封裝文章進(jìn)入封裝技術(shù)社區

通富微電框架類(lèi)封裝

Bump SeriesProduction Overview TFME is able to provide Solder bump, Cu pillar bump and Gold bump for customer to meet different requirement.Feature Solder bump&nb
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通富微電測試技術(shù)

Semiconductor ICs are increasingly becoming denser with more functionality resulting in a more complex test environment, requiring more advanced test systems and capabilities. TFME provides a complete range of semiconductor testing services including wafe
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通富微電基板類(lèi)封裝

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長(cháng)電科技：2021圓滿(mǎn)收官看好2022業(yè)績(jì)持續性增長(cháng)

2021 年業(yè)績(jì)符合我們預期公司公布2021 年業(yè)績(jì)：收入305.0 億元，同比增長(cháng)15.3%，毛利率18.4%，同比提升2.9ppts；歸母凈利潤29.6 億元，同比增長(cháng)126.8%，扣非后凈利潤24.9 億元，同比增長(cháng)161.2%，上述主要財務(wù)指標均創(chuàng )下歷史新高。對應到4Q21 單季度來(lái)看，公司實(shí)現收入85.9 億元，環(huán)比增長(cháng)6.0%；毛利率19.8%，環(huán)比繼續提升1.0ppts；歸母凈利潤8.4 億元，環(huán)比增長(cháng)6.3%。整體業(yè)績(jì)符合我們預期。 &nbs
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長(cháng)電科技焊線(xiàn)封裝技術(shù)

焊線(xiàn)封裝技術(shù)焊線(xiàn)形成芯片與基材、基材與基材、基材與封裝之間的互連。焊線(xiàn)被普遍視為最經(jīng)濟高效和靈活的互連技術(shù)，目前用于組裝絕大多數的半導體封裝。長(cháng)電技術(shù)優(yōu)勢長(cháng)電科技可以使用金線(xiàn)、銀線(xiàn)、銅線(xiàn)等多種金屬進(jìn)行焊線(xiàn)封裝。作為金線(xiàn)的低成本替代品，銅線(xiàn)正在成為焊線(xiàn)封裝中首選的互連材料。銅線(xiàn)具有與金線(xiàn)相近的電氣特性和性能，而且電阻更低，在需要較低的焊線(xiàn)電阻以提高器件性能的情況下，這將是一大優(yōu)勢。長(cháng)電科技可以提供各類(lèi)焊線(xiàn)封裝類(lèi)型，并最大程度地節省物料成本，從而實(shí)現最具成本效益的銅焊線(xiàn)解決方案。解決方案LGABGA/FBGA
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長(cháng)電科技MEMS與傳感器封裝技術(shù)

?MEMS與傳感器隨著(zhù)消費者對能夠實(shí)現傳感、通信、控制應用的智能設備的需求日益增長(cháng)，MEMS 和傳感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成為一種非常關(guān)鍵的封裝方式。MEMS 和傳感器可廣泛應用于通信、消費、醫療、工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的眾多系統中。長(cháng)電技術(shù)優(yōu)勢憑借我們的技術(shù)組合和專(zhuān)業(yè) MEMS 團隊，長(cháng)電科技能夠提供全面的一站式解決方案，為您的量產(chǎn)提供支持，我們的服務(wù)包括封裝協(xié)同設計、模擬、物料清單 (BOM) 驗證、組裝、質(zhì)量保證和內部測試解決方案。長(cháng)電科技能夠為客戶(hù)的終端產(chǎn)品提供更小外形
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長(cháng)電科技倒裝封裝技術(shù)

倒裝封裝技術(shù)在倒裝芯片封裝中，硅芯片使用焊接凸塊而非焊線(xiàn)直接固定在基材上，提供密集的互連，具有很高的電氣性能和熱性能。倒裝芯片互連實(shí)現了終極的微型化，減少了封裝寄生效應，并且實(shí)現了其他傳統封裝方法無(wú)法實(shí)現的芯片功率分配和地線(xiàn)分配新模式。長(cháng)電技術(shù)優(yōu)勢長(cháng)電科技提供豐富的倒裝芯片產(chǎn)品組合，從搭載無(wú)源元器件的大型單芯片封裝，到模塊和復雜的先進(jìn) 3D 封裝，包含多種不同的低成本創(chuàng )新選項。解決方案FCBGAfcCSPfcLGAfcPoPFCOL - Flip Chip on Leadframe
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長(cháng)電科技系統級封裝技術(shù)

系統級封裝（SiP）半導體公司不斷面臨復雜的集成挑戰，因為消費者希望他們的電子產(chǎn)品體積更小、速度更快、性能更高，并將更多功能集成到單部設備中。半導體封裝對于解決這些挑戰具有重大影響。當前和未來(lái)對于提高系統性能、增加功能、降低功耗、縮小外形尺寸的要求，需要一種被稱(chēng)為系統集成的先進(jìn)封裝方法。系統集成可將多個(gè)集成電路 (IC) 和元器件組合到單個(gè)系統或模塊化子系統中，以實(shí)現更高的性能、功能和處理速度，同時(shí)大幅降低電子器件內部的空間要求。長(cháng)電技術(shù)優(yōu)勢長(cháng)電科技在SiP封裝的優(yōu)勢體現在3種先進(jìn)技術(shù)：雙面塑形技術(shù)、EM
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長(cháng)電科技晶圓級封裝技術(shù)

