存儲器價(jià)格飆升 DRAM廠(chǎng)營(yíng)運旺

DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場(chǎng)格局確立，加上各大DRAM供應商按照原先規劃減少標準型存儲器部位影響下，主流模塊4GB均價(jià)在第2季上揚16%，由23.5美元漲至27.25美元，以4Gb顆粒來(lái)計算已達近年新高價(jià)格。一如先前預測，第2季 DRAM廠(chǎng)總營(yíng)收再創(chuàng )新高，達85.3億美元，季成長(cháng)24%，創(chuàng )下近3年來(lái)單季最高增幅。由于DRAM產(chǎn)業(yè)供給端的結構調整仍持續進(jìn)行中，第3季全球營(yíng)收預估仍將維持小幅成長(cháng)。

從全球DRAM廠(chǎng)自有品牌存儲器營(yíng)收排名來(lái)觀(guān)察，三星與SK海力士?jì)纱箜n系廠(chǎng)的綜合市占為62.7%，與上季相較小幅衰退，其中第1大廠(chǎng)三星的DRAM營(yíng)收與上季相較僅成長(cháng)7.7%，遠小于名列第2的SK Hynix 的40.7%。

而在日商爾必達與美商美光半導體方面，營(yíng)收市占分別為15.2%與12.9%，美光于8月1日正式整并爾必達后合并市占達28%，成為DRAM供應體系中的第3大勢力。

臺系廠(chǎng)部分，南科受惠于利基型與標準型存儲器價(jià)格上漲，營(yíng)收較第2季大幅成長(cháng)近58.8%，截至目前為止南科仍有標準型存儲器的投片，但型態(tài)上已轉為代工業(yè)務(wù)，下半年投片將逐步減少并轉進(jìn)30nm制程的行動(dòng)式存儲器增加獲利率。

力晶在轉型為代工業(yè)務(wù)后，已成為力晶主要獲利來(lái)源，P3廠(chǎng)則在設備售與金士頓后，目前該廠(chǎng)全數生產(chǎn)標準型存儲器，與之前代工模式不同的是材料方面全數由金士頓提供，力晶僅代為生產(chǎn)，故營(yíng)收大幅降低，較上計衰退43%。

華邦則是隨著(zhù)利基型存儲器價(jià)格上漲，營(yíng)收成長(cháng)約14.7%，隨著(zhù)消費性電子產(chǎn)品旺季來(lái)臨，加上低容量行動(dòng)式存儲器產(chǎn)能開(kāi)出，后續營(yíng)收將穩定成長(cháng)。

從市場(chǎng)面來(lái)觀(guān)察，DRAMeXchange認為，隨著(zhù)DRAM產(chǎn)業(yè)走入寡占型態(tài)，供需已經(jīng)不是價(jià)格漲跌的唯一依據，DRAM廠(chǎng)只要在某一產(chǎn)品可以寡占甚至獨占后，定能控制價(jià)格，往年價(jià)格的大起大落將不復見(jiàn)，伴隨而來(lái)的是穩定的市場(chǎng)價(jià)格與獲利，將是未來(lái)DRAM市場(chǎng)的走向。