臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

盡管2020年全球半導體行業(yè)會(huì )因為疫情導致下滑,但臺積電的業(yè)績(jì)不降反升,掌握著(zhù)7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶(hù)青睞。今天的財報會(huì )上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預定在2022年下半年量產(chǎn)。

臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過(guò)這個(gè)技術(shù)會(huì )議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會(huì )議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。

臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預期,并沒(méi)有受到疫情影響,預計在2021年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。

在技術(shù)路線(xiàn)上,臺積電評估多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發(fā)依然會(huì )是FinFET晶體管技術(shù)。

在3nm節點(diǎn)上,臺積電最大的對手是三星,后者押注3nm節點(diǎn)翻身,所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn),將會(huì )淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。

根據三星的信息,相較于7nm FinFET工藝,3nm工藝可以減少50%的能耗,增加30%的性能。

至于量產(chǎn)時(shí)間,三星之前計劃在2021年量產(chǎn),不過(guò)因為疫情影響,現在也推遲到了2022年,但沒(méi)有明確是上半年還是下半年,他們與臺積電誰(shuí)能首發(fā)3nm工藝還沒(méi)定論。

隨著(zhù)3nm工藝的臨近,人類(lèi)正在逼近硅基半導體的極限,此前臺積電有信心將工藝推進(jìn)到2nm甚至1nm,但還是紙面上的,相關(guān)技術(shù)并沒(méi)有走出實(shí)驗室呢。

如果不能解決一系列難題,3nm工藝很有可能是未來(lái)CPU等芯片的極限了。