晶圓級封裝技術(shù)晶圓級封裝（WLP）與扇出封裝技術(shù)當今的消費者正在尋找性能強大的多功能電子設備，這些設備不僅要提供前所未有的性能和速度，還要具有小巧的體積和低廉的成本。這給半導體制造商帶來(lái)了復雜的技術(shù)和制造挑戰，他們試圖尋找新的方法，在小體積、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。長(cháng)電技術(shù)優(yōu)勢長(cháng)電科技在提供全方位的晶圓級技術(shù)解決方案平臺方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位，提供的解決方案包括扇入型晶圓級封裝 (FIWLP)、扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)、集成無(wú)源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封裝 (EC
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蘋(píng)果M1 Ultra封裝是普通CPU的3倍

據外媒videocardz報道，Mac Studio的全面拆解表明，蘋(píng)果最新的M1 Ultra芯片到底有多大。此多芯片模塊包含兩個(gè)使用 UltraFusion 技術(shù)相互連接的 M1 max 芯片。需要注意的是，這款超大型封裝還包含128GB內存。不幸的是，在拆卸過(guò)程中看不到硅芯片，因為整個(gè)封裝被一個(gè)非常大的集成散熱器覆蓋。M1 Ultra具有兩個(gè)10核CPU和32核GPU。整體有1140億個(gè)晶體管。根據蘋(píng)果的基準測試，該系統應該與采用RTX 3090顯卡的高端臺式機競爭。雖然該系統確實(shí)功能強大，并
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三星電子調整組織架構提升封裝測試業(yè)務(wù)地位

作為全球第二大的芯片代工廠(chǎng)，最近三星又在芯片領(lǐng)域做出重要一步。三星電子在其 DX 事業(yè)部的全球制造和基礎設施部門(mén)內設立了測試和封裝（TP，Test & Package）中心。
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AMD 官宣 3D Chiplet 架構：可實(shí)現“3D 垂直緩存”

6 月 1 日消息在今日召開(kāi)的 2021 臺北國際電腦展（Computex 2021）上，AMD CEO 蘇姿豐發(fā)布了 3D Chiplet 架構，這項技術(shù)首先將應用于實(shí)現“3D 垂直緩存”（3D Vertical Cache），將于今年年底前準備采用該技術(shù)生產(chǎn)一些高端產(chǎn)品。蘇姿豐表示，3D Chiplet 是 AMD 與臺積電合作的成果，該架構將 chiplet 封裝技術(shù)與芯片堆疊技術(shù)相結合，設計出了銳龍 5000 系處理器原型。官方展示了該架構的原理，3D Chiplet 將一個(gè) 64MB 的 7n
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英特爾對chiplet未來(lái)的一些看法

在英特爾2020年架構日活動(dòng)即將結束的時(shí)候，英特爾花了幾分鐘時(shí)間討論它認為某些產(chǎn)品的未來(lái)。英特爾客戶(hù)計算部門(mén)副總裁兼首席技術(shù)官Brijesh Tripathi提出了對2024年以上未來(lái)客戶(hù)端產(chǎn)品前景的展望。他表示，他們將以英特爾的7+制造工藝為中心，目標是啟用“Client 2.0”，這是一種通過(guò)更優(yōu)化的芯片開(kāi)發(fā)策略來(lái)交付和實(shí)現沉浸式體驗的新方法。Chiplet（小芯片）并不是新事物，特別是隨著(zhù)英特爾競爭對手最近發(fā)布的芯片，并且隨著(zhù)我們進(jìn)入更復雜的過(guò)程節點(diǎn)開(kāi)發(fā)，小芯片時(shí)代可以使芯片上市時(shí)間更快，給定產(chǎn)品的
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子單元長(cháng)期存放對焊接質(zhì)量的影響*

長(cháng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(cháng)短對焊接空洞影響較大，本文分別對兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過(guò)實(shí)驗對比兩批產(chǎn)品的空洞率，結果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
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三星圖像傳感器計劃采用CSP封裝技術(shù) 以降低成本

據國外媒體報道，三星電子計劃采用一種新的封裝技術(shù)，以降低圖像傳感器的成本。從外媒的報道來(lái)看，三星圖像傳感器計劃采用的是芯片級封裝（Chip Scale Package，CSP）技術(shù)，從明年開(kāi)始采用，不過(guò)只會(huì )用于低分辨率的圖像傳感器。COB封裝技術(shù)據The Elec報道，目前三星電子的圖像傳感器采用板上芯片封裝（Chips on Board，COB） ——?COB是當前圖像傳感器最常用的封裝方法，即將圖像傳感器放置在PCB上，并通過(guò)導線(xiàn)連接，再將鏡頭附著(zhù)在上面。然而，該過(guò)程需要一個(gè)潔凈室，因為在封
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對象的屬性和實(shí)現細節，僅對外公開(kāi)接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪(fǎng)問(wèn)級別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數據和行為(或功能)相結合，形成一個(gè)有機的整體，也就是將數據與操作數據的源代碼進(jìn)行有機的結合，形成“類(lèi)”，其中數據和函數都是類(lèi)的成員。　　封裝的目的是增強安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細 ]