<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr5 dram

DDR5/GDDR6/LPDDR5/HBM3都來(lái)了

  •   Hot Chip 2016大會(huì )上,內存技術(shù)突然成了一大熱點(diǎn),DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面,明后兩年陸續就能見(jiàn)到。   這份發(fā)展規劃主要來(lái)自存儲大廠(chǎng)三星,美光也提出了一些想法,而新規范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。        DDR5內存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB,帶寬最高6.4Gbps,兩倍于DDR4,而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V,這在歷史上倒是第一次。   美光計劃2019年量產(chǎn)DDR5,三星
  • 關(guān)鍵字: DDR5  LPDDR5  

DDR5內存詳細規格公布:2020年普及

  •   今天,鎂光正式公布了DDR5內存的詳細規格。作為DDR4內存的繼任者,DDR5內存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來(lái)看,DDR5內存將從8GB容量起步,最高可達單條32GB,I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps,同時(shí)電壓1.1V,內存帶寬將為DDR4內存的兩倍。   此外,鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內存將從3200Mhz起步,主流內存頻率可達6400Mhz。   同時(shí),鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內存樣品,并將在2019年實(shí)現正式量產(chǎn)。   據業(yè)內人士估計
  • 關(guān)鍵字: 鎂光  DDR5  

三星承包Q2全球61.5%移動(dòng)DRAM市場(chǎng)

  •   韓聯(lián)社首爾8月17日電 據半導體市場(chǎng)調研機構DRAMeXchange消息,三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)的銷(xiāo)售額同比增長(cháng)19.4%至24.18億美元,全球市場(chǎng)占有率升至61.5%,創(chuàng )下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨統計以來(lái)的歷史最高紀錄。   三星2015年后三季度的移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額均未突破60%關(guān)口,分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后,第二季又提升1.1個(gè)百分點(diǎn)。三星移動(dòng)DRAM的市場(chǎng)份額更是比DRAM市場(chǎng)份額(47.4%)高出14.1個(gè)百分點(diǎn)
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

全球DRAM總營(yíng)收 研調機構估第3季將較顯著(zhù)成長(cháng)

  •   DRAMeXchange最新報告指出,中國地區的智慧型手機出貨依然強勁,DRAM三大廠(chǎng)同步調整產(chǎn)品類(lèi)別,持續向行動(dòng)式記憶體轉進(jìn),伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來(lái),預估第3季全球DRAM總營(yíng)收將出現較顯著(zhù)的成長(cháng)。   DRAMeXchange表示,因市況供過(guò)于求,第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%,但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),使得第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%。   三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收仍排行第一,營(yíng)收季
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

Q2全球DRAM總營(yíng)收91億美元臺廠(chǎng)華邦電表現最佳

  •   TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,由于市況供過(guò)于求,第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%,但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠(chǎng)營(yíng)收都成長(cháng),臺廠(chǎng)部分,以華邦電( 2344-TW )營(yíng)收季增3.3%表現最佳。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第2季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般,但中國地區的智慧型手
  • 關(guān)鍵字: DRAM  

DRAM拖累全球IC銷(xiāo)售額下降2%

  •   按IC Insight的最新IC市場(chǎng)觀(guān)察報告,2016年因供過(guò)于求,導致全球DRAM的平均售價(jià)(ASP)下降16%,導致全球IC銷(xiāo)售額下降2%。   由于PC,筆記本,及平板電腦,包括智能手機等的出貨量減少,今年全球DRAM銷(xiāo)售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏,由2014年的3.16美元高點(diǎn),到2012年時(shí)的1.69美元。        IC Insight認為,一組DRAM的ASP曲線(xiàn),從2007年開(kāi)始象飛機飛過(guò)山谷時(shí)一樣的起伏。預計在服務(wù)器及新智能手機等市場(chǎng)需求推動(dòng)
  • 關(guān)鍵字: DRAM  

