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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
DRAM價(jià)格跌 上季全球產(chǎn)值掉9%
- DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統計報告，受到DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下降及市況持續供過(guò)于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋(píng)果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預期更佳，但由于各DRAM廠(chǎng)制程轉進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續增加，使得當季DRAM價(jià)格持續下修。 三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元，
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠(chǎng)，循華亞科模式
- 大陸紫光集團已確定在大陸華南地區籌建12寸DRAM廠(chǎng)，并循當年臺塑集團與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠(chǎng)，再邀請美光等國際大廠(chǎng)入股，解決技術(shù)授權問(wèn)題。 據了解，此計畫(huà)由前華亞科董事長(cháng)、現為紫光集團執行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。 大陸官方自前年成立國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱(chēng)大基金)后，就有意投入自建記憶體供應鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專(zhuān)利及矽智財都掌握前國際大廠(chǎng)手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團，由
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
2015臺灣DRAM產(chǎn)值增長(cháng)由正轉負 晶圓代工增長(cháng)下滑
- 經(jīng)濟部統計處資料顯示，臺灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續成長(cháng)，但去年增率卻是近三年來(lái)首見(jiàn)個(gè)位數成長(cháng)，也結束自2011年以來(lái)的上升走勢，臺灣經(jīng)濟部指出，去年臺灣DRAM產(chǎn)值成長(cháng)由正轉負，加上晶圓代工成長(cháng)下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。 臺灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續榮景，較前年同期成長(cháng)23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟復蘇力道疲弱，尤其新興市場(chǎng)需求明顯下降，抑制終端消費性電子產(chǎn)品銷(xiāo)售成長(cháng)動(dòng)能，下半年衰退7.9%。 去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點(diǎn)反
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓
紫光計劃今年再收購2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面
- 清華紫光集團所屬的清華控股董事長(cháng)徐井宏，昨天在瑞士達沃斯的世界經(jīng)濟論壇現場(chǎng)，接受彭博訪(fǎng)問(wèn)時(shí)坦承，由于美國主管機關(guān)豎立的障礙，美光投資案過(guò)關(guān)的機會(huì )渺茫，但紫光集團仍持續推動(dòng)與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。 他表示，紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。 徐井宏也透露，清華紫光集團旗下的3大平臺之中，主攻DRAM的同方國芯，今年將投下約2000億人民幣，再買(mǎi)下兩家海外IC業(yè)者，但沒(méi)有透露可能購并對象。 徐井宏也提到，2016紫光集團的海
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
美光DRAM表現看弱 市場(chǎng)供需變化使然
- 日前美光(Micron)公布最新1季結果表現不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價(jià)下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。 評論認為，由于傳統第1季是DRAM價(jià)格淡季，而且PC與移動(dòng)裝置帶動(dòng)DRAM成長(cháng)有限，因此DRAM廠(chǎng)商表現黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強布局3D XPoint技術(shù)必要性。 據SemiWiki網(wǎng)站報導，DRAM已成為半導體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當容易受到供需平衡變化而導致價(jià)格改變。加上目前正處于需求弱但供應強階段，因此，DRAM廠(chǎng)商欲求好表
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
2016年整體DRAM需求預估成長(cháng)23%
- 2016年中國持續發(fā)展半導體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，記憶體方面更是中國發(fā)展的重點(diǎn)項目之一。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM慘跌拖累 美光營(yíng)收衰退近3成
- DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求，而分散營(yíng)收的努力尚待開(kāi)花結果，導致美光(Micron)最新一季營(yíng)收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂(lè )觀(guān)。 華爾街日報(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報導，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會(huì )計年度第1季財報，營(yíng)收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。 在展望方面，美光預測本季營(yíng)收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
大陸扶植DRAM供應鏈三部曲
- 市場(chǎng)是開(kāi)放了，技術(shù)依然要自己發(fā)展，包括華為等過(guò)去幾十年發(fā)展起來(lái)的巨頭沒(méi)有一家是通過(guò)市場(chǎng)換技術(shù)換來(lái)而是通過(guò)自身努力崛起的。
- 關(guān)鍵字： DRAM
三星在IEDM上宣布：DRAM工藝可達10nm
- 韓國三星電子于2015年12月9日在國際學(xué)會(huì )“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講(論文26.5)。三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，該公司表示其特性非常良好，并表示“采用同樣的方法，可以達到10nm工藝”?！ ∽罱?，有技術(shù)人員指出DRAM的微細化極限是20nm。DRAM在單元中的電容器中儲存電荷，對有電荷狀態(tài)分配1、無(wú)電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著(zhù)微細化發(fā)展，電容器的表面積越來(lái)越小，不能再如愿存儲電荷。因此，業(yè)內通過(guò)將電容器做成細長(cháng)的圓柱狀來(lái)確保表面積，也就是
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
美光關(guān)閉波多黎各DRAM模組廠(chǎng) 產(chǎn)線(xiàn)遷往大陸
- 根據ComputerWorld報導，美國存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)有意在12月底結束在波多黎各的DRAM模組廠(chǎng)，將生產(chǎn)設備轉移至大陸?！ ∶拦馕挥诓ǘ嗬韪鰽guadilla的DRAM模組廠(chǎng)占地約4.8萬(wàn)平方英呎，雇用約200余名勞工。美光表示，迫于市場(chǎng)壓力，該公司將在12月30日結束在波多黎各的DRAM模組廠(chǎng)，產(chǎn)線(xiàn)將遷移至大陸西安?！ 〈箨懓雽w業(yè)對外購并的消息不斷，甚至不惜傾政府之力投入，拉拔半導體產(chǎn)業(yè)，先前清華紫光有意出價(jià)230億美元購并美光的消息也甚囂塵上。美國國會(huì )議員Dana Rohrab
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
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