韓、臺存儲器廠(chǎng)商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期

　　長(cháng)期以來(lái)，我國的NAND閃存芯片和DRAM內存芯片的需求幾乎全部靠進(jìn)口來(lái)解決，市場(chǎng)長(cháng)期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。

　　以全球存儲芯片市場(chǎng)前兩位的三星和SK海力士為例。數據顯示，三星的全球內存市場(chǎng)占有率為46%，閃存市場(chǎng)占有率為39%。SK海力士的全球內存市場(chǎng)占有率為29%，閃存市場(chǎng)占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據了全球75%的內存市場(chǎng)以及閃存市場(chǎng)的半壁江山。如果再加上美光的市場(chǎng)份額，這三家企業(yè)的全球內存市場(chǎng)份額之和達到了95%。

　　毫無(wú)疑問(wèn)，現在存儲市場(chǎng)話(huà)語(yǔ)權仍被這幾家外國企業(yè)控制。但在國家政策支持、大量資金投入后，國內存儲企業(yè)取得了不小的突破。2018年下半年，以NAND閃存為主的長(cháng)江存儲、以DRAM為主合肥長(cháng)鑫和福建晉華都會(huì )開(kāi)始試產(chǎn)，并于2019年開(kāi)始量產(chǎn)，雖然短時(shí)間內尚未形成較大規模，但未來(lái)幾年勢必會(huì )對壟斷的存儲器市場(chǎng)帶來(lái)一定的影響，這幾年的空檔期內將是DRAM市場(chǎng)上最后的紅利期。

　　對于中國大陸企業(yè)的進(jìn)入，韓國、中國臺灣地區等存儲器企業(yè)表現出了自己的擔憂(yōu)，并且已經(jīng)開(kāi)始采取行動(dòng)。在中國企業(yè)競爭力尚未形成規模之前，韓、臺等存儲器廠(chǎng)商已經(jīng)正在大規模的擴產(chǎn)DRAM，以期在最后的紅利期搶占更多的市場(chǎng)，獲得更多的利潤。

　　韓廠(chǎng)商在DRAM上動(dòng)作不斷

　　去年的這個(gè)時(shí)候，正是存儲芯片漲價(jià)漲得最歡的時(shí)候，市場(chǎng)缺貨引發(fā)了價(jià)格的不斷飆升。三星為了鞏固自己在存儲芯片的統治地位，于2017年7月宣布至少投資約186.3億美元用于生產(chǎn)線(xiàn)的建設。

　　當時(shí)這筆資金主要用于平澤市的NAND閃存工廠(chǎng)建設，但隨著(zhù)NAND閃存供應能夠滿(mǎn)足市場(chǎng)需求后，三星已經(jīng)將平澤廠(chǎng)二樓原定興建NAND的產(chǎn)線(xiàn)，部分轉往生產(chǎn)DRAM，而且三星原有的Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)，也已經(jīng)使用起來(lái)。至此，三星在DRAM的產(chǎn)能上已經(jīng)從2017年的390K上升到了500K的水平。

　　而近日，三星(中國)半導體存儲芯片二期項目也于西安正式開(kāi)工了，這是繼2012年第一期100億美元投資之后，三星再一次重注壓在中國。

　　長(cháng)期排名第二的SK海力士最近有被美光趕超的趨勢，但絲毫不影響SK海力士著(zhù)手DRAM產(chǎn)業(yè)的布局。

　　和三星一樣，從2017年開(kāi)始，SK海力士就將M14工廠(chǎng)二樓的部分NAND閃存芯片產(chǎn)線(xiàn)轉換為生產(chǎn)DRAM，目前轉換還在進(jìn)行當中，若搭配擴增的后段制程產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)能將會(huì )進(jìn)一步提升。

　　2017年年底，SK海力士在重慶的工廠(chǎng)追加投資，增設后段制程產(chǎn)線(xiàn)。

　　近期在韓國將利川廠(chǎng)區內的舊 LCD 產(chǎn)線(xiàn)轉換為半導體封裝及測試用途，同時(shí)也會(huì )將現有的部分后段制程產(chǎn)線(xiàn)移轉至此，并添購機臺設備進(jìn)行擴產(chǎn)。

