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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
DIGITIMES專(zhuān)欄：三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開(kāi)發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn)，DIGITIMES Research觀(guān)察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術(shù)，以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三星于DRAM 18納米制程將運用自動(dòng)對位QPT(Self A
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福建晉華攜手聯(lián)電 開(kāi)發(fā)制程DRAM技術(shù)
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電昨天宣布，與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路，簽署技術(shù)合作協(xié)議，由聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。 聯(lián)電強調，所開(kāi)發(fā)技術(shù)將應用于利基型DRAM生產(chǎn)，但該公司沒(méi)有要進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。外界解讀，聯(lián)電現階段雖然僅投入利基型記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)視兩岸政策與市場(chǎng)情況，說(shuō)不定將進(jìn)入相關(guān)代工領(lǐng)域。 聯(lián)電表示，這次的合作協(xié)議結合臺灣的半導體制造能力，及中國大陸的市場(chǎng)與資金，在臺灣進(jìn)行技術(shù)研發(fā)。雙方合作開(kāi)發(fā)的技術(shù)，主要應用在利基型DRAM生產(chǎn)，不僅能提供國內IC設計公司使用，也能結合
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大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當其沖
- 工研院 IEK認為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來(lái)若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。 聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開(kāi)發(fā)動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù)，引起各界關(guān)注。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統研究組副組長(cháng)楊瑞臨認為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。 楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠(chǎng)商規劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)技術(shù)的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
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三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開(kāi)發(fā)18奈米制程為其投資重點(diǎn)，DIGITIMES Research觀(guān)察，為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術(shù)，以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動(dòng)對位QPT(Self
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據市場(chǎng)主導地位
- 全球大部分半導體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現優(yōu)于多數同業(yè)。 全球個(gè)人電腦(PC)銷(xiāo)量下降，以及智能手機增長(cháng)放緩，讓半導體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。 高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤下降65%，這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jì)。 將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預計三星芯片獲利將會(huì )下降，一些分析師預測1-
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三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減
- 三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示，拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營(yíng)益預估因而增加0.4兆韓圜，主要反映在零件事業(yè)盈余數據上。 三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜，半導體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預算、但預估將略高于2015年水準。 三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動(dòng)下可望攀高。DRAM資本支出預計將依照市場(chǎng)供需變化彈性調整、目前初估將低于去年水準。
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請注意，這14類(lèi)IC今年會(huì )增長(cháng)迅速
- 市場(chǎng)研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預測報告發(fā)布更新，在該報告統計的33項主要IC產(chǎn)品類(lèi)別中，有14項產(chǎn)品類(lèi)別在今年的成長(cháng)率將超過(guò)2%，尤其是手機應用處理器MPU與訊號轉換IC的成長(cháng)幅度居冠。 ICInsights的《2016McCleanReport》預測33項主要IC產(chǎn)品類(lèi)別在2020年以前的市場(chǎng)成長(cháng)。如圖1列出33項主要的IC產(chǎn)品類(lèi)別，分別以更新的2016年成長(cháng)率排名。ICInsights預測，今年將有14項產(chǎn)品類(lèi)別的成長(cháng)幅度超過(guò)2%—
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不影響DRAM市場(chǎng)結構 公平會(huì )核準美光購并華亞科
- 公平交易委員會(huì )于2016年4月13日第1,275次委員會(huì )議決議，核準美商美光(Micron)擬透過(guò)其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權，向該會(huì )申報事業(yè)結合乙案，依公平交易法第13條第1項規定，不禁止其結合。 公平會(huì )表示，本案系屬公平法第10條第1項第2、5款之結合型態(tài)，又美商美光于相關(guān)市場(chǎng)之市占率達25%，符合公平法第11條第1項第2款規定之申報門(mén)檻，且無(wú)同法第12條所規定除外適用情形，故依法提出結合申報。 公平會(huì )表示，華亞科系屬美光DRAM的代工廠(chǎng)，其所生產(chǎn)之DRAM全數售予美光，故華亞科
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三星DRAM連霸24年 2015年市占寫(xiě)下45%新高
- 三星電子(Samsung Electronics)連續24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導體市占率第一，為半導體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)下新歷史;2015年市占率達45.3%，營(yíng)收突破200億美元，不但刷新自身紀錄，也成為存儲器價(jià)格持續下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。 據韓媒Money Today報導，市調機構IHS資料顯示，2015年三星DRAM營(yíng)收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長(cháng)9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場(chǎng)規模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營(yíng)收卻
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三星開(kāi)始量產(chǎn)10nm級DRAM，采用ArF液浸四重曝光
- 韓國三星電子2016年4月5日宣布，開(kāi)始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。 此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開(kāi)發(fā)了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無(wú)需使用EUV裝置，可利用現有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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DRAM市場(chǎng)上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?
- 目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱(chēng)動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，是最為常見(jiàn)的系統內存)市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調公司IHS指，韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續6個(gè)季度創(chuàng )下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢? 三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 據DRAMeXchange的報告，受2015年四季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營(yíng)收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場(chǎng)所向披靡 手機份額萎縮
- 三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報告，結果一則以喜，一則以憂(yōu)，雖然其半導體事業(yè)蒸蒸日上，但另一個(gè)營(yíng)收主力，也就是手機部門(mén)表現仍持續掙扎。其實(shí)，三星去年以獲利為最高指導原則，營(yíng)運的重心主要放在半導體上，有如此結果也不令人意外。 據 三星統計，在全球DRAM市場(chǎng)上，三星所向披靡、強取豪奪45.3%的份額，市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個(gè)百分點(diǎn)。三星指出盡管手機、平板 等行動(dòng)產(chǎn)品減緩，但預期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場(chǎng)將持續成長(cháng)。除此之外，三星也相當看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車(chē)對存儲器的需求展望。 在
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機會(huì )轉虧為盈
- 受來(lái)自PC部門(mén)需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠(chǎng)美光(Micron)2016年會(huì )計年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營(yíng)收僅達29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會(huì )計年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會(huì )計年度第1季營(yíng)收45.7億美元相對高點(diǎn)以來(lái)，單季營(yíng)收連續5季衰退。 在DRAM與NAND Flash的平均銷(xiāo)售單價(jià)季衰退幅度超過(guò)2位數百分點(diǎn)幅度，加上營(yíng)業(yè)費用控制成效不佳，營(yíng)業(yè)
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
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