IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。

　　IMEC于2011年3月導入了曝光裝置單機和EUV光源，設置于研究設施內并進(jìn)行了調整和測試?，F在已與東電電子(TEL)的涂布顯影裝置“Lithius Pro”(用于EUV工序)連接。IMEC表示，“吞吐量為ASML公司曝光工藝評測用(Alpha Demo Tool ：ADT)EUV曝光裝置的20倍，計劃在2012年初期實(shí)現100W的光源輸出功率和60張/小時(shí)的吞吐量”。重疊精度方面，根據此次的成果確認了具有達到目標的4nm以下的潛在能力。分辨率在使用偶極照明時(shí)可達到20nm以下，對于IMEC的目標——2013年確立分辨率達到16nm的量產(chǎn)技術(shù)來(lái)說(shuō)，此次成果具有里程碑的意義。