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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
三星18納米DRAM投產(chǎn) 海力士、美光面臨更大壓力
- 三星電子(Samsung Electronics)開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來(lái)在DRAM市場(chǎng)上，勢必將更具價(jià)格競爭力。 根據韓媒ETnews報導，存儲器半導體的價(jià)格越來(lái)越低，越快將成本壓到比下滑的市場(chǎng)價(jià)格更低的話(huà)，才有利潤能剩下，若降低成本的速度太慢，就會(huì )產(chǎn)生赤字。以目前看來(lái)，2016年美光最需擔憂(yōu)的就是赤字問(wèn)題，因為美光沒(méi)能成功地轉換微
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營(yíng)收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現在又遇到了內存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導致美光營(yíng)收下滑了30%，當季凈虧損9700萬(wàn)美元，對未來(lái)季度的預測同樣悲觀(guān)。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光恐連續兩季度虧損，毛利率只有19.7%
- 美國記憶體大廠(chǎng)美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報，每股凈損0.09美元，單季由盈轉虧，并預估本季仍恐持續虧損。外界認為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營(yíng)運將有壓力。 受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營(yíng)收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現，僅19.7%，遠不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬(wàn)美元，每股凈損0.09美元。 美光預期，本季恐持續虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內存價(jià)格或跌40%
- 全球DRAM內存市場(chǎng)壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠(chǎng)商中，在這其中三星是第一梯隊的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現在正式量產(chǎn)了18nm工藝內存芯片。只不過(guò)內存市場(chǎng)今年普遍看淡，隨著(zhù)廠(chǎng)商產(chǎn)能的提高，內存價(jià)格降幅甚至高達40%。 跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進(jìn)，每一代工藝的進(jìn)步在外人看來(lái)感覺(jué)是越來(lái)越小了，CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內不在大陸設晶圓廠(chǎng)
- 28日武漢新芯科技主導的12英寸晶圓廠(chǎng)正式動(dòng)工，建成后將成為中國最大、最先進(jìn)的存儲芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點(diǎn)不低。再之前中國紫光集團宣布斥資300億美元打造全球前三的半導體公司，一時(shí)間中國半導體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內不會(huì )在大陸建立晶圓廠(chǎng)。 中國在半導體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購已經(jīng)引起了業(yè)界震動(dòng)，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標轉向
- 關(guān)鍵字： 三星 美光 DRAM
無(wú)廠(chǎng)DRAM企業(yè)Sino King 意圖革新商業(yè)模式
- 前日本爾必達(Elpida Memory)社長(cháng)坂本幸雄開(kāi)設IC設計公司Sino King Technology，指出目前半導體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強調研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的如臺積電。 而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類(lèi)公司，以研發(fā)高度客制化存儲器為重，不
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DRAM
大陸進(jìn)軍DRAM 華亞科李培瑛：5年內沒(méi)影響
- 針對中國將進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，華亞科(3474)董事長(cháng)李培瑛表示， 由于中國未能取得技術(shù)來(lái)源，如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，勢必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專(zhuān)利及高度專(zhuān)業(yè)之技術(shù)進(jìn)入障礙門(mén)檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達成，預期5年內將不會(huì )造成DRAM市場(chǎng)的影響，短期內難有進(jìn)展。 李培瑛指出，目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠(chǎng)手中，為維持自身利益及寡占市場(chǎng)結構，避免中國廠(chǎng)商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術(shù)授權合作或合資建廠(chǎng)計劃。中國若未能取得技術(shù)來(lái)源，短 期
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM
TrendForce:2016大陸手機品牌增速排行
- 自2015年第四季以來(lái)，全球終端需求始終停滯，智慧型手機品牌商皆計畫(huà)調降今年首季的出貨計畫(huà)，整體市場(chǎng)開(kāi)始進(jìn)行約一個(gè)季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場(chǎng)研究機構TrendForce智慧型手機分析師吳雅婷表示，受益于庫存調節接近尾聲及2016 MWC展中新機發(fā)表，2月中起中國手機品牌陸續出現庫存回補的需求。此外，中國智慧型手機營(yíng)運商為拉抬4G機種的普及率，針對數款4G高階智慧型手機增加 補貼額度，也推升消費者的購買(mǎi)欲望。 TrendForce預估2016
- 關(guān)鍵字： 華為 DRAM
武漢新芯12寸DRAM廠(chǎng) 28日動(dòng)工
