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三星承包Q2全球61.5%移動(dòng)DRAM市場(chǎng)

- 韓聯(lián)社首爾8月17日電 據半導體市場(chǎng)調研機構DRAMeXchange消息,三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)的銷(xiāo)售額同比增長(cháng)19.4%至24.18億美元,全球市場(chǎng)占有率升至61.5%,創(chuàng )下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨統計以來(lái)的歷史最高紀錄。 三星2015年后三季度的移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額均未突破60%關(guān)口,分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后,第二季又提升1.1個(gè)百分點(diǎn)。三星移動(dòng)DRAM的市場(chǎng)份額更是比DRAM市場(chǎng)份額(47.4%)高出14.1個(gè)百分點(diǎn)
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
全球DRAM總營(yíng)收 研調機構估第3季將較顯著(zhù)成長(cháng)
- DRAMeXchange最新報告指出,中國地區的智慧型手機出貨依然強勁,DRAM三大廠(chǎng)同步調整產(chǎn)品類(lèi)別,持續向行動(dòng)式記憶體轉進(jìn),伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來(lái),預估第3季全球DRAM總營(yíng)收將出現較顯著(zhù)的成長(cháng)。 DRAMeXchange表示,因市況供過(guò)于求,第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%,但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),使得第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%。 三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收仍排行第一,營(yíng)收季
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
Q2全球DRAM總營(yíng)收91億美元臺廠(chǎng)華邦電表現最佳
- TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,由于市況供過(guò)于求,第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%,但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠(chǎng)營(yíng)收都成長(cháng),臺廠(chǎng)部分,以華邦電( 2344-TW )營(yíng)收季增3.3%表現最佳。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第2季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般,但中國地區的智慧型手
- 關(guān)鍵字: DRAM
DRAM拖累全球IC銷(xiāo)售額下降2%

- 按IC Insight的最新IC市場(chǎng)觀(guān)察報告,2016年因供過(guò)于求,導致全球DRAM的平均售價(jià)(ASP)下降16%,導致全球IC銷(xiāo)售額下降2%。 由于PC,筆記本,及平板電腦,包括智能手機等的出貨量減少,今年全球DRAM銷(xiāo)售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏,由2014年的3.16美元高點(diǎn),到2012年時(shí)的1.69美元。 IC Insight認為,一組DRAM的ASP曲線(xiàn),從2007年開(kāi)始象飛機飛過(guò)山谷時(shí)一樣的起伏。預計在服務(wù)器及新智能手機等市場(chǎng)需求推動(dòng)
- 關(guān)鍵字: DRAM
第二季全球DRAM總營(yíng)收成長(cháng)6.3%

- 受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,由于市況供過(guò)于求,第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而,受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%。 DRAMe
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(cháng)6.3%

- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新報告顯示,由于市況供過(guò)于求,第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單 價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而,受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給增長(cháng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元,季增長(cháng)6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般,但中國地區的智能手機出貨依然強勁,因此DRAM三大廠(chǎng)也同步調整產(chǎn)品類(lèi)別,持續向行動(dòng)式內存
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線(xiàn)項目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠(chǎng)的下一階段投資計劃;該廠(chǎng)由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營(yíng)。TPI將對此工廠(chǎng)再投資8000萬(wàn)美元以展現其對中國快速成長(cháng)的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(cháng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴建上海二廠(chǎng)(TPCS Shanghai II);該廠(chǎng)現已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠(chǎng)。
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng )見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售熱絡(luò ),加上智能手機搭載容量提高,帶動(dòng)近月價(jià)格持續上漲,創(chuàng )見(jiàn)、威剛等模組廠(chǎng)營(yíng)運受惠,市場(chǎng)預期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何,將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續漲力道。 市場(chǎng)指出,上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁,產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增,加上6月三星西安廠(chǎng)因變電廠(chǎng)爆炸導致停工,帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲,主流產(chǎn)品在1個(gè)月內漲幅超過(guò)2成。 市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)運增溫,創(chuàng )見(jiàn)表示,在漲價(jià)預期心理帶動(dòng)下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
中國首座DRAM廠(chǎng)動(dòng)工,三星、海力士冒冷汗
- 韓國經(jīng)濟日報周二報導,國營(yíng)福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來(lái)自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下,已著(zhù)手建造半導體廠(chǎng),將藉此切入DRAM市場(chǎng)。 來(lái)自產(chǎn)業(yè)內的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠(chǎng)破土動(dòng)工儀式,第一期工程投資規模預估來(lái)到370億人民幣,或相當于55億美元,2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬(wàn)片晶圓(32奈米)。 據報導,福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援,且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星
IC Insights下修今年半導體業(yè)成長(cháng)率至-1%

- IC Insights近日調降2016年半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)率預測至-1%,表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)負面沖擊的原因之一… 市場(chǎng)研究機構IC Insights近日調降了對2016年半導體產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)率預測,由原先的2%下修為-1%;該機構表示,調降產(chǎn)業(yè)成長(cháng)率預測的主要原因,是基于全球經(jīng)濟表現衰弱,以及低迷不振的DRAM市場(chǎng)。 消 費性電子市場(chǎng)與半導體產(chǎn)業(yè)之間的連動(dòng)關(guān)系越來(lái)越密切,IC Insights預期,2016年全球GDP與成長(cháng)率僅2.3%;而GDP成長(cháng)率若低于2.5%,被認為是
- 關(guān)鍵字: 半導體 DRAM
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您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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