三星即將宣布3nm以下工藝路線(xiàn)圖 挑戰硅基半導體極限

在半導體晶圓代工市場(chǎng)上，臺積電TSMC是全球一哥，一家就占據了全球50%以上的份額，而且率先量產(chǎn)7nm等先進(jìn)工藝，官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時(shí)間，明年就會(huì )量產(chǎn)5nm工藝。在臺積電之外，三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕，目前的路線(xiàn)圖已經(jīng)到了3nm工藝節點(diǎn)，下周三星就會(huì )宣布3nm以下的工藝路線(xiàn)圖，緊逼臺積電，而且會(huì )一步步挑戰摩爾定律極限。

在半導體工藝上，臺積電去年量產(chǎn)了7nm工藝（N7+），今年是量產(chǎn)第二代7nm工藝（N7+），而且會(huì )用上EUV光刻工藝，2020年則會(huì )轉向5nm節點(diǎn)，目前已經(jīng)開(kāi)始在Fab 18工廠(chǎng)上進(jìn)行了風(fēng)險試產(chǎn)，2020年第二季度正式商業(yè)化量產(chǎn)。

明年的5nm工藝是第一代5nm，之后還會(huì )有升級版的5nm Plus（5nm+）工藝，預計在2020年第一季度風(fēng)險試產(chǎn)，2021年正式量產(chǎn)。

三星這邊去年也公布了一系列路線(xiàn)圖，而且比臺積電還激進(jìn)，直接進(jìn)入EUV光刻時(shí)代，去年就說(shuō)量產(chǎn)了7nm EUV工藝，之后還有5nm工藝，而3nm工藝節點(diǎn)則會(huì )啟用GAA晶體管，通過(guò)使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應管），該技術(shù)可以顯著(zhù)增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

3nm之后呢？目前臺積電、三星甚至Intel都沒(méi)有提及3nm之后的硅基半導體工藝路線(xiàn)圖，此前公認3nm節點(diǎn)是摩爾定律最終失效的時(shí)刻，隨著(zhù)晶體管的縮小會(huì )遇到物理上的極限考驗。

三星將在5月14日舉行2019年度的SSF晶圓代工論壇會(huì )議，消息稱(chēng)三星將在這次會(huì )議上公布3nm以下的工藝技術(shù)，而三星在這個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)展就影響未來(lái)的半導體晶圓代工市場(chǎng)格局。