- 大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠(chǎng)建廠(chǎng)動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 這是繼紫光集團進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠(chǎng)之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠(chǎng)建廠(chǎng)，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠(chǎng)案，牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng)，業(yè)界高度關(guān)注 。 業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)
- 關(guān)鍵字： 新芯 DRAM
SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠(chǎng)設備支出動(dòng)能
- SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì ))公布最新“SEMI全球晶圓廠(chǎng)預測”(SEMIWorldFabForecast)報告，2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(in-house)設備在內的前段晶圓廠(chǎng)設備支出預期將增加3.7%，達372億美元，而2017年則將再成長(cháng)13%，達421億美元。另方面，2015年晶圓廠(chǎng)設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。 SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠(chǎng)預測”報告，2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(in-house)
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓
大陸臺灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國最大DRAM廠(chǎng)
- 還記得「爾必達」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠(chǎng)蠶食，爾必達于2012年申請破產(chǎn)、之后被美國美光(Micron)收購，而坂本幸雄也成為爾必達的末代社長(cháng)、在爾必達被美光收購后就辭去社長(cháng)一職以示負責。不過(guò)坂本幸雄要開(kāi)始踏上復仇之路了，此次將攜手臺灣、中國大陸之力，在安徽合肥打造大規模內存廠(chǎng)，力抗三星等廠(chǎng)商。 日經(jīng)新聞11日報導，由坂本幸雄所設立的半導體設計公司「SinoKingTechnology(以下簡(jiǎn)稱(chēng)SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠(chǎng)興建契約，Sino將主導合肥市政府總
- 關(guān)鍵字： DRAM
韓廠(chǎng)欲擺脫大陸半導體追擊 轉變體質(zhì)往系統芯片市場(chǎng)
- 大陸半導體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠(chǎng)，將成為首間擁有DRAM工廠(chǎng)的大陸企業(yè)。該投資規模與全球DRAM龍頭廠(chǎng)三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規模相當。DRAM廠(chǎng)規模也不亞于三星全球最大半導體園區平澤園區。 由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉變。大陸憑藉價(jià)格競爭力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現變化。 大陸其實(shí)早已預告將進(jìn)軍半導體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
紫光結合日技術(shù) 搶攻DRAM市場(chǎng)
- 中國紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存取內存)碰壁后，日本DRAM大廠(chǎng)爾必達前社長(cháng)坂本幸雄所主導成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結合日本研發(fā)技術(shù)與中國的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據了解，相關(guān)合作細節預計本周于日本舉行記者會(huì )說(shuō)明。 臺灣DRAM業(yè)界指出，爾必達于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達研發(fā)團隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內存市場(chǎng)，加上中國企圖建立自主技術(shù)，地方政
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
韓廠(chǎng)欲擺脫大陸半導體追擊 轉變體質(zhì)往系統芯片市場(chǎng)
- 大陸半導體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠(chǎng)，將成為首間擁有DRAM工廠(chǎng)的大陸企業(yè)。該投資規模與全球DRAM龍頭廠(chǎng)三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規模相當。DRAM廠(chǎng)規模也不亞于三星全球最大半導體園區平澤園區。 由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉變。大陸憑藉價(jià)格競爭力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現變化。 大陸其實(shí)早已預告將進(jìn)軍半導體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
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傳三星半導體西安廠(chǎng)第二階段增設恐延期
- 三星電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠(chǎng)進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項計劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預估，2016年將會(huì )進(jìn)入記憶體7年來(lái)最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設NAND Flash工廠(chǎng)，也使三星開(kāi)始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。 目前三星電子西安工廠(chǎng)只使用整體腹地(約34萬(wàn)坪)的5分之1，而且以目前的設備來(lái)說(shuō)，已經(jīng)到達最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認為，三星將在2016年內
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ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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