傳三星、SK海力士18nm DRAM出現良率問(wèn)題，市場(chǎng)價(jià)格增添變量

　　受惠于市場(chǎng)需求強力推升，服務(wù)器存儲器供應持續吃緊，近來(lái)市場(chǎng)傳出，存儲器龍頭廠(chǎng)三星與海力士18nm制程出現良率問(wèn)題，應用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國及大陸廠(chǎng)商已要求暫時(shí)停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調，但多家臺灣地區業(yè)者近日仍紛紛接獲消息，業(yè)界預計最快1~2個(gè)月左右應可改善良率，但由于第3季DRAM價(jià)格預期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應求，將為下半年市場(chǎng)價(jià)格漲幅投下變量。

　　根據市場(chǎng)消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現質(zhì)量疑慮，并遭到數據中心客戶(hù)退貨，且在改善前將暫緩出貨，受到影響的業(yè)者包括亞馬遜及阿里巴巴、騰訊、華為等大廠(chǎng)，臺灣地區業(yè)者也陸續于近1~2周內獲得訊息。

　　雖然目前2家韓廠(chǎng)并未證實(shí)新制程的技術(shù)問(wèn)題，但由于全球DRAM產(chǎn)業(yè)已呈現寡占結構，三星、SK海力士與美光等前3大廠(chǎng)掌握95%市占率，在韓系大廠(chǎng)的良率未能穩定改善前，預料數據中心的高階服務(wù)器產(chǎn)品供應緊缺恐將進(jìn)一步擴大。

　　相關(guān)供應鏈業(yè)者表示，三星18nm制程并非第一次傳出質(zhì)量疑慮，先前已修改過(guò)2次設計，原本業(yè)界以為第3次改良將可安全過(guò)關(guān)，不過(guò)高階服務(wù)器產(chǎn)品應用于數據中心的要求較為嚴格，環(huán)境測試也較為嚴峻，在DRAM制程持續微縮下，導致符合規格的產(chǎn)品良率較難穩定控制。

　　業(yè)者認為，這并不代表全部18nm制程都有問(wèn)題，只是在高標準的服務(wù)器用DRAM產(chǎn)品遭到瓶頸，但未達高標的DRAM產(chǎn)品仍然可以用于其它消費性DRAM需求，如PC或NB等應用，而依照過(guò)去經(jīng)驗，韓系存儲器廠(chǎng)最快應可在1~2個(gè)月左右改善良率問(wèn)題，加上目前三星的20nm制程也在穩定生產(chǎn)出貨，供應至服務(wù)器市場(chǎng)足可應付，也預計應該不至于造成全面性的市場(chǎng)嚴重缺貨問(wèn)題。

　　雖然NAND Flash近來(lái)價(jià)格下滑，但業(yè)界指出，2018年受到DRAM新增產(chǎn)能有限，整體市場(chǎng)供需的確處于吃緊，價(jià)格也相對穩健，尤其是服務(wù)器存儲器需求最為強勁，其成長(cháng)速度已超越DRAM主流的移動(dòng)存儲器，主要受惠于云端儲存與物聯(lián)網(wǎng)的帶動(dòng)，數據中心建設拉動(dòng)了服務(wù)器存儲器的需求，業(yè)者初估，預期未來(lái)2~3年內，服務(wù)器存儲器將可躍居DRAM市場(chǎng)主流，其中，2018年DRAM搭載量成長(cháng)超過(guò)3成，已成為DRAM需求成長(cháng)的主要動(dòng)能，產(chǎn)品價(jià)格也最為昂貴。

　　據指出，以32Gb服務(wù)器存儲器為例，從過(guò)去156美元開(kāi)始調漲，過(guò)了2年幾乎呈現翻倍，近期市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)來(lái)到300美元的歷史高價(jià)，原本市場(chǎng)認為，服務(wù)器存儲器的價(jià)格水位偏高，未來(lái)繼續上漲空間十分有限，但降價(jià)幅度也不會(huì )太明顯，不過(guò)隨著(zhù)韓系大廠(chǎng)近日傳出在服務(wù)器/數據中心出現供貨不順，這也意味著(zhù)18nm制程導入的良率穩定仍有待提升，將使得高階的服務(wù)器存儲器的供應缺口擴大，未來(lái)市場(chǎng)價(jià)格漲勢可能將持續走揚。

　　業(yè)界指出，受到下半年進(jìn)入傳統旺季，先前三星已釋出第3季移動(dòng)及服務(wù)器DRAM價(jià)格續漲的訊息，如今18nm制程穩定供應服務(wù)器/數據中心遭受亂流，下半年的價(jià)格漲幅是否擴大將有待觀(guān)察。此外，韓系存儲器廠(chǎng)在遭到客戶(hù)暫停出貨后，對于美光以及積極搶攻服務(wù)器市場(chǎng)并預計2018年第4季起小量出貨的南亞科，將有機會(huì )帶來(lái)切入的契機，市場(chǎng)版圖變化將值得關(guān)注。

　　另一方面，市場(chǎng)也傳出三星電子可望暫緩DRAM擴產(chǎn)計劃，由于三星制程轉進(jìn)1ynm后，并無(wú)法有效降低單位生產(chǎn)成本，使得原本第3季將于韓國平澤廠(chǎng)(Pyeongtaek)東翼大樓(east wing)2樓擴增每月3萬(wàn)片DRAM產(chǎn)能的計劃將暫緩，業(yè)者認為，在新增產(chǎn)能延遲開(kāi)出下，未來(lái)DRAM位元需求量大于供給量的情況可能將繼續延長(cháng)。