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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
蘋(píng)果M5芯片首度曝光：臺積電代工 用于人工智能服務(wù)器
- 7月5日消息，據媒體報道，蘋(píng)果M5系列芯片將由臺積電代工，使用臺積電最先進(jìn)的SoIC-X封裝技術(shù)，用于人工智能服務(wù)器。蘋(píng)果預計在明年下半年批量生產(chǎn)M5芯片，屆時(shí)臺積電將大幅提升SoIC產(chǎn)能。目前蘋(píng)果正在其AI服務(wù)器集群中使用M2 Ultra芯片，預計今年的使用量可能達到20萬(wàn)左右。作為臺積電先進(jìn)封裝技術(shù)組合3D Fabric的一部分，臺積電SoIC是業(yè)內第一個(gè)高密度3D chiplet堆迭技術(shù)，SoIC是“3D封裝最前沿”技術(shù)。據悉，SoIC設計讓芯片可以直接堆迭在芯片上，臺積電的3D SoIC的凸點(diǎn)間距
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挑戰蘋(píng)果！曝谷歌自研Soc Tensor G5進(jìn)入流片階段：臺積電代工
- 7月5日消息，縱觀(guān)目前手機市場(chǎng)幾大巨頭，無(wú)一例外都擁有自家的Soc芯片，頭部谷歌自然而然會(huì )走向制造SoC的道路。從Pixel 6系列開(kāi)始，Pixel機型搭載谷歌定制的Tensor芯片，這顆芯片是基于三星Exynos魔改而來(lái)，只有TPU、ISP以及搭配的TitanM2安全芯片是谷歌自家的技術(shù)。但從Tensor G5開(kāi)始，谷歌將實(shí)現芯片的完全自研，據報道，Tensor G5將由臺積電代工，采用3nm工藝制程，目前已經(jīng)進(jìn)入到了流片階段。所謂流片，就是像流水線(xiàn)一樣通過(guò)一系列工藝步驟制造芯片，該環(huán)節處于芯片設計和芯
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目標 2026 年量產(chǎn)，初探臺積電背面供電半導體技術(shù)：最直接高效，但生產(chǎn)難度、成本高
- IT之家 7 月 4 日消息，根據工商時(shí)報報道，臺積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò )（BSPDN）解決方案，所采用方式最直接、高效，但代價(jià)是生產(chǎn)復雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò )？由于晶體管越來(lái)越小，密度越來(lái)越高，堆疊層數也越來(lái)越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數據信號，需要穿過(guò) 10-20 層堆棧，大大提高了線(xiàn)路設計的復雜程度。背面供電技術(shù)（BSPDN）將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò )直接轉移到晶體管的背面重新排布，也是晶體管三維結構上的一種創(chuàng )新。該技術(shù)可以在增加單位面積內晶體管密度的同時(shí)，避免晶體管
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FOPLP導入AI GPU 估2027年量產(chǎn)
- 源自臺積電2016年之InFO（整合扇出型封裝）的FOWLP（扇出型晶圓級封裝）技術(shù)，伴隨AMD、輝達等業(yè)者積極洽談以FOPLP（扇出型面板級封裝）進(jìn)行芯片封裝，帶動(dòng)市場(chǎng)對FOPLP（扇出型面板級封裝）關(guān)注。集邦科技指出，該應用將暫時(shí)止步于PMIC（電源管理IC）等制程成熟、成本敏感的產(chǎn)品，待技術(shù)成熟后才導入至主流消費性IC產(chǎn)品，AI GPU則要到2027年才有望進(jìn)入量產(chǎn)。 集邦科技分析，FOPLP技術(shù)目前有三種主要應用模式，首先是OSAT（封裝測試）業(yè)者將消費性IC封裝從傳統方式轉換至FOPLP，其次是
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目標2026年量產(chǎn)，初探臺積電背面供電技術(shù)：最直接高效，但也更貴