　　除了這些，SK海力士還在中國無(wú)錫工廠(chǎng)投資36億美元建設新的內存工廠(chǎng)，看來(lái)這是要將產(chǎn)能擴張到最大。

　　韓國廠(chǎng)商這些對DRAM擴產(chǎn)的動(dòng)作，除了是解決市場(chǎng)供給吃緊的現狀，更有壓低內存價(jià)格上漲的意思。不得不說(shuō)這些韓廠(chǎng)的心機較重，在中國競爭者即將進(jìn)入之際，通過(guò)壓低DRAM或是NAND的價(jià)格，可以提高進(jìn)入的門(mén)檻，讓競爭對手的壓力驟增、虧損擴大，進(jìn)而達到減緩競爭對手發(fā)展速度的目的。

　　臺灣地區上演資本支出大戰

　　一直以來(lái)跟在三星、SK海力士之后默默喝湯的中國臺灣存儲器廠(chǎng)商們近來(lái)也開(kāi)始發(fā)力了。

　　其中主攻存儲器芯片設計與制造的南亞科加碼投資20納米制程，今年資本支出由原訂的115億元上調至197.1億元，增幅逾71%，規劃在明年第2季底前，將20納米制程月產(chǎn)能提升至4.7萬(wàn)片，也讓南亞科DRAM月產(chǎn)能增至7.3萬(wàn)片。

　　華邦電今年的資本支出也達到了182億元新臺幣，支出比去年增加了兩成。預計今年的月產(chǎn)能能夠增長(cháng)至5.2萬(wàn)片，明年的月產(chǎn)能增至5.4萬(wàn)片，其中DRAM產(chǎn)出占比達到了50%。

　　力晶雖已宣布轉型晶圓代工，但仍有不少業(yè)務(wù)涉及到存儲芯片，而且力晶近期也宣布將斥資2780億元新臺幣建設一座12英寸新廠(chǎng)，預期從2020年開(kāi)始，分三期完成建設。第一期到第三期的月產(chǎn)能分別是1.5萬(wàn)片、3.5萬(wàn)片和5萬(wàn)片。

　　面對存儲器市場(chǎng)持續火熱，臺灣地區各大廠(chǎng)商選擇加大資本投入，擴大產(chǎn)出，希望能搶到更多商機，不過(guò)這同時(shí)也為未來(lái)市場(chǎng)供需失去平衡埋下了伏筆。

　　期待國內存儲競爭力的到來(lái)

　　筆者在之前的《內存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒(méi)有來(lái)》一文中曾提到過(guò)，以目前國內存儲器廠(chǎng)商的研發(fā)實(shí)力以及產(chǎn)出計劃來(lái)看，起碼還需要3年時(shí)間產(chǎn)量才能形成一定的規模。存儲巨頭們一定會(huì )趁著(zhù)這最后的紅利期再狠狠的賺上一筆。

　　果不其然，韓、臺地區的存儲器廠(chǎng)商紛紛選擇擴大產(chǎn)能，趕在中國競爭力進(jìn)入市場(chǎng)之前盡可能的搶占更多的市場(chǎng)。

　　但韓、臺雙方的目的性不盡相同，作為第一梯隊的三星、SK海力士，無(wú)疑是想通過(guò)擴大產(chǎn)能來(lái)壓低的市場(chǎng)價(jià)格，對即將進(jìn)入市場(chǎng)的國內存儲廠(chǎng)商形成成本上的壓制，減緩新來(lái)者的發(fā)展腳步，讓自身的統治地位更穩固。而臺灣地區的廠(chǎng)商由于本身技術(shù)沒(méi)有達到三星、SK海力士這一水平，競爭力有限，一旦競爭開(kāi)始，將會(huì )是第一波被沖擊的目標，只能選擇在這段時(shí)間里盡可能的多出貨。

　　總的來(lái)說(shuō)，國內存儲產(chǎn)業(yè)的競爭力相對來(lái)說(shuō)依然較弱，遠遠還沒(méi)達到能夠撼動(dòng)三星、SK海力士等巨頭地位的階段，但形成一定規模后，一定會(huì )對DRAM市場(chǎng)帶來(lái)部分沖擊，也會(huì )打破維系已久的產(chǎn)業(yè)平衡。未來(lái)是否會(huì )讓一直處于上漲的DRAM市況止漲下跌，答案想必是肯定的。