3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

　　存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會(huì )需要存儲芯片。而且隨著(zhù)大數據、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。

　　當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠(chǎng)商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠(chǎng)商帶動(dòng)數據中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠(chǎng)商對存儲需求量巨大。

　　相關(guān)數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元，各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。然而，這些存儲芯片在國內仍舊空白，幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。

　　在自主可控推升政策空間，存儲芯片大有可為路演活動(dòng)上，銀河證券電子行業(yè)首席分析師王莉在接受記者采訪(fǎng)時(shí)表示，存儲芯片作為國家存儲信息安全關(guān)鍵抓手之一，一旦國產(chǎn)廠(chǎng)商能夠生產(chǎn)制造性能優(yōu)越的存儲芯片，政府將引導眾多廠(chǎng)商采購國產(chǎn)存儲存儲芯片，其國產(chǎn)替代空間巨大。

　　四大特性致存儲芯片國產(chǎn)化任務(wù)艱巨

　　雖然前景可期，但當前我國存儲芯片仍面臨技術(shù)差距大、行業(yè)市場(chǎng)集中度高、周期性強、資金投入大四大特征，這也致使我國存儲芯片國產(chǎn)化任務(wù)艱巨，國內單一企業(yè)力量難以攻克。

　　王莉告訴記者，國際主流堆棧是32-48層，三星的技術(shù)可達64層，而我們與之相差甚遠。存儲芯片的制造工藝異常復雜，其中3D NAND閃存的制造更為困難，目前，全球各家存儲廠(chǎng)商對3D NAND的制造工藝都十分保密。當前國內NAND FLASH、DRAM制造技術(shù)基本處于缺失狀態(tài)。此外，知識產(chǎn)權是芯片行業(yè)競爭的利器。但目前，存儲芯片專(zhuān)利幾乎都被國際巨頭壟斷，無(wú)論是武漢新芯，還是福建晉華，其技術(shù)均是依托技術(shù)授權合作。

　　通常存儲行業(yè)市場(chǎng)集中度高，以DRAM市場(chǎng)為例，1970年代起步時(shí)候大約40-50家，1990年代末還有14家，到2004年只剩下5家實(shí)力較為突出，而如今全球僅3家就占據市場(chǎng)90%的份額，已經(jīng)成了Samsung、SK Hynix、Micron寡頭壟斷的競爭格局。

　　王莉表示，當存儲行業(yè)處于景氣高漲期，資金充裕時(shí)，一家存儲廠(chǎng)商進(jìn)行產(chǎn)能擴充或者工藝升級，其它家存儲廠(chǎng)商如果不擴產(chǎn)其市場(chǎng)份額將被擠壓，產(chǎn)品也將會(huì )被對手新一代產(chǎn)品所替換。由此不斷形成了惡性擴產(chǎn)的現象，導致產(chǎn)能過(guò)剩，行業(yè)蕭條來(lái)臨。而當行業(yè)處于蕭條期時(shí)，各大廠(chǎng)商便開(kāi)始壓縮產(chǎn)能，行業(yè)供需關(guān)系反轉，價(jià)格上升，景氣度開(kāi)始上揚。由此可見(jiàn)，存儲芯片周期性強。

　　另外，根據調研機構 Semiconductor Intelligence數據顯示，在2015 年各半導體公司的資本支出預算中，Samsung資本支出預算151億美元，同比增長(cháng)13%;SK Hynix資本支出51億美元，同比增長(cháng)12%;Micron資產(chǎn)支出38億美元，同比增長(cháng)186%;其它存儲廠(chǎng)商資本支出20億美元，同比增長(cháng)43%。2015年，存儲行業(yè)是整體半導體資本支出最高的領(lǐng)域，占比達到38%，資金投入量很大。

　　存儲芯片突圍需直面戰場(chǎng)

　　和CPU一樣，存儲器是芯片領(lǐng)域的戰略制高點(diǎn)，王莉認為，我國做存儲器產(chǎn)業(yè)一定要正面主戰場(chǎng)。首先需抓住核心技術(shù)，既要引進(jìn)尖端人才，又要外延快速獲取。近年來(lái)，半導體存儲科技發(fā)展日益蓬勃，除了相關(guān)技術(shù)外，存儲器專(zhuān)利已然成為了競爭的利器。如今，在存儲器行業(yè)形成寡頭壟斷的競爭局面下，既有的專(zhuān)利將對新進(jìn)入者構成重大門(mén)檻。

