中國存儲芯片打破韓美日壟斷局面邁出堅實(shí)一步

　　當前全球存儲芯片主要為韓美日三國所占有，中國的三大存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫、福建晉華近期紛紛開(kāi)始安裝機臺預計今年下半年投產(chǎn)存儲芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。

　　存儲芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場(chǎng)份額前五名分別為三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士，市場(chǎng)份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%;在DRAM市場(chǎng)份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場(chǎng)份額分別為45%、28%、21%。

　　由上可見(jiàn)，全球存儲芯片一哥無(wú)疑是三星，其在NAND flash和DRAM市場(chǎng)均占據優(yōu)勢的市場(chǎng)份額，而按國家來(lái)說(shuō)韓國是全球存儲芯片的龍頭，擁有三星和SK海力士?jì)纱蟠鎯π酒髽I(yè)。

　　中國是全球最大制造國，對存儲芯片有巨大需求，中國采購的存儲芯片占全球約兩成比例，近兩年全球存儲芯片價(jià)格持續上漲對中國產(chǎn)生了巨大影響，導致本來(lái)就利潤微薄的行業(yè)飽受其苦，要打破這種局面發(fā)展自己的存儲芯片無(wú)疑是最好的辦法，正是在這種背景下，中國開(kāi)始積極發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè)。

　　長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫、福建晉華擔起了這個(gè)重任，長(cháng)江存儲主要發(fā)展NAND flash，合肥長(cháng)鑫和福建晉華主要發(fā)展DRAM，三家企業(yè)在去年底實(shí)現了廠(chǎng)房封頂，近期開(kāi)始陸續搬入機臺等生產(chǎn)設備，按計劃它們今年下半年將開(kāi)始試產(chǎn)存儲芯片。

　　當然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè)，長(cháng)江存儲當下準備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開(kāi)始大規模投產(chǎn)64層NAND flash，長(cháng)江存儲希望在未來(lái)兩三年實(shí)現64層NAND flash的技術(shù)突破，將技術(shù)差距縮短到兩年內。

　　合肥長(cháng)鑫、福建晉華計劃投產(chǎn)DRAM，韓國三星當下已開(kāi)始采用18nm工藝生產(chǎn)DRAM，并正研發(fā)更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，合肥長(cháng)鑫和福建晉華在投產(chǎn)后預計在工藝方面較這些存儲芯片巨頭還有較大差距，在正式投產(chǎn)后還將面臨著(zhù)良率問(wèn)題等，需要時(shí)間。

　　值得注意的是，北京兆易創(chuàng )新公司在DRAM技術(shù)上取得了突破，其也與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團達成了合作協(xié)議，計劃投資180億元，采用19nm工藝生產(chǎn)存儲芯片，預計今年底前投產(chǎn)，不過(guò)它表示希望今年能實(shí)現產(chǎn)品良率達到10%，這說(shuō)明生產(chǎn)存儲芯片面臨著(zhù)不少的技術(shù)難題，只是良率方面就是一個(gè)相當大的難題。

　　對于中國龐大的制造業(yè)來(lái)說(shuō)，即使中國存儲芯片企業(yè)初期在技術(shù)方面稍為落后，但是這里對低端存儲芯片依然有強烈需求，這為中國存儲芯片企業(yè)提供了生存發(fā)展機會(huì )，它們總有趕上韓美日存儲芯片企業(yè)的一天，中國的許多產(chǎn)業(yè)不就是從低端做起，從無(wú)到有，從有再到強的發(fā)展過(guò)程么?