- 7 月 4 日消息，根據工商時(shí)報報道，臺積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò )（BSPDN）解決方案，所采用方式最直接、有效，但代價(jià)是生產(chǎn)復雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò )？由于晶體管越來(lái)越小，密度越來(lái)越高，堆疊層數也越來(lái)越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數據信號，需要穿過(guò) 10-20 層堆棧，大大提高了線(xiàn)路設計的復雜程度。背面供電技術(shù)（BSPDN）將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò )直接轉移到晶體管的背面重新排布，也是晶體管三維結構上的一種創(chuàng )新。該技術(shù)可以在增加單位面積內晶體管密度的同時(shí)，避免晶體管和電源網(wǎng)絡(luò )之間的信號
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消息稱(chēng)蘋(píng)果繼 AMD 后成為臺積電 SoIC 半導體封裝大客戶(hù)
- 7 月 4 日消息，根據經(jīng)濟日報報道，在 AMD 之后，蘋(píng)果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴大和臺積電的合作，預估在2025 年使用該技術(shù)。臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí)，也在積極推動(dòng)下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。AMD 是臺積電 SoIC 的首發(fā)客戶(hù)，旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案，可將不同尺寸、功能、節點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合，目前在位于竹南的第五座封測廠(chǎng) AP6 生產(chǎn)。臺積電目前已經(jīng)整合封裝工藝構建 3D Fabric 系統，其中分為 3
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臺積電CoWoS擴產(chǎn) 可望落腳云林
- 晶圓代工龍頭臺積電將在7月18日舉行法說(shuō)會(huì )，2日業(yè)界先傳出臺積電可能會(huì )在云林覓地設先進(jìn)封裝廠(chǎng)，臺積電表示，一切以公司對外公告為主；法人認為臺積電受惠AI強勁需求，仍看好長(cháng)線(xiàn)，擠進(jìn)千元俱樂(lè )部沒(méi)問(wèn)題。 臺積電在嘉義的CoWoS先進(jìn)封裝P1廠(chǎng)，在整地時(shí)發(fā)現遺址，因此停工，改興建P2廠(chǎng)，日前傳出臺積電在屏東或者云林覓地，希望能找到P1的替代場(chǎng)址，2日供應鏈傳出臺積電可能已在云林的虎尾園區覓地。針對云林設廠(chǎng)的傳言，臺積電表示，設廠(chǎng)地點(diǎn)選擇有諸多考慮因素，公司以臺灣作為主要基地，不排除任何可能性；將持續與管理局合作評
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臺積電背面電軌黑科技 供應鏈價(jià)量齊揚
- 埃米時(shí)代來(lái)臨，背面電軌（BSPDN）成為先進(jìn)制程最佳解決方案，包括臺積電、英特爾、imec（比利時(shí)微電子研究中心）提出不同解方，鎖定晶圓薄化、原子層沉積檢測（ALD）及再生晶圓三大制程重點(diǎn)，相關(guān)供應鏈包括中砂、天虹及升陽(yáng)半導體等受惠。 背面電軌（BSPDN）被半導體業(yè)者喻為臺積電最強黑科技，成為跨入埃米時(shí)代最佳解決方案，預估2026年啟用。目前全球有三種解決方案，分別為imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及臺積電的Super Power Rail。代工大廠(chǎng)皆開(kāi)始透過(guò)設
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純晶圓代工廠(chǎng)格芯收獲一家GaN研發(fā)商
- 7月1日，純晶圓代工廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無(wú)晶圓廠(chǎng)公司Tagore成立于2011年1月，旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術(shù)，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進(jìn)一步鞏固公司對大規模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢，可幫助數據中心滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的電力需求，
