中國存儲三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權
今年下半年,隨著(zhù)長(cháng)江存儲、福建晉華、合肥長(cháng)鑫國內三大存儲廠(chǎng)商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段,中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為,國內存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖,但或將對全球存儲市場(chǎng)價(jià)格走勢造成影響。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201807/389251.htm而隨著(zhù)中美貿易局勢的緊張,以及中國監管機構正式啟動(dòng)對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查,中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。
目前,中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于移動(dòng)式內存的合肥長(cháng)鑫,以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營(yíng)。
近期傳出合肥長(cháng)鑫投產(chǎn)8Gb LPDDR4規格的DRAM芯片,被視為我國DRAM產(chǎn)業(yè)的里程碑。盡管相關(guān)訊息尚未獲得官方確認,但在今年四月的一次公開(kāi)活動(dòng)上,合肥長(cháng)鑫CEO王寧國表示,計劃將于今年年底前推出8GB DDR4工程樣品,2019年Q3正式推出8GB LPDDR4,當年年底達到2萬(wàn)片的月產(chǎn)能。
從目前三家廠(chǎng)商的進(jìn)度看,其試產(chǎn)時(shí)間預計將在2018年下半年,量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì )集中在2019年上半年。有臺灣媒體分析稱(chēng),2019年量產(chǎn)進(jìn)度能否順利推動(dòng),將成為我國存儲產(chǎn)業(yè)能否站上世界舞臺的重要標志。
業(yè)界認為,我國發(fā)展DRAM技術(shù)的挑戰性較高,隨著(zhù)量產(chǎn)時(shí)點(diǎn)的臨近,專(zhuān)利糾紛或國際訴訟甚至競爭對手的干擾也將伴隨而來(lái)。此前,美光已經(jīng)通過(guò)采取限制供應商供貨的行為對晉華進(jìn)行打壓,雙方互訴也在進(jìn)行之中。
來(lái)自臺灣的分析人士指出,紫光集團旗下的長(cháng)江存儲發(fā)展情勢較為樂(lè )觀(guān),已獲得首筆超過(guò)1萬(wàn)顆的晶片訂單,但32層3D NAND Flash量產(chǎn)規模仍有限,單月僅約5,000片,長(cháng)江存儲的研發(fā)重點(diǎn)將集中于64層3D NAND Flash,目標2018年底前推出第一個(gè)產(chǎn)品樣本。
長(cháng)江存儲在64層3D NAND制程開(kāi)發(fā)完成后,可望展開(kāi)大規模投片計劃,預計2020年產(chǎn)能快速推進(jìn)至單月10萬(wàn)片,未來(lái)長(cháng)江存儲旗下3座廠(chǎng)房將可達到單月35萬(wàn)~40萬(wàn)片產(chǎn)能,屆時(shí)市占率有機會(huì )挑戰10%。
另有分析人士指出,合肥長(cháng)鑫宣稱(chēng)目標在于19納米的DRAM內存,初期產(chǎn)品良率目標為不低于10%,這意味著(zhù)從初期試產(chǎn)進(jìn)入穩定量產(chǎn)還有漫漫長(cháng)路,加上合肥長(cháng)鑫發(fā)展的DDR4移動(dòng)式內存為市場(chǎng)主流,未來(lái)恐難逃大廠(chǎng)專(zhuān)利的鉗制。
該人士表示,國內存儲廠(chǎng)商量產(chǎn)初期的規模雖難撼動(dòng)三大龍頭廠(chǎng)商的地位,但短期內將對市場(chǎng)價(jià)格造成沖擊,如果發(fā)展順利,預計2020~2021年起,中國存儲產(chǎn)業(yè)將開(kāi)始取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權。
評論