新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI

臺積公司N5P工藝上開(kāi)發(fā)的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。

STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器

新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與臺積公司(TSMC)達成合作，在其5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)一系列廣泛的DesignWare?接口IP核、邏輯庫、嵌入式存儲器和一次性可編程非易失性存儲器(NVM)IP核。依托臺積公司5奈米（N5）制程開(kāi)發(fā)的DesignWare IP核解決方案，設計人員能夠在移動(dòng)和云計算設計方面實(shí)現性能、密度和功耗目標。此次合作進(jìn)一步強化了兩家公司長(cháng)期合作關(guān)系，為設計人員提供降低風(fēng)險、實(shí)現芯片差異化和加快產(chǎn)品上市所需的高質(zhì)量IP核。

臺積公司設計基礎架構管理部高級總監Suk Lee 表示：“近20年來(lái)，臺積公司一直與新思科技緊密合作，在最先進(jìn)的工藝上提供經(jīng)驗證的廣泛DesignWare IP核，幫助共同客戶(hù)加快推出產(chǎn)品。我們對此次合作成果感到非常滿(mǎn)意，它令設計人員能夠加快其先進(jìn)的移動(dòng)和云計算芯片項目的進(jìn)度，同時(shí)獲得臺積公司最新業(yè)界領(lǐng)先制程技術(shù)所帶來(lái)的全面性能和功耗優(yōu)勢，?！?/p>

新思科技解決方案事業(yè)部營(yíng)銷(xiāo)副總裁John Koeter 表示：“作為接口IP核的領(lǐng)先供應商，新思科技持續在最新工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)高質(zhì)量IP核方面進(jìn)行重大投資，讓設計人員能夠獲得性能、功耗和面積優(yōu)勢，實(shí)現芯片差異化。我們與臺積公司合作利用N5P制程開(kāi)發(fā)新思科技DesignWare IP核，幫助設計人員實(shí)現其積極的設計目標并加快項目進(jìn)度?！?/p>