三項半導體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年

　　半導體技術(shù)市場(chǎng)權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。

　　據IC Insights預計，基于450mm技術(shù)的芯片廠(chǎng)需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設--比預期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術(shù)中也不會(huì )應用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會(huì )被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實(shí)用。

　　另外一項較新的半導體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TSVs)也仍然處于萌芽狀態(tài)，IC Insight公司的分析師 Trevor Yancey表示，此前外界似乎過(guò)高估計了這項技術(shù)的成熟度，目前這項技術(shù)要投入實(shí)用，還需要解決很多有關(guān)測試和成本方面的問(wèn)題。

　　這樣的分析結果意味著(zhù)曾被人們寄予厚望的，能用來(lái)延續摩爾定律壽命的三項新技術(shù)：450mm，EUV以及TSVs離投入實(shí)用還有一段時(shí)間。

　　450mm技術(shù)實(shí)用化的后延并不令人感到意外，畢竟轉換到450mm技術(shù)需要大量的資金投入，而且眼下經(jīng)濟危機的陰云還沒(méi)有完全散去。據先前的報道，Intel，臺積電以及三星三家公司將各自在2012年前建成自己的450mm試驗用廠(chǎng)房。這幾家公司都希望能在32nm制程節點(diǎn)上采用450mm晶圓制出展示用樣品，并將在22nm制程節點(diǎn)上采用450mm晶圓進(jìn)行小量試產(chǎn)。不過(guò)也有人認為450mm工廠(chǎng)永遠也不會(huì )投入實(shí)用，他們認為相關(guān)的研發(fā)費用實(shí)在是太高了。

　　在最近舉辦的半導體產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì )上(ISS)，有傳言稱(chēng)芯片廠(chǎng)商已經(jīng)暫時(shí)放棄了建設450mm晶圓廠(chǎng)的計劃，并稱(chēng)有關(guān)的計劃只有在15nm節點(diǎn)制程才有望得以實(shí)施。據業(yè)者猜測，經(jīng)濟危機，缺乏設備制造廠(chǎng)商的有力支持應該是造成計劃拖延的主要因素。

　　EUV技術(shù)方面，由于在光阻膠以及光掩模板等方面仍有技術(shù)難題需要克服，因此投入實(shí)用的日期也將從原先預計的2013年16nm制程節點(diǎn)拖后到2015年左右的13nm制程節點(diǎn)。此前包括Intel和三星在內多家廠(chǎng)商和半導體制造協(xié)會(huì )均表示，由于資金短缺，和EUV光掩模檢具的匱乏，因此EUV光刻技術(shù)的實(shí)施日期將后延一段時(shí)間