美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

　　在全球持續突破存儲器運行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時(shí)間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱(chēng)可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。

　　據Techspot網(wǎng)站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態(tài)及高阻抗的非結晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)，雖然此技術(shù)在現今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現出許多優(yōu)勢，不過(guò)仍存有技術(shù)缺陷，即所謂的“延遲”(latency)問(wèn)題。

　　實(shí)際上存儲器在過(guò)去30年來(lái)，在時(shí)脈速率表現上雖已有大幅增加，但在延遲問(wèn)題上卻未見(jiàn)顯著(zhù)改善，不過(guò)由史丹佛大學(xué)材料科學(xué)與工程系副教授A(yíng)aron Lindenberg領(lǐng)軍的研究團隊，則發(fā)現能夠加快PCM運行速度的新方法。

　　該團隊透過(guò)每次以幾微微秒(picosecond)時(shí)間為PCM施加0.5THz電脈沖的方式，產(chǎn)生出可測量的結晶纖維，這些結晶纖維理論上可用于儲存資料，且這都發(fā)生在PCM多數材料仍處在非結晶態(tài)的物理狀態(tài)下。值得注意的是，這些結晶纖維都是以微微秒速度所生成。

　　由于傳統DRAM是在毫微秒(nanosecond)的時(shí)間范圍內進(jìn)行運作，但PCM此次是在微微秒情況下生成可用于儲存資料的結晶纖維，因此理論上PCM的運行速度，可較DRAM快上數千倍。

　　從先前外流的英特爾(Intel)產(chǎn)品規劃藍圖中，可看出英特爾新款Optane固態(tài)硬碟(SSD)可能將于2016年第4季或2017年初，與新一代Kaby Lake處理器一同發(fā)表，由于Optane是基于全新3D XPoint技術(shù)，目前部分外界認為，該技術(shù)可能至少部分會(huì )基于PCM原理。

　　即使如此，眼前仍有許多挑戰必須逐一克服，例如當前在主機板上，仍無(wú)法部署THz等級的電脈沖，主要即THz的訊號至今仍無(wú)法在印刷電路板(PCB)中非常薄的印刷銅線(xiàn)上良好運作。

　　再者，由于全球存儲器產(chǎn)業(yè)多年來(lái)市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)難以掌握，以致業(yè)內芯片制造商多半對于改采用新技術(shù)的態(tài)度較為保守，如果新技術(shù)采用未能保證創(chuàng )造長(cháng)期穩定的獲利，就會(huì )影響業(yè)內新技術(shù)的采用，這都成為PCM技術(shù)在未來(lái)是否能夠普及的關(guān)鍵因素。