英特爾10nm設計規則初定 EUV技術(shù)恐錯失良機

　　英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節點(diǎn)，此一計劃預計在2013下半年實(shí)現。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。

　　但英特爾微影技術(shù)總監SamSivakumar指出，超紫外光(EUV)微影技術(shù)正面臨缺乏關(guān)鍵里程碑的危機。

　　盡管英特爾在距今4年前便已開(kāi)始計劃10nm節點(diǎn)，但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設計規則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏。“EUV趕不及參與10nm節點(diǎn)設計規則的定義。”Sivakumar說(shuō)。

　　Sivakumar表示，若生產(chǎn)工具順利在2012年下半年交貨，那么，EUV技術(shù)仍然很可能被應用在該公司的10nm節點(diǎn)。但即便如此，EUV技術(shù)的進(jìn)度仍然落后。

　　英特爾正在考慮兩家公司的EUV技術(shù)工具：ASML和Nikon。據報導，ASML公司即將為英特爾推出一款“預生產(chǎn)”的EUV微影工具。ASML公司的這款工具名為NXE:3100，它采用Cymer公司的光源。

　　而Nikon日本總部和研發(fā)組織Selete則已開(kāi)發(fā)了EUValpha工具。今年或明年，ASML和Nikon應該都能推出成熟的EUV工具。

　　盡管如此，對EUV技術(shù)而言，時(shí)間依然緊迫。EUV是下一代微影(next-generationlithography,NGL)技術(shù)，原先預計在 65nm時(shí)導入芯片生產(chǎn)。但該技術(shù)一直被推遲，主要原因是缺乏光源能(powersources)、無(wú)缺陷光罩、阻抗和量測等基礎技術(shù)。

　　先進(jìn)芯片制造商們仍然指望能將EUV技術(shù)用在量產(chǎn)上，以努力避免可怕且昂貴的雙重曝光(doublepatterning)光學(xué)微影技術(shù)。然而，除了朝雙重曝光方向發(fā)展之外，芯片制造商們似乎別無(wú)選擇。專(zhuān)家認為，目前EUV主要瞄準16nm或更先進(jìn)的節點(diǎn)。

　　設計規則的規則

　　英特爾在45nm節點(diǎn)使用干式193nm微影。在32納米則首次使用193nm浸入式生產(chǎn)工具，這部份主要使用Nikon的設備。

　　在22納米，英特爾將繼續使用193nm浸入式微影技術(shù)。這家芯片巨頭將在22nm節點(diǎn)的關(guān)鍵層同時(shí)使用ASML和Nkion的設備，預計2011下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

　　而后在14nm，這家芯片制造商將繼續使用193nm浸入式微影加上雙重曝光技術(shù)，該公司稱(chēng)之為兩次間距曝光(pitchsplitting)。在一些會(huì )議上，英特爾曾提及在14nm節點(diǎn)使用五倍曝光(quintuplepatterning)。該公司希望為14nm節點(diǎn)建立一條EUV試產(chǎn)線(xiàn)，但目前尚不清楚EUV技術(shù)所需的準備時(shí)間。

　　英特爾已經(jīng)確定其14nm節點(diǎn)的設計規則，有時(shí)甚至在產(chǎn)品量產(chǎn)前兩年便制訂完成。“針對14nm的設計規則目前是確定的。”Sivakumar說(shuō)。

　　在65納米及以上制程，英特爾采用2D隨機和復雜的布局設計芯片。但在45nm時(shí)則很難再將2D隨機布局微縮。因此，在推進(jìn)到45nm時(shí)，英特爾便轉移到1D的單向、柵格式(gridded)設計規則，他說(shuō)。