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ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì )更高。目前每臺EUV光刻機的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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消息稱(chēng)臺積電 3/5 nm 制程明年漲價(jià)：AI 產(chǎn)品漲 5~10% ，非 AI 產(chǎn)品 0~5%
- IT之家 7 月 2 日消息，中國臺灣消息人士 @手機晶片達人 爆料稱(chēng)，臺積電正準備從明年 1 月 1 日起宣布漲價(jià)，主要針對 3/5 nm，其他制程維持原價(jià)。據稱(chēng)，臺積電計劃將其 3/5 nm 制程的 AI 產(chǎn)品報價(jià)提高 5%-10% ，非 AI 產(chǎn)品提高 0-5% 。實(shí)際上，上個(gè)月臺灣工商時(shí)報也表示臺積電已經(jīng)開(kāi)始傳出漲價(jià)消息。全球七大科技巨頭（英偉達、AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果及谷歌）將陸續導入臺積電 3nm 制程，例如高通驍龍 8 Gen 4、聯(lián)發(fā)科天璣 9400 及蘋(píng)果
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美國將砸錢(qián)解決半導體人力荒
- 報導指出，美國政府將動(dòng)用為「國家半導體技術(shù)中心」（National Semiconductor Technology Center,NSTC）所撥備的50億美元聯(lián)邦資金，來(lái)支持這項被稱(chēng)為「勞動(dòng)力合作伙伴聯(lián)盟」的半導體人才培育計劃。NSTC擬向多達10個(gè)勞動(dòng)力發(fā)展項目提供介于50萬(wàn)至200萬(wàn)美元資金，并在未來(lái)幾個(gè)月啟動(dòng)申請流程，在考慮所有提案后，官員將拍板總支出規模。 這筆50億美元資金是來(lái)自于2022年通過(guò)的《芯片與科學(xué)法案》（Chips and Science Act）。這項具里程碑意義的法案展現美國強
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臺積電完勝三星！死忠客戶(hù)Google轉單
- 三星3納米制程良率不佳，外傳低于20%，導致原有客戶(hù)出走，最新傳出Google Pixel 10搭載的Tensor G5芯片，將改為臺積電代工生產(chǎn)。 綜合外媒報導，Google Pixel 10系列手機的Tensor G5處理器（SoC），目前已進(jìn)入 Tape-ou（流片）階段。 Google首款完全自研手機處理器Tensor G5，前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改，由三星代工生產(chǎn)，如今已從過(guò)往三星獨家代工轉向臺積電。報導稱(chēng)，Tensor G5采用Google自研架構、臺積電3納米制程，芯片
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擴展計算滿(mǎn)足AI需求的兩種解決方案
- 五十年前，DRAM發(fā)明者和IEEE榮譽(yù)勛章獲得者羅伯特·丹納德（Robert Dennard）創(chuàng )造了半導體行業(yè)不斷提高晶體管密度和芯片性能的道路。這條路徑被稱(chēng)為 Dennard 縮放，它幫助編纂了 Gordon Moore 關(guān)于設備尺寸每 18 到 24 個(gè)月縮小一半的假設。幾十年來(lái)，它迫使工程師們不斷突破半導體器件的物理極限。但在 2000 年代中期，當 Dennard 擴展開(kāi)始耗盡時(shí)，芯片制造商不得不轉向極紫外 （EUV） 光刻系統等奇特解決方案，以試圖保持摩爾定律的步伐。2017年，在訪(fǎng)問(wèn)紐約州馬耳
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蘋(píng)果擴大下單A18 臺積電N3E沖刺
- 蘋(píng)果全新AI手機iPhone 16拉貨在即，將掀換機熱潮，全系列產(chǎn)品可望搭載臺積電第二代3納米制程N3E芯片，利用FinFlex技術(shù)平衡性能及功耗，大幅拉高硅含量；供應鏈透露，蘋(píng)果已調高A18芯片訂單規模，加上M4系列芯片蓄勢待發(fā)，帶旺臺積電下半年營(yíng)運。 蘋(píng)果WWDC 2024引領(lǐng)AI落地，市場(chǎng)傳出，蘋(píng)果iPhone 16基本款（16與16 Plus）采用A18處理器，延續原先A17 Pro處理器設計，但改采臺積電N3E制程；另iPhone 16 Pro（Pro及Pro Max或Ultra）則采用全新設計
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 A18 臺積電 N3E
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