臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)
繼英特爾日前宣布,將投資荷蘭半導體設備大廠(chǎng)ASML,取得其15%股權后,臺積電也于5日正式宣布,將投資8.38億歐元(相當于臺幣308億元)吃下ASML5%的股權,且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當臺幣102億元),來(lái)挹注ASML對18寸晶圓和極紫外光(EUV)微影等先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)。而外資對此也紛紛出具最新報告,指出這很可能意謂臺積電未來(lái)將參與18寸晶圓的規格制定;而臺積電預估將于2016年的10奈米制程,開(kāi)始使用EUV技術(shù)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/135596.htm野村(NOMURA)直接以「半導體大頭們的游戲」(Top semicondutor companies’ game)來(lái)形容臺積電投資ASML的舉動(dòng),指出英特爾、IBM、三星、臺積電、格羅方德(Global Foundries)等半導體大廠(chǎng)已經(jīng)在18寸晶圓形成一個(gè)陣營(yíng)。而此次臺積電宣告將投資ASML的18寸(450 mm)晶圓,顯示其未來(lái)很可能參與18寸晶圓國際規格的制定。而雖然未來(lái)5年IP授權的利益還難以估計,但隨著(zhù)半導體大廠(chǎng)紛紛加碼投資,透過(guò)贊助、參股的方式來(lái)建立技術(shù)障礙,將來(lái)這個(gè)圈子只會(huì )越來(lái)越封閉。
而美林(Merrill Lynch)則進(jìn)一步分析,即使半導體大廠(chǎng)都明白EUV技術(shù)是下一世代先進(jìn)制程所必須,不過(guò)由于需負擔龐大的財務(wù)壓力和風(fēng)險,對進(jìn)軍18寸晶圓態(tài)度都略顯遲疑。而臺積電預估直至16奈米制程都還會(huì )采用雙層或三層的曝光(而非EUV技術(shù)的多重曝光),而若照其20奈米于2014年開(kāi)始放量、16奈米的FinFET制程接棒于2015年漸放量的時(shí)程來(lái)看,估計10奈米將要到2016年才會(huì )有明顯進(jìn)展,而臺積電也將于此時(shí)才會(huì )開(kāi)始使用EUV技術(shù),才較合乎公司評估的經(jīng)濟效益。
而關(guān)于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為,臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現金,估計今年全年,從盈余中可望取得93億美元左右的現金流,且臺積電今年預估會(huì )再募集10億美元左右的公司債,因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出,以及用于A(yíng)SML的投資費用。
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