MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度

　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開(kāi)競爭提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問(wèn)題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì )存在這些問(wèn)題。不過(guò)電子束“光刻”也有它的問(wèn)題，主要是“光刻”的速度太慢，這對掩膜制作來(lái)講不是一個(gè)大問(wèn)題，但如果要直接在硅片上直接刻蝕圖形，在大生產(chǎn)中就沒(méi)有經(jīng)濟效益，這使得電子束“光刻”的應用目前被局限在光刻掩膜制作等特殊的市場(chǎng)上。