恩智浦攜手臺積電推出首創(chuàng )汽車(chē)級16納米FinFET嵌入式MRAM
● 恩智浦和臺積電聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202305/446798.htm● 借助MRAM,汽車(chē)廠(chǎng)商可以更高效地推出新功能,加速OTA升級,消除量產(chǎn)瓶頸
● 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區域處理器和通用汽車(chē)MCU首批樣品
荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.,納斯達克股票代碼:NXPI)近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng )的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車(chē)嵌入式MRAM(磁隨機存儲器)。在向軟件定義汽車(chē)(SDV)的過(guò)渡中,汽車(chē)廠(chǎng)商需要在單個(gè)硬件平臺上支持多代軟件升級。利用16納米FinFET技術(shù)將恩智浦的高性能S32汽車(chē)處理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存儲器MRAM相結合,為向軟件定義汽車(chē)演進(jìn)打造理想的硬件平臺。
Flash存儲器更新20MB的代碼需要約1分鐘時(shí)間,而MRAM只需3秒左右,最大限度地縮短軟件更新帶來(lái)的停機時(shí)間,汽車(chē)廠(chǎng)商能夠消除模塊長(cháng)時(shí)間編程引起的瓶頸。此外,MRAM提供多達一百萬(wàn)個(gè)更新周期,耐久性超過(guò)閃存和其他新興存儲器技術(shù)的十倍,為汽車(chē)失效缺陷提供高度可靠的技術(shù)。
軟件定義汽車(chē)允許汽車(chē)廠(chǎng)商通過(guò)OTA升級推出舒適、安全、便捷的新功能,延長(cháng)汽車(chē)的使用壽命,增強汽車(chē)的功能性和吸引力,同時(shí)提高收益率?;谲浖墓δ茉谄?chē)中越來(lái)越普遍,更新頻率相應增加,MRAM的速度和可靠性也將更加重要。
臺積電的16FinFET嵌入式MRAM技術(shù)超越車(chē)規級應用的嚴格要求,具有一百萬(wàn)個(gè)更新周期的耐久性,支持回流焊,并且在150℃條件下,數據保留長(cháng)達20年。
臺積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總裁Kevin Zhang博士表示:“恩智浦的創(chuàng )新人員總能迅速挖掘臺積電新工藝技術(shù)的潛力,尤其是在高要求的汽車(chē)應用領(lǐng)域中。我們非常高興能看到恩智浦的S32平臺中采用我們先進(jìn)的MRAM技術(shù),賦能新一代軟件定義汽車(chē)?!?nbsp;
恩智浦執行副總裁兼汽車(chē)處理器業(yè)務(wù)總經(jīng)理Henri Ardevol表示:“恩智浦與臺積電成功合作了數十載,始終如一地為汽車(chē)市場(chǎng)交付高質(zhì)量嵌入式存儲器解決方案。MRAM是恩智浦S32汽車(chē)解決方案產(chǎn)品組合的創(chuàng )新助力,將在新一代汽車(chē)架構中發(fā)揮重要的支持作用?!?nbsp;
試驗樣品已生產(chǎn)完成,正在評估中。首批樣品計劃于2025年初為主要客戶(hù)提供。
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