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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機吃悶棍，力拼內存事業(yè)救業(yè)績(jì)!據傳三星為了穩固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術(shù)差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日報導，半導體產(chǎn)業(yè)透露，三星內存部門(mén)今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時(shí)，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說(shuō)，明年三星 10 納
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
手機DRAM有漏洞，黑客可竊取手機最高權限
- 阿姆斯特丹自由大學(xué)(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實(shí)驗室VUSec Lab本周揭露了一個(gè)可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動(dòng)平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權限。雖然研究人員是以Android手機進(jìn)行測試，但理論上該漏洞也會(huì )影響iPhone或基于其他平臺的手機。 研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來(lái)執行攻擊，發(fā)現包括LG、Motorola、
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存儲器價(jià)格回溫 2016年IC市場(chǎng)可望成長(cháng)1%
- 市場(chǎng)研究機構IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場(chǎng)營(yíng)收的成長(cháng)率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構預測，2016年全球IC出貨量成長(cháng)率將在4~6%之間。IC Insights調升半導體市場(chǎng)成長(cháng)率的很大一部分原因，來(lái)自于DRAM市場(chǎng)的強勁表現。 IC Insights指出，自2002年以來(lái)，全球IC市場(chǎng)在第三季平均季成長(cháng)率為8%，但去年第三季市場(chǎng)成長(cháng)率僅成長(cháng)約1%左右;2016年第三季的IC市場(chǎng)成長(cháng)率則出現了略為高于過(guò)去十五年平均值的9%。此外該機構預期，2016年第四
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
SMIC擴產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導體增長(cháng)預測
- 據ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業(yè)的增長(cháng)率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長(cháng)1%，及2017年增長(cháng)4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。 IC Insight修正預測的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場(chǎng)缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開(kāi)始擴大投資，增加
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手機DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8
- 行動(dòng)裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進(jìn)入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)，外界預料將用于明年初問(wèn)世的Galaxy S8。 韓聯(lián)社報導，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見(jiàn)的8GB行動(dòng)DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動(dòng)DRAM的到來(lái)，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。 目前智慧機行動(dòng)DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿(mǎn)足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱(chēng)，新品效能與當前
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲單元在2015年已通過(guò)驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或將顛覆DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡(jiǎn)稱(chēng)VLT技術(shù)。據Kilopass首席執行官Charlie Cheng稱(chēng)，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計算/服務(wù)器市場(chǎng)的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出，DRAM整體市場(chǎng)較為穩定，未來(lái)隨著(zhù)PC、手機等方面的市場(chǎng)需求萎縮，新的增長(cháng)點(diǎn)將出現在云計算/服務(wù)器等市場(chǎng)領(lǐng)域。然而當前
- 關(guān)鍵字： VLT DRAM
TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)表示，隨著(zhù)DRAM原廠(chǎng)持續調整產(chǎn)出比重，標準型內存在供貨持續吃緊下，九月合約價(jià)維持強勁上漲走勢，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng )下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應求
- 關(guān)鍵字： DRAM
TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)表示，隨著(zhù)DRAM原廠(chǎng)持續調整產(chǎn)出比重，標準型內存在供貨持續吃緊下，九月合約價(jià)維持強勁上漲走勢，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng )下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應求
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南亞科未來(lái)兩年投資500億元 提升價(jià)值凌駕市占率
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導體產(chǎn)業(yè)年會(huì )(TSIA)表示，南亞科計劃兩年投資500億元，這不是小數目的投資，其目的在于提升芯片價(jià)值，而非拉升全球市占率，未來(lái)新存儲器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 再者，南亞科召開(kāi)重大訊息指出，為導入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設備，總價(jià)款約3.43億元。整體來(lái)看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉換制程，預計花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設備擴
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DRAM價(jià)格漲勢延續 存儲器廠(chǎng)模組廠(chǎng)運營(yíng)同步走高
- DRAM現貨價(jià)漲不停，主流規格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩2美元、達2.1美元，攀上七個(gè)多月來(lái)高點(diǎn)，本季來(lái)大漲逾24%，第4季報價(jià)持續看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補。 業(yè)界透露，在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價(jià)帶動(dòng)下，DRAM漲勢延續，9月以來(lái)已連續三周上漲，漲勢明確，伴隨追價(jià)買(mǎi)盤(pán)進(jìn)場(chǎng)，漲勢加大。 根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩2美元、均價(jià)來(lái)到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計本周以來(lái)二個(gè)交易日
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三星主導調漲報價(jià)策略 DRAM廠(chǎng)商有望重掌號令
- 三星主導調漲DRAM報價(jià)策略奏效，全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦科技最新DRAM現貨報價(jià)連四天緩步上揚，主流DDR4 4Gb DRAM有機會(huì )向2美元叩關(guān)，也是近2個(gè)月來(lái)漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM廠(chǎng)商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號令。 存儲器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導價(jià)格漲勢態(tài)度積極，除8月調漲DRAM報價(jià)，第4季合約價(jià)也再漲一成，連同第3季合約價(jià)調漲15%，等于下半年漲幅約25%。 2大韓系DRAM大廠(chǎng)的市占逾八成，主導DRAM漲價(jià)策略奏效
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會(huì )供不應求，韓媒指出，存儲器廠(chǎng)商轉進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì )讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日報道，半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉換的供給成長(cháng)率以往大約是30%，2017年成長(cháng)率可能減至10%，加劇供給不足問(wèn)題。 據了解，明年上半年是淡季，DRA
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會(huì )供不應求，韓媒指出，存儲器廠(chǎng)商轉進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì )讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日報道，半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預料將年增19.3%，不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉換的供給成長(cháng)率以往大約是30%，2017年成長(cháng)率可能減至10%，加劇供給不足問(wèn)題。 據了解，明年上半年是淡季，DRA
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ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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