　　另外，她表示，存儲芯片設計技術(shù)相對簡(jiǎn)單，產(chǎn)品形態(tài)標準化程度高，且易于擴大市場(chǎng)份額，存儲芯片廠(chǎng)商都是在掌握核心技術(shù)基礎上憑借規模取勝。Samsung、Micron、Sandisk等存儲大廠(chǎng)每年花幾十億美元甚至上百億美元的資本支出就是希望通過(guò)加大規模提高市場(chǎng)占有率。中國廠(chǎng)商要想在存儲產(chǎn)業(yè)取得突破，必須做好長(cháng)期大規模投入、大規模虧損的心理準備。 其實(shí)，無(wú)論是抓技術(shù)，還是規模，都是一件耗時(shí)耗力的工程，都必須在國家戰略的支持下才能完成。

　　據記者了解，當前國內已有多方力量著(zhù)手攻克存儲芯片。紫光集團600億元建設存儲芯片工廠(chǎng)，未來(lái)5年300億美元主攻存儲器芯片制造;武漢新芯：240億美元打造存儲器基地;福建晉華投資370億元，合肥聯(lián)手兆基科技投資460億元，建DRAM工廠(chǎng)。近期，市場(chǎng)傳紫光集團攜手武漢新芯，共同逐力存儲芯片，更加凸顯國家建設存儲芯片的意志。

　　王莉強調，存儲芯片國產(chǎn)化是一項艱巨的工程，要敢于啃硬骨頭，存儲芯片的四大特性決定了國產(chǎn)化工程離不開(kāi)政府的強力支持。除了資金支持外，政府應當從人才到產(chǎn)業(yè)鏈配套等領(lǐng)域全面持續加大對存儲芯片產(chǎn)業(yè)的支持。

　　3D NAND FLASH

　　有望實(shí)現中國彎道超車(chē)

　　一直以來(lái)，eMMC由于內部NAND FLASH芯片價(jià)格高企，在中低端產(chǎn)品無(wú)法大范圍應用，近年來(lái)隨著(zhù)eMMC價(jià)格不斷下降，eMMC應用將從智能手機向智能盒子、GPS終端、移動(dòng)閱讀終端等產(chǎn)品導入，覃崇表示，這將進(jìn)一步拓寬NAND FLASH的應用范圍。

　　近年來(lái)，為了適應小體積、大容量的要求，NAND FLASH不得不向高集成度發(fā)展。3D NAND在平面上可以采取更高制程，讓顆粒保持在35納米甚至40納米的制程上，通過(guò)多層結構增加容量，提高單個(gè)晶圓產(chǎn)出率、降低成本，同時(shí)最大限度的保持閃存的壽命和可靠性。

　　Flash在進(jìn)入 2x 納米后，制程微縮帶來(lái)的成本優(yōu)勢越來(lái)越不明顯，推遲國際Flash 大廠(chǎng)技術(shù)進(jìn)程，因此3D-NAND Flash 成為成本繼續降低的重要方法。

　　王莉表示，從2D走到3D，需要新的技術(shù)領(lǐng)域加入，傳統存儲芯片大廠(chǎng)需要花更多的精力花在3D封裝上，給中國廠(chǎng)商進(jìn)入多留出一些時(shí)間，中國廠(chǎng)商若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，將成為中國存儲芯片彎道超車(chē)好時(shí)機。

　　覃崇直言道，當前NAND FLASH 正處于由2D轉變?yōu)?D的全面轉型時(shí)期，我國廠(chǎng)商可以順勢而為，借鑒國外先進(jìn)技術(shù)，結合我國的實(shí)際需求，培養相應人才，制造出符合我國消費者需求的芯片，3D NAND FLASH將會(huì )是我國存儲芯片行業(yè)發(fā)展走上快車(chē)道的一個(gè)拐點(diǎn)。