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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標并進(jìn)

  • 南韓半導體大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運,事業(yè)群自行加強競爭力,而SK海力士
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2012年全球存儲器模組廠(chǎng)營(yíng)收排名

  • 全球市場(chǎng)研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據記憶體營(yíng)收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠(chǎng)排名調查,該年度全球模組市場(chǎng)總銷(xiāo)售金額為
  • 關(guān)鍵字: 記憶體儲存  金士頓  DRAM   

IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

  • 隨著(zhù)DRAM和NAND技術(shù)持續邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀(guān)察有關(guān)DRAM和NAND供應商的最新動(dòng)態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

DRAM晶片價(jià)格居高不下 智能手機需求旺

  • 近來(lái)DRAM 價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應給日益成長(cháng)的智慧手機市場(chǎng),令人擔心個(gè)人電腦(PC)未來(lái)的供應。預料
  • 關(guān)鍵字: DRAM  晶片  智能手機   

SRAM簡(jiǎn)介及與DRAM/SDRAM的比較

  • RAMRAM是指通過(guò)指令可以隨機的、個(gè)別的對各個(gè)存儲單元進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)的存儲器,一般訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間基本固定,而與存儲單元地址無(wú)關(guān)。RAM的速度比較快,但其保
  • 關(guān)鍵字: SRAM  DRAM  SDRAM  比較  

存儲器價(jià)格飆升 DRAM廠(chǎng)營(yíng)運旺

  • DRAMeXchange表示,由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場(chǎng)格局確立,加上各大DRAM供應商按照原先規劃減少標準型存儲器部位影響下,主流模塊4GB均價(jià)在第2季上揚16%,由23.5
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  三星  

四種閃存設計優(yōu)劣點(diǎn)分析

  • 由于閃存比傳統媒介有著(zhù)更為明顯的優(yōu)勢,在過(guò)去一年里,閃存的普及率開(kāi)始飆升。不過(guò),我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區別。在本文中,我
  • 關(guān)鍵字: NFS  PCIe  NAS  DRAM  閃存  

DRAM現貨價(jià)短期看漲

  • 根據TrendForce旗下研究部門(mén)DRAMeXchange調查,DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應已正在逐步發(fā)酵當中,在跌無(wú)可跌的前提之下,短時(shí)間內現貨價(jià)格有機會(huì )帶動(dòng)一波價(jià)格的上
  • 關(guān)鍵字: DRAM  現貨價(jià)  短期看漲   

提高存儲器子系統效率的三種方法

  • 行業(yè)專(zhuān)家認為,對于一個(gè)典型的大型數據中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì )用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數據中心服務(wù)器,高功率密度的
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  子系統效率  DRAM  

DDR的前世與今生(一)

  •   DDR SDRAM全稱(chēng)為Double Data Rate SDRAM,中文名為“雙倍數據率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎上改進(jìn)而來(lái),嚴格的說(shuō)DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱(chēng)為DDR。   說(shuō)到這里,很多人可能會(huì )問(wèn)SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼,怎么區別的?小編還是來(lái)簡(jiǎn)單普及下關(guān)于存儲的基礎知識吧。   ROM 和RAM指的都是半導體存儲器,ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種只能讀出事先
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存儲器需求動(dòng)能強勁,第四季DRAM合約價(jià)有望再漲逾一成

  •   受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動(dòng),存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長(cháng)期價(jià)格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)表示,存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續強勁成長(cháng)態(tài)勢與服務(wù)器需求增溫帶動(dòng)下,DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格預計將同步上揚,特別是DRAM合約價(jià)第四季估將再漲逾一成。   供應持續吃緊,DRAM市場(chǎng)至2017年維持健康供需狀態(tài)   由于今年中國品牌智能手機表現超乎預期,服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數據中心需求增溫,下半年臺系服務(wù)器代工廠(chǎng)
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

  •   存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生,哪里有數據,哪里就會(huì )需要存儲芯片。而且隨著(zhù)大數據、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。   當前,我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠(chǎng)商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠(chǎng)商帶動(dòng)數據中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠(chǎng)商對存儲需求量巨大。   相關(guān)數據顯示,2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  DRAM  

2016 DRAM市場(chǎng)回溫優(yōu)于預期 美光贏(yíng)得外資青睞

  •   繼上周日系外資提高存儲器廠(chǎng)美光(Micron)自每股16元的目標價(jià)到每股20元之后,30日另一家美系外資的最新研究報告也指出,在當前DRAM市場(chǎng)價(jià)格逐步回穩的情況下,加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉變,也將美光的目標價(jià)由原本的每股18美元,提高至每股20美元的價(jià)位。   該外資報告一開(kāi)始便提及,看好2016年以來(lái)DRAM市場(chǎng)的回溫與產(chǎn)品價(jià)格的回穩,而且實(shí)際上的表現還比當時(shí)預估的要好一些。不過(guò),在當前許多供應商的產(chǎn)能不足的情況下,2017年DRAM的供應依舊是吃緊的。尤其,是在3D NAND閃存
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美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍

  •   在全球持續突破存儲器運行速度的努力進(jìn)程中,全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣,并投入大量時(shí)間從事研發(fā),最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破,據稱(chēng)可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。   據Techspot網(wǎng)站報導,所謂的相變化存儲器運作原理,是指在低阻抗的結晶態(tài)及高阻抗的非結晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng),雖然此技術(shù)在現今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現
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中國投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢(qián)就能解決的問(wèn)題

  •   8月27日消息,中國目前大力推動(dòng)國內芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,目標是在將來(lái)成為全球電腦芯片制造業(yè)的領(lǐng)軍者。這一宏偉計劃似乎遇到了難以逾越的障礙。   在2014年,中國就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設計和制造產(chǎn)業(yè),以期在未來(lái)占據行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠(chǎng)的修建之中。但貝恩管理咨詢(xún)公司(Bain & Company )的最新分析顯示,中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無(wú)法保證自己在芯片行業(yè)取得領(lǐng)先的。   中國國有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
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ddr5 dram介紹

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