過(guò)程原理:開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]:-- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止狀態(tài),t0 時(shí),MOSFET 被驅動(dòng)開(kāi)通;-- [t0-t1]區間,MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升,在t1時(shí)刻,到達維持電壓Vth,MOSFET 開(kāi)始導電;-- [t1-t2]區間,MOSFET 的DS 電流增加,Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電,對GS 電容的充電
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅動(dòng)方案
- 第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET,SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域,SiC MOSFET(碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能,SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而,SiC MOSFET的獨特器件特性,也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解,其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
- 關(guān)鍵字: 第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅動(dòng) 電力電子
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布,公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
- 關(guān)鍵字: Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
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金屬-氧化層-半導體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
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