DRAM行業(yè)深度報告：期待國產(chǎn)產(chǎn)能釋放改變全球供給格局

　　存儲器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲器市場(chǎng)增長(cháng)率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續保持半導體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠(chǎng)商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續保持壟斷地位，合計市占率超過(guò)95%，國產(chǎn)廠(chǎng)商開(kāi)始積極布局，2018年將實(shí)現量產(chǎn)，有望逐步改變當前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費產(chǎn)品中，移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據頭三名，合計占比86%，未來(lái)將繼續拉動(dòng)DRAM消費增長(cháng)。

　　三星領(lǐng)先優(yōu)勢明顯，傳統技術(shù)難以替代。三星于2017年開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續擴大整體10nm級DRAM的產(chǎn)能，繼續維持與其他DRAM大廠(chǎng)1-2年以上的技術(shù)差距。新型存儲器由于存在CMOS兼容問(wèn)題和器件級變化性，且DRAM 的性?xún)r(jià)比高，技術(shù)成熟且具有規模優(yōu)勢，預計未來(lái)5-10年內難以被替代。同時(shí)，由于DRAM的平面微縮接近極限并向垂直方向擴展，18/16nm之后，薄膜厚度無(wú)法繼續縮減，且不適合采用高介電常數材料和電極，繼續在二維方向縮減尺寸已不再具備成本和性能方面的優(yōu)勢，3D DRAM在寬松尺寸下能夠實(shí)現高密度容量，且寄生阻容減少，延時(shí)串擾低，未來(lái)可能成為DRAM的演進(jìn)方向。

　　受益于需求增長(cháng)拉動(dòng)，DRAM保持量?jì)r(jià)齊增態(tài)勢。隨著(zhù)5G商用逼近以及云計算、IDC業(yè)務(wù)的拉動(dòng)，移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC側的消費需求增長(cháng)明顯。各大廠(chǎng)商擴產(chǎn)熱情不減，包括三星在韓國平澤的P1廠(chǎng)房和Line 15生產(chǎn)線(xiàn)，SK海力士的M14生產(chǎn)線(xiàn)，以及美光在廣島的Fab 15和Fab 16的擴產(chǎn)計劃，但由于光刻技術(shù)接近瓶頸，良率問(wèn)題日益突出以及新技術(shù)的出現，各廠(chǎng)商工藝進(jìn)程都有所推遲，預計2018年全球DRAM產(chǎn)能增加10%，2018年DRAM依舊保持量?jì)r(jià)齊增態(tài)勢。

　　我們建議關(guān)注國家政策資金支持帶來(lái)的投資機會(huì )：兆易創(chuàng )新(A股存儲器龍頭)、北方華創(chuàng )(A股集成電路設備龍頭)、長(cháng)川科技(A股封測設備龍頭)。

　　風(fēng)險提示：行業(yè)競爭加劇，需求增長(cháng)不達預期。