第二季全球DRAM總營(yíng)收成長(cháng)6.3%

  •   受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,由于市況供過(guò)于求,第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而,受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給成長(cháng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元,季成長(cháng)6.3%。   DRAMe
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(cháng)6.3%

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新報告顯示,由于市況供過(guò)于求,第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單 價(jià)持續下滑,整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而,受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利,帶動(dòng)位元供給增長(cháng),使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元,季增長(cháng)6.3%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般,但中國地區的智能手機出貨依然強勁,因此DRAM三大廠(chǎng)也同步調整產(chǎn)品類(lèi)別,持續向行動(dòng)式內存
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線(xiàn)項目

  •   全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠(chǎng)的下一階段投資計劃;該廠(chǎng)由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營(yíng)。TPI將對此工廠(chǎng)再投資8000萬(wàn)美元以展現其對中國快速成長(cháng)的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(cháng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴建上海二廠(chǎng)(TPCS Shanghai II);該廠(chǎng)現已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠(chǎng)。   
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

DRAM業(yè)恐掀巨變 美光面臨生存戰

  • 并購以后DRAM市場(chǎng)的“貧富差距”愈形明顯,產(chǎn)業(yè)結構可能掀起巨變。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

2016年全球DRAM市場(chǎng)與趨勢分析

  • 本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場(chǎng)走勢。結論是2016年第三季度DRAM已經(jīng)平穩上漲4%~8%左右。預計在2016第四季度價(jià)格會(huì )略有下滑,但2017年成長(cháng)會(huì )低于20%。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  市場(chǎng)  手機  服務(wù)器  201608  

后摩爾定律時(shí)代:終于跨越鴻溝?

  • 摩爾定律并未失效,可能無(wú)法像以前那樣自動(dòng)跳到下一世代制程,不過(guò)可以看到有很多公司在進(jìn)行20 nm及以下的設計開(kāi)發(fā)。
  • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  DRAM  

NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng )見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷

  •   NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售熱絡(luò ),加上智能手機搭載容量提高,帶動(dòng)近月價(jià)格持續上漲,創(chuàng )見(jiàn)、威剛等模組廠(chǎng)營(yíng)運受惠,市場(chǎng)預期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何,將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續漲力道。   市場(chǎng)指出,上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁,產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增,加上6月三星西安廠(chǎng)因變電廠(chǎng)爆炸導致停工,帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲,主流產(chǎn)品在1個(gè)月內漲幅超過(guò)2成。   市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)運增溫,創(chuàng )見(jiàn)表示,在漲價(jià)預期心理帶動(dòng)下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

中國首座DRAM廠(chǎng)動(dòng)工,三星、海力士冒冷汗

  •   韓國經(jīng)濟日報周二報導,國營(yíng)福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來(lái)自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下,已著(zhù)手建造半導體廠(chǎng),將藉此切入DRAM市場(chǎng)。   來(lái)自產(chǎn)業(yè)內的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠(chǎng)破土動(dòng)工儀式,第一期工程投資規模預估來(lái)到370億人民幣,或相當于55億美元,2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬(wàn)片晶圓(32奈米)。   據報導,福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援,且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
  • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

IC Insights下修今年半導體業(yè)成長(cháng)率至-1%

  •   IC Insights近日調降2016年半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)率預測至-1%,表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)負面沖擊的原因之一…   市場(chǎng)研究機構IC Insights近日調降了對2016年半導體產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)率預測,由原先的2%下修為-1%;該機構表示,調降產(chǎn)業(yè)成長(cháng)率預測的主要原因,是基于全球經(jīng)濟表現衰弱,以及低迷不振的DRAM市場(chǎng)。   消 費性電子市場(chǎng)與半導體產(chǎn)業(yè)之間的連動(dòng)關(guān)系越來(lái)越密切,IC Insights預期,2016年全球GDP與成長(cháng)率僅2.3%;而GDP成長(cháng)率若低于2.5%,被認為是
  • 關(guān)鍵字: 半導體  DRAM  
共1937條 42/130 |‹ « 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 » ›|

ddr5